简介:摘要当前,电子元件正在向小型化、片式化、集成化方向发展,使得低温共烧陶瓷(Low-temperaturecofiredceramic,LTCC)技术越来越引起人们的关注。目前,新一代基于LTCC技术的电子元件已经成为当前主流的电子元件,而该技术要求微波介质陶瓷能够与高电导率的银、铜等电极材料实现低温共烧。然而,大多数性能优异的微波介质陶瓷的烧结温度都比较高,难以达到与金属电极低温共烧的要求。为了降低其烧结温度,通常在基体中加入一定量低熔点的烧结助剂,但过多的烧结助剂往往会引起材料介电性能劣化。因此,探索新型固有烧结温度低的微波介质陶瓷仍将是研究微波介质陶瓷材料领域的一个热点方向。高频化是微波元器件发展的必然趋势,随着通讯设备工作频率向毫米波段拓展,信号延迟问题会变得更加突出,因此,对作为通讯设备关键材料的微波介质陶瓷性能参数提出了更高的要求。与中、高介电常数材料相比,低介电常数材料能够降低基板与金属电极间的交互耦合损耗,缩短芯片间信号传播的延迟时间。
简介:摘要本文介绍了某核电机组220kV高压备用变压器在进行套管介质损耗因数tanδ试验过程中,出现误差的事例,并分析产生的原因及相应的控制措施,为预防类似工程问题的出现提供借鉴经验。
简介:我硬着头皮脱下外套,摄影师示意:“在地上躺好。”摄影的背景是花园,藤蔓蔷薇,地上散落着花瓣。我全身僵硬地躺到地上,以手捂胸口的姿势摆了一个造型。
简介:通过设置合理的腐蚀试验,结合金相显微镜、XRD分析仪、显微硬度计等设备,研究了储能时间以及合金元素对储能介质Al-12Si-15Cu和容器0Cr18Ni9钢相容性的作用规律。结果表明:腐蚀层由A、B两个区域组成,随着储能时间延长,腐蚀层A区域的宽度和致密度几乎保持不变,而腐蚀层B区域却逐渐疏松并剥落;腐蚀速率随储能时间的延长而降低,腐蚀层厚度随储能时间的增大而持续增加;参与腐蚀的元素有Al、Fe、Cr和Si,其中以Al元素的扩散反应为主,因Si、Cr元素存在,生成Al_(0.5)Fe_3Si_(0.5)和Al_(95)Fe_4Cr金属化合物,从而降低了腐蚀速率,Cu元素虽没有参与反应,却起到为元素的扩散提供载体的作用。