简介：本文利用尖端集电原理，在射频平衡磁控溅射过程中通过施加衬底偏压沉积了Cu20薄膜。然后用原子力显微镜和掠入射x射线衍射仪对薄膜样品的形貌和结构进行表征。研究结果表明，不管施加的是正偏压还是负偏压，所制备Cu2O薄膜的形貌和结构相差不大，均呈现出疏松多孔和（111）择优取向的特点。进一步地，从尖端集电的角度对平衡磁控溅射沉积过程中的偏压效应进行了合理解释。

简介：采用溶胶-凝胶法制备了Mn离子摩尔掺杂比．32分别为0，2％，4％，6％，8％的Ba（Ti1-xMnx）O3铁电薄膜。研究发现：当x为6％时，漏电流和矫顽场均达到最小，与未掺杂时相比，漏电流降低了约3个量级，矫顽场电场强度降低了约60％，P—E回线的矩形度增加。实验结果表明：通过适量掺杂Mn离子，可以改善BaTiO3铁电薄膜电学性能，提高铁电薄膜的极化，降低薄膜的漏电流。

简介：以PbO，MgO，Nb2O5，TiO2为原料，采用两步固态反应法制备了纯钙钛矿相的0．92PMN-0．08PT陶瓷，并对其相的组成、微观形貌、介电性能和储能性能进行了研究。在25℃，1kHz条件下，该陶瓷的相对介电常数高达27480，介电损耗tan艿仅为4％，电滞回线形状细长，剩余极化很小，可释放的能量密度达0．31J·cm-3.结果表明：室温下该陶瓷具有优良的介电和储能性能。

简介：采用第一性原理方法从原子尺度研究了SrTiO_3缓冲层对Pt/PbTiO_3/Pt铁电电容的极化强度和稳定性的影响。针对PbO和TiO_22种不同终端表面的PbTiO_3铁电电容,在Pt与PbTiO_3的下界面处逐层引入SrTiO_3缓冲层,研究了PbTiO_3薄膜极化性质的演化规律。结果表明,引入SrTiO_3缓冲层会不同程度地破坏PbTiO_3薄膜的极化对称性,使指向上表面的极化状态更为稳定,这对于要求双稳极化状态的铁电存储器是不利的。

简介：利用YAG-50型声光调Q激光划片机对156＋156＊0．18mm的多晶硅太阳能电池片进行划片实验，得到了不同调Q频率和电池片电性能参数的关系，从而找出了Q开关的最佳频率范围值，并从理论上探讨分析了不同调Q频率范围划片得到的太阳能电池片电性能参数差异的原因。

简介：采用sol-gel方法在石英玻璃衬底上制备出α轴取向的多晶Bi4Ti3O12（BIT）薄膜,根据透射谱曲线得到薄膜样品的线性折射率为2.35,线性吸收系数为9.81×10^3cm^-1,光学带隙宽度为3.60eV。以脉宽300fs,波长800nm的钛蓝宝石脉冲激光为光源,利用单光束Z-scan技术测得薄膜样品的双光子吸收系数为100.31GW·cm^-2,三阶非线性折射率为-1.02×10^2GW·cm^-2。实验结果表明,所制备的BIT铁电薄膜具有大的非线性光学系数,适合应用于光子器件的制备。