简介：摘要在机械加工环节，误差的出现具有一定的普遍性，其是不可避免的。而在机械加工过程中，精度误差是允许存在的，在此过程中需保证精度误差把控在合理的范畴，如果精度误差偏大，则导致机械加工环节失效，而所加工的产品质量也是不符合标准的，若此类产品流入市场，则会为社会生产代理诸多的安全隐患。基于此，本文主要对机械加工误差产生原因及精度控制进行了简要的分析，希望可以为相关的工作人员提供一定的参考。

简介：炸药机械加工切削液的作用对象是炸药和金属机床、刀具，这就要求切削液要同时与这两种性质截然不同的材料相容。炸药机械加工切削液与机床和刀具的相容性主要指切削液的缓蚀性。增强切削液的碱性可以有效地避免金属表面生锈。然而作为金属防锈剂的碱性物质又能与许多炸药发生化学反应，引起炸药变色，影响与炸药的相容性。TNT与金属机械加工用切削液中的碱性物质接触很容易变红，使加工成型的TNT基炸药产品外观变差，并有可能带来炸药贮存过程中的相容性及老化问题。

简介：熟睡了无数日夜，在这个疯狂时刻封印开启无意间被精灵施了咒语，从大面降的华美衣裙，令俏皮的神经洗心革面，嘴角的笑容正在甜蜜的发酵，

简介：运用“混合比例”解题梁平县新盛镇中心小学：蒋莫云、李正兵在小学数学训练题库中，我们常遇到一类“混合问题”，例如，１、要把甲、乙两种不同价格的茶叶混合。甲种茶叶每千克１７．８元，乙种茶叶每千克１０．８元。要求混合后每千克价格为１３．８元，问甲、乙两种茶...

简介：求混合密度的题目常常让同学们一筹莫展，其实求混合密度可用通式：ρ＝m总/V总.解题中往往是先假设m总或是假设V总，再列关系式计算出总密度．请同学们从下面的三道中考题中领悟求解混合密度的秘诀．

简介：TQ171.68497010634超精密光学抛光研究的进展及其发展趋势=Developmentandfeatureofultraprecisionopticalpolishing[刊,中]/滕霖,任敬心(西北工业大学.陕西,西安(710072))∥航空精密制造技术.—1996,32(3).—5—9综述了对精密光学抛光影响精度和质量的因素,对重要因素目前的研究进展进行了分析;介绍了新型

简介：O72395021325磨抛工艺中HgCdTe晶片的表面损伤=SurfacedamageofHgCdTewafersinlappingandpolishing[刊,中]/姚英,蔡毅,欧明娣,梁宏林,朱惜辰(昆明物理所.云南,昆明(650223))//红外技术.—1994,16(5).—15—20用X射线反射形貌术研究了磨抛工艺在用Te溶剂法和布里奇曼法生长的碲镉汞晶片表面引入的

简介：

简介：高功率固体激光装置对KDP晶体光学元件的基本要求是大口径、高精度面形质量、高激光损伤阈值、良好的表面粗糙度。但是KDP晶体本身具有质软、易潮解、脆性高、对温度变化敏感、易开裂等一系列不利于光学加工的特点，传统的研磨抛光法不适于加工高精度的大口径KDP元件。国外加工此类元件已广泛采用先进的单点金刚石车削技术（简称SPDT）。采用SPDT技术加工KDP晶体元件，主要存在3个方面的加工误差，即晶体的面形误差、表面粗糙度（包括表面疵病）以及小尺度波纹等。

简介：讨论了混合序列部分和的强收敛性，所得结果推广和改进了文献[1]、[2]，并推广了Marcinkiewicz强大数律．

简介：讨论了不同分布φ混合序列的强大数律,推广了Kolmogorov强大数定律和Marcinkiewicz强大数定律.

简介：TN30597010636大规模集成电路刻蚀过程和终点的在线监测-等离子发射光谱法=Insitumonitoringetchprocessandend-pointforLSIbytheplasmaemis-

简介：TN30595021329相移掩模的计算机模拟方法研究[学,中]/沈锋;中科院光电技术研究所.—62页.—1994.6研究了亚微米微细光刻技术的一个热门领域—相移掩模提高分辨率.从Hopkins理论出发,导出了一般情况下的二维物体的部分相干成像的简化强度

简介：针对离轴TMA结构空间相机中使用的两块离轴非球面反射镜的加工过程,提出了一种新型的矩形轴非球面的最接近球面半径的求解及其优化方法,并且开发了基于计算机虚拟加工技术的CC()S工艺参数计算方法。被加工工件分别为165mm义100mm的矩形凸面

简介：本工作主要包括KDP晶体单点金刚石车削加工和是非球面透镜数控抛光技术。

简介：工件如图1所示，材料为1Crl8Ni9Ti，焊接结构件。加工的主要难点是工件内孔深且为盲孔，内孔底部为球面，几何精度要求高，薄壁，刚性差，容易引起变形。

简介：讨论了ρ^-混合序列的完全收敛性。推广了[5]的定理2．

简介：论述了离子束曝光技术的原理、特点,分析了其面临的关键技术问题,如掩模技术、离子源技术、图像对准技术等,并介绍了这些年来国外的一些研究机构及公司在离子束曝光技术上的研究进展及

简介：TN305.72002032298光学邻近校正改善亚微米光刻图形质量=Opticalproximitycorrectionforimprovingpatternqualityinsubmicronphotolithography[刊,中]/石瑞英(四川大学物理系.四川,成都(610064)),郭永康(中科院微电子中心.北京(100010))//半导体技术.-2001,26(3).-20-26论述了近年来光学邻近校正技术的进展,讨论了各种行之有效的改善光刻图形质量的校正方法,并分析了邻近效应校正在未来光刻技术中的地位和作用。图8表1参14(李瑞琴)TN305.72002032299光刻技术在微细加工中的应用=Applicationoflithographytechnologytomicroelectronicmanufacturing[刊,中]/刘建海(上海先进半导体制造有限

简介：小工具数控抛光技术已成为ICF大口径光学元件制造的主工艺技术，由于这种工艺技术使用了比被加工元件外形尺寸小得多的抛光磨头来进行加工，所以被加工表面将呈现出不同于传统方法加工表面的特征。与传统抛光技术相比，被加工表面的某些频率成分可能增加，可能会对光学系统带来不良的影响。