简介:分析了气体开关阴极表面初始电子的产生机制及其影响因素,给出开关电场是决定发射电流密度的关键因素。根据汤逊碰撞理论,讨论了开关电场、气压和温度对汤逊第一电离系数的影响。在温度和气压保持不变时,汤逊第一电离系数随开关电场的增大而增大。实验研究了开关输出脉冲前沿及其主要影响因素,研究结果表明,随着开关气压的增高,击穿电场增大,汤逊第一电离系数减小,输出脉冲前沿也减小;提高开关的击穿电场,是加速气体电离过程、陡化输出脉冲前沿的有效途径;在高电场条件下,碰撞电离已经不是气体电离的主要形式。
简介:在实验研究的基础上,对晶体管二次击穿现象的原因提出一种新的观点,并进而讨论避免二次击穿的思路。
简介:为了研究高功率微波源中强场击穿的"阴极"和"阳极"效应,基于无箔二极管,设计了相应的实验方案。实验中,在金属表面最大电场强度约为1.2MV·cm^-1、导引磁场约为2.5T的条件下,通过对上百次脉冲实验后,"阴极"和"阳极"表面形貌的对比分析,发现对于数十纳秒的短脉冲而言,场致爆炸电子发射不会引起明显的结构损伤,在强外加引导磁场约束下,强场致发射电子轰击金属结构表面的"阳极效应"是引起结构破坏的直接原因。
简介:SF6气体以其优异的电气和理化性能成为优良的绝缘和灭弧介质,在输变电领域中得到普遍应用的同时,也大量应用于其他高压电器中,加速器就是其中之一。工业用加速器大多运行在几百千伏到几兆伏的范围,电压等级相对于普通输变电设备要高,对于绝缘的要求也更严格。加速器设备运行时,不存在雷电冲击及操作过电压的问题,在设计中,主要考虑稳态电压下的气体绝缘特性。对不同气压SF6气体在端面不同曲率半径的环形电极下的直流击穿电压进行了实验研究。
简介:研制了一种带孔球头-平板电极结构的激光触发水介质开关,实验获取了4种间距下的自击穿电压与击穿延时曲线,并根据Martin公式对实验数据进行了分析。结果表明,固定结构下的水介质击穿存在击穿电压上限,该上限与间距近似成正比;在稍不均匀场条件下,Martin公式中的M值随间距变化而变化,不是一个常数,而M值与场增强因子之比较M值随间距的变化波动更小。
简介:为高功率脉冲功率装置设计了4MV同轴-三平板型水介质自击穿开关作为脉冲输出开关。脉冲输出开关指在脉冲功率装置中脉冲形成线输出端的开关,它是脉冲形成线和传输线的连接部件,对传输电脉冲进行二次压缩。脉冲输出开关常常是自击穿开关,由于其前面的主开关对Marx发生器输出电脉冲进行了初步压缩,脉冲输出开关的输入脉冲前沿上升较快,故脉冲输出开关常常是多通道开关。
简介:气压较高时,电极间隙击穿场强偏离巴申曲线。分析认为,间隙击穿前,金属微凸场致发射电流持续加热电流通道内的气体,导致气体温度上升和通道内气体分子数密度降低,由于电子平均自由程与气体分子数密度成反比,因此随着平均自由程的增大,电子更容易获得足以导致"雪崩"的能量,进而降低了对间隙电场强度的要求,即场致发射电流的加热效应在某种程度上抵消了增大气压对击穿场强的提升效果。推导给出了修正的气体间隙击穿场强表达式,场增强因子处于合理范围内,结论可解释实验现象。
简介:利用10MeV质子对130nm部分耗尽SOIMOS器件进行辐照,测试了在不同辐照吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件TDDB可靠性的影响.结果表明:质子辐照器件时,在Si-SiO2界面产生的界面陷阱电荷,增加了电子跃迁的势鱼高度,减少了电荷向栅极的注入,减小了器件的RILC,增加了器件的TDDB寿命.
简介:土壤中氮元素的快速检测在现代农业中有重要意义,传统方法前处理复杂不适合现场快速检测。激光诱导击穿光谱法已被证明可以用来对土壤中的元素进行检测,但对于土壤中的氮元素检测,如何规避大气环境中氮气的影响是不可回避的问题。提出了一种基于激光诱导击穿光谱法的空气中土壤全氮检测方法,通过对不同土壤标准样品的CN(388.3nm)分子特征谱线对比分析并建立了分析模型,结果显示,可以很好地规避大气中氮元素的影响,其检出限小于0.14%。对比于N(746.8nm)处的原子特征峰在空气中和氩气中的分析结果,其优势非常明显。
气体开关击穿机理的初步研究
功率晶体管二次击穿机理研究
高功率微波源中强场击穿机理探讨
SF6气体在环形电极下的击穿实验
微秒脉冲作用下毫米级水介质间隙击穿特性研究
4MV同轴-三平板型水介质自击穿开关设计
场致发射电流对高气压间隙击穿场强的影响
质子辐照对130nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响
激光诱导击穿光谱法在空气中定量测定土壤中氮元素方法的研究-基于CN分子谱线