简介：光学元件真空状态下的激光负载能力，直接关系到神光Ⅲ的整体技术达标与ICF物理实验的成败，研究光学元件真空激光损伤机理，提高光真空激光负载能力，目前显得尤为迫切与重要。提高光学元器件和材料的真空抗损伤能力，必须深入研究真空环境下激光辐照的损伤机制。

简介：第JI卷初中毕业会考(满分100分,60分钟完善)一、选择题(每小题4分,共14分)1.Ii列运算中,正确的足()(A)O,26+曲!=(L3·厶’(B)((z+6)!=fz!+b:(C)2n6+3厶“=5(止(D)(“b)‘=“’一2出一6一!若点(cz一:,3一“)住第一象限,!J!lJ“的取值为().(i)2<“<3(口)“>33.如图0—8,A△_Bc中.F足l(.的I{I专,D是馏的中点,则s。,sw等f().(.{)I::(B)I:4A((j)l:,!(D)14.已Ⅻ:『』【1图C。☆玲IHC郁△B,)0‘{’8()。.呲j。D葛卜()

简介：（四）不等式四川师大附中毛树勇邓贵业等是相对的，暂时的，而不等才是绝对的，永恒的。本章首先给出不等式的一系列性质。利用这些性质证明不等式，解不等式和解决应用问题。不等式的证明主要讲了：比较法、分析法、综合法、放缩法、反证法、换元法等。要注意把握每种证...

简介：1．经历特殊四边形性质的探索，进一步提高合情推理能力和简单的逻辑推理意识，并掌握说理的基本方法．

简介：利用4.5MeV的氪离子（Kr^17＋）辐照（100）晶向本征未掺杂和高掺锌（P型）、（100）和（110）混合晶向的高掺硅（N型）砷化镓（GaAs）半导体材料,辐照注量为1×10^12～3×10^14cm^-2,测试辐照后材料的拉曼光谱。随着辐照注量增大,材料的纵向光学（longitudinaloptical,LO）声子峰向低频方向移动,出现了明显的非对称展宽,并且N型样品辐照后,晶体结构损伤要大于P型与本征未掺杂样品。3种类型样品的LO峰频移随辐照损伤的变化趋势一致,研究表明,掺杂元素不影响材料本身的晶体结构,可能是因为混合晶向的生长方式导致辐照后N型GaAs结构稳定性变差。

简介：本文给出了四元数矩阵函数的定义，讨论了四元数矩阵函数的一些性质。

简介：<正>1.计算:(1)12(1/7)×29×7/4-1.75×12(3/7)=__;(2)1/3+1/8+1/15+1/35+1/48+1/63+__。2.n是比100小的自然数,且8+8+……+8n个8是平方数,那么n的最小值是__;n的最

简介：

简介：如果你总是可以轻易遇见让你倾心的人，却遗憾给得起爱情，给不起永远；如果你常常感慨满腹激情澎湃无人明白，只能将心事付诸烈酒，一生期期艾艾，

简介：<正>第1课四边形（一）一、自学范围(P121-P124)二、学习准备1.观察教材P121所给图形,请把你知道的长方形、正方形、平行四边形、梯形找到并勾画出来。二.上述图形都有它们共同的特点:_{,由四条线段组成,这类图形叫做。}

简介：【本节需学习的内容】本节内容由“比较做功快慢”的探究活动引入功率的概念，通过学习需要掌握功率的定义、计算公式、单位，知道功和功率的区别，学会估测功率的方法．

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简介：亲爱的同学。通过本章的学习。你将1．了解必然事件、不可能事件和不确定事件发生的可能性大小，了解事件发生的等可能性及游戏规则的公平性；了解概率的意义，能对一些简单事件发生的概率进行计算．

简介：【本节需学习的内容】本节内容由“估测上楼时的功率”的探究活动引入功率，通过学习需要掌握功率的定义、计算公式、单位，知道功和功率的区别，学会估测功率的方法．

简介：<正>数字谜是逻辑推理中常见的一种竞赛题型。它以其独特的趣味性和严密的逻辑性成为一种风靡国内外的智力测试题,它涉及的知识不深主要是整数四则运算规律和严密的推理,而进位规律,尾数规律,整除性的规律往往在解题中起到“突破口”作用。常解这类题能培养观察能力,分析能力和逻辑思维能力。解答数字谜一般遵循以下思路:(1)分析已知条件、读懂题目、理解题意、善于观察,分析。告诉什么,要求什么,这是解

简介：采用显式动力分析软件LS-DYNA，对内部近距离化爆作用下花岗岩洞室的损伤破坏过程进行了数值模拟，考虑了炸药空气结构之间的流固耦合作用以及花岗岩材料本构模型的高应变率、高静水压和损伤效应。结果表明，在内部近距离爆炸冲击作用下，该洞室围岩损伤具有时空特征与结构层次特征：首先,爆心截面附近岩石受压产生材料损伤，损伤范围随装药量的增加逐渐增大；其次,爆炸冲击波在洞室端部会聚，反射超压显著增大，引起该处岩石的材料压缩损伤；最后，随着洞室侧壁位移与端部位移的先后增大，在侧壁与端部交界处产生撕裂，在侧壁形成平行于轴向的裂缝，且随着药量的增加，两处裂缝将逐渐扩展、贯通，结构破坏风险随之增大。本工作可为硬岩中抗爆结构设计及相关工程建设提供借鉴与参考。

简介：本项工作利用二元相位光栅的特点，研究一种高效快速的阈值测量方法。基本原理是设计一个具有特定相位分布的相位光栅，入射高斯光束通过二元相位光栅形成类高斯分布的激光点阵，并对样品进行辐照，研究衍射点阵中各点的峰值能量密度分布和样品的损伤情况，可用单脉冲激光确定光学元件的损伤阈值。

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