简介：本文从分析双T网络虚地输出端着手，借助串／并联等效变换，给出双T网络的电压／电流相量图和阻抗图；引入对称化处理概念；界定了双T网络的实际输入阻抗；建立了完备的阻抗方程组，并做了按指定输入阻抗设计电路的示范。

简介：一本文提出了用ＥＰＬＤ芯片实现高分辨率的双边沿鉴频鉴相器，从而解决了锁相伺服系统的高精度问题。

简介：低压化学气相淀积(LPCVD)设备主要为微电子机械系统(MEMS)在硅基片上淀积Si3N4、Poly-Si(多晶硅)、SiO2薄膜。承担形成微传感器和微执行器的抗蚀层、结构层和牺牲层的加工任务。是MEMS技术中的主要生产工序之一，也可以用于集成电路钝化膜制备。

简介：本文设计一种断相保护电路。当电路工作正常时，发光二极管闪亮；电路缺相时，发光二极管不亮。同时，继电器触点断开，通过接触器切断电路使电机停止运行。

简介：纳米金刚石薄膜的沉积实验在自行研制的热丝化学气相沉积系统上完成。基体为金刚石微粉研磨和酸蚀后的硬质合金片，反应气体为CH4和H2混合气，V（CH4）：V（H2）=1％-4％，基体温度800-1000℃，沉积时气压为0．8～2．0kPa。SEM观察表明，影响金刚石膜的表面形貌及粗糙度的关键参量是基体温度、反应气压及含炭气体的浓度，这些参数都会影响到薄膜的纯度、结晶习性和晶面完整性。沉积纳米金刚石薄膜工艺是通过高密度形核以及抑制金刚石膜在沉积过程中的晶粒长大来实现的。

简介：考虑半参数回归模型Y(j)(xin,tin)=tinβ+g(xin)+e(j)(xin),1≤j≤m,1≤i≤n.利用最小二乘法和权函数估计方法,定义β,g的估计量βm,n和gm,n(x),在负相依样本及较弱的条件下证明了这些估计的强相合性,得到了与独立情形一致的结论.

简介：以ＴｉＣ１４为源物质采用常压化学气相沉积法制备了ＴｉＯ２薄膜。用紫外光谱测定了膜的透过率，进而计算出折光率、消光系数、光学带隙能等光学参数。结果发现，在不同气流量、沉积温度为１００～２５０℃的条件下制备的ＴｉＯ２膜，其折射率在２．１６～２．８２范围内，消光系数在０．０４×１０－３～６．７０×１０－３范围内，光学带隙能在２．８～３．０８ｅＶ范围内。在光催化作用下，ＴｉＯ２膜用于处理苯酚溶液，苯酚的转化率高达５４．０５％。关键词##4化学气相沉积（ＣＶＤ）;沉积率;折光率;消光系数;光催化更多还原