简介:O482.3199053412硅发光研究=Researchonsiliconluminescence[刊,中]/夏建白(中科院半导体所.北京(100083))//半导体学报.—1998,19(5).—321—326介绍了目前已有的使硅发光的方法:掺深能级杂质,掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及Si/SiO2超晶格,讨论了两种可能的发光机制:量子限制效应和表面复合效应。最后介绍了两个硅发光器件,表明硅发光器件的前景是光明的。图9参15(方舟)O482.3199053413离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究=Photoluminescencestudyofluminescentcentersinerbium—implantedsilicon[刊,中]/雷红兵,杨沁清,王启明(中科院半导体所.北京(100083)),周必忠,肖方
简介:以钛酸四丁酯为前驱体,采用溶胶一凝胶一超声波法制备得到了纳米TiO2溶胶,在单面抛光的硅片上采用旋转涂膜法涂上TiO2溶胶,快速烘干,再经烧结得到TiO2薄膜,并利用XRD,XPS与AFM对其结构性能进行表征,结果表明,膜厚度大约可控在3-5nm,膜表面颗粒大小约20nM,膜的组成主要为锐钛矿型TiO2和少量有机碳化物。在制备TiO2薄膜时,发现膜层随着镀膜次数变化显示不同的颜色差异,并有着良好的对应关系。以此现象入手研究不同颜色的TiO2薄膜在同一光催化条件下甲醛的降解分析,实验结果发现呈蓝色光的TiO2薄膜表现良好的光催化效果,其原因可能是蓝色光对光的吸收较好。
简介:通过浸渍法在中孔γ-Al2O3膜上制备出V-P-Co-Ce-O多组分金属氧化物催化膜,将之应用于非燃料电池型催化膜反应器并研究其可行性及正丁烷制顺丁烯二酐的反应特性。考察了反应温度、空速和吹好气流速对催化活性的影响,对膜反应器的稳定性也进行了简单的测试。实验证明,与固定床相比,膜反应器具有更高的反应转化率和选择性。
简介:O482.3196021361电化学引起Si:Er3+材料1.54μm发光增强=Theanodizationinduced1.54μmluminescentintensificationoftheSi:Er3+material[刊,中]/周咏东(中科院上海技物所),金亿鑫,李仪,蒋红,李菊生(中科院长春物理所)∥红外与毫米波学报。—1995,14(4)。—317—320利用77K红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Si:Er3+样品的光致发光影响。实验结果表明:电化学过程除在Si:Er3+样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外,还使Si:Er3+样品中Er3+的1.54μm光致发光效率明显提高,且Er3+发光峰增