简介:对比了ICP刻蚀和湿法腐蚀制备台面型InP/InGaAs雪崩光电二极管(APD)时侧壁、表面形貌的不同,以及对暗电流和击穿电压的影响。在Cl2/Ar2/CH4条件下感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP会出现表面粗糙,对其原因进行了探究。并主要对ICP的刻蚀时间和刻蚀功率进行了优化,提高刻蚀表面的温度,保证了刻蚀的稳定性并改善了InP刻蚀表面的形貌,确定了稳定制备APD器件的刻蚀条件,最终制备出性能优良的台面型APD器件。
简介:采用对称性破损态方法结合密度泛函理论,以双亚甲胺席夫碱为配体的双核吡唑铜配合物[Cu2L(PZ)](L=双甲亚胺三阴离子,由1-苯基-3-甲基-4-甲酰吡唑和1,3-二氨-2-丙醇衍生而成;PZ=吡唑阴离子)作为研究对象,通过与实验数据相比较,讨论了不同密度泛函方法与基组对金属铜配合物磁交换耦合常数的影响.结果表明,4种混合密度泛函方法(B3PW91,B3LYP,B3P86和PBE)及3种单一密度泛函方法(BPW91,BLYP和BP86)的计算结果都能与实验值符号一致,且B3P86方法所得到的结果与实验值最为接近,而单一密度泛函的计算结果误差较大,与实验值吻合程度不好.同时采用B3P86方法计算所得交换耦合常数Jab对基组的依赖性较大.研究表明,2个Cu(Ⅱ)离子之间弱的反铁磁相互作用主要源于单占据分子轨道SOMOs小的能量劈裂.