简介:在相同的反应体系中当ph值从约9.5调变至11时分别合成出双中孔SiO2和六方中孔SiO2材料,并用XRD、N2吸附、TEM、TG/DTA和FTIR等测试手段对合成产物进行了表征。实验结果表明,双中孔SiO和六方中孔SiO2是合成中必然出现的两种不同的中孔物相。与六方中孔SiO2相比,双中孔SiO2也具有典型中孔材料的特征XRD谱图,虽然仅呈现一个易让人产生不完全晶化误解的相对较宽的单XRD衍射峰(d=5.2nm),但它却给出一种独特的N2吸附等温线和窄的双峰中孔孔径分布曲线。由于孔壁的无定形及表面活性剂分子与SiO2骨架间相似的相互作用,两类材料给出类似的FTIR谱图和TG/DTA曲线。然而,在双中孔SiO2的FTIR谱图中960cm处峰强度的微小变化可能意味着在锻烧脱除模板剂后双中孔SiO2较六方中孔SiO2具有更高的骨架聚合度。更多还原
简介:本文引入了偶数维欧氏空间的复结构及Witt基,在此基础上讨论了偶数维复Clifford代数中的Dirac旋量空间.由Fock空间的结果我们得到了Dirac旋量空间视为复Clifford代数中极小左理想,最后我们研究了Dirac旋量空间的对偶空间.
简介:文章以生物纳米通道及纳米孔中的离子传输及化学反应为背景,以离子流整流、电渗流整流、离子积累耗散模型为理论基础,使用有限元数值计算方法研究压力及电场交互作用下的锥形纳米孔孔内离子浓度分布及速度场分布现象.分析了不同电压下压力和电场的交互作用对锥形纳米孔中速度场、流场及浓度分布的影响.结果表明纳米孔孔内氢离子运动方向主要受电场方向影响.由于静电吸附效应,沿着孔壁流动的电渗流中的氢离子浓度会高于体溶液中的氢离子浓度.当电压较小时,流场方向主要受压力流的影响,当电压较大时,流场流动方向由电渗流带动的流体流动和压力驱动的流体流动共同决定.
简介:双通道旋转变压器在定点汇编层实现轴角解调时,传统方法运算量大、占用存储空间多。文中根据粗(精)测角所对应的正余弦值大小及其符号,依据反正切函数的性质将求角的定义域从[-∞,+∞]转化到[0,1],设计了在[0,1]区间上基于切比雪夫多项式快速逼近arctan(x)的低阶分段多项式,用来解决其解调问题;提出了一种通过粗测角,在其附近寻找最佳粗精组合角值的轴角组合及纠错方法;最后在桌型号导引头系统的内场试验中进行了测试。试验结果表明,应用本文方法比调用反正切函数法的计算时间减少了50%,比应用查表法的计算精度提高了100倍;该方法具有较好的解码速度和精度,能够用于某些既需要综合考虑功能、体积、重量等要求,又需要快速在定点汇编层实现反正切求角解调的导航系统。