简介：采用液相外延工艺成功制备了Tb3+,YAGG单晶荧光层,研究了Tb,+激活YAG主晶格外延层中Ga3+掺杂的荧光敏化效应,可以看到在Tb"十荧光得到显著增强的同时,外延荧光层发光的饱和特性也有所改善。实验中观察到了Ga"十掺杂后基质晶体吸收边缘向长波方向展宽,并与Tb3+的’F。一,E、7E典型吸收峰发生交叠的现象,用

简介：O482.312002032290稀土铽配合物的升频转换荧光=Up-conversionfluorescencespectraofTb3+complexes[刊,中]/陈慰宗,杨一心,宋应谦,忽满得,高平安（西北大学物理系.陕西,西安（710068））//光子学报.-2001,30（8）.-970-972以波长为532nm的激光作为激发光,观测了铽（Tb）三种不同配合物的荧光光谱,讨论和分析了铽配合物的升频转换荧光的特性、发光机制及配体的影响。图

简介：O482.3199053412硅发光研究=Researchonsiliconluminescence[刊,中]/夏建白（中科院半导体所.北京（100083））//半导体学报.—1998,19（5）.—321—326介绍了目前已有的使硅发光的方法:掺深能级杂质,掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及Si/SiO2超晶格,讨论了两种可能的发光机制:量子限制效应和表面复合效应。最后介绍了两个硅发光器件,表明硅发光器件的前景是光明的。图9参15（方舟）O482.3199053413离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究=Photoluminescencestudyofluminescentcentersinerbium—implantedsilicon[刊,中]/雷红兵,杨沁清,王启明（中科院半导体所.北京（100083））,周必忠,肖方

简介：O482.3195021317P-GaP中离子注入缺陷的形成=Formationoftheion-implantationdefectinP—typeGaP[刊,中]/李宝军,张旭（甘肃教育学院物理系.甘肃,兰州（730000））//半导体光电.—1994,15（4）.—369—371研究了Zn+离子注入P—GaP半导体所引起的缺陷.在电流密度为0.03μA/Cm2下,将注入Zn+离子剂量为1×1014离子/厘米2的GaP样品腐蚀出蚀

简介：TB342002032291紫外光固化涂料的研究现状=ResearchstatusofUVcuringcoatings[刊,中]/白新德,查萍(清华大学材料科学与工程系.北京(100084)),尹应武(清华大学化学系.北京(100084))//清华大学学报.自然科学版.-2001,41(10).-30-32从紫外固化技术的原理出发,概述了国内外研究进展。介绍了光固化涂料的各个组成部分及其发展情况,分析其性能和结构的关系,提出了既要开展理论研究又要重视应用研究的新思路。在展望了紫外光固化涂料

简介：O482.3196021361电化学引起Si:Er3+材料1.54μm发光增强=Theanodizationinduced1.54μmluminescentintensificationoftheSi:Er3+material[刊,中]/周咏东（中科院上海技物所）,金亿鑫,李仪,蒋红,李菊生（中科院长春物理所）∥红外与毫米波学报。—1995,14（4）。—317—320利用77K红外光致发光实验研究了电化学过程对离子注入Si:Er3+样品的光致发光影响。实验结果表明:电化学过程除在Si:Er3+样品硅基质晶体中引入大量的深能级局域态外,还使Si:Er3+样品中Er3+的1.54μm光致发光效率明显提高,且Er3+发光峰增

简介：利用wittig反应和Wittig一Horner反应,合成了含有三苯胺单元的交替共聚物,它们具有良好的溶解性、成膜性和热稳定性,是一类具有较高效率的发绿光材料。通过在聚合物中引人药和联苯的结构以及在PPV单元上引人不同链长的侧基等,研究了聚合物的几何构型

简介：TB432002042855微腔对有机发光的影响的研究=Microcavityeffectsonorganicemissionlight[刊,中]/初国强,高劲松,朱万彬(中科院长春光机所.吉林,长春(130022))∥光学仪器.—2001,23(5/6).—202-205

简介：TB432003053760双通偏振干涉滤光片的研究=Researchofdouble-passpolarizationinterferencefilters[刊,中]/贺银波(浙江大学光电系,现代光学仪器国家重点实验室.浙江,杭州(310027)),熊静懿…//光学学报-2003,23(1).-89-94研究了等厚度双能偏振干涉滤光片,在此基础上提出了新型双通偏振干涉滤光片,并分析了单通、双通以及新型双通偏振干涉滤光片的光谱特性。结果表明,新型双通偏振干涉滤光片不仅具有更好的光谱特性,而且能

简介：TN2596042530光纤表面电晕等离子体漂移区电导率研究=Researchonconductivityofcoronaplasmadriftingareaonopticalfibersurface[会,中]/赵庆勋,崔志云,董丽芳,张开锡(河北大学物理系.河北,保定(071001)),张平(中科院物理系.北京(100080))∥第八届全国集成光学、第五届全国纤维光学、第三届全国孤子通信与非线性导波、全国光纤传感学术交流会.—江苏,连云港,95.9

简介：TB38120050323593mm涂层隐身材料的天线温度模型=Antennatempera-turemodelof3mmcoatingstealthmaterial[刊,中]／缪晨(南京理工大学毫米波、光波近感技术所．江苏,南京(210094)),娄国伟…∥红外与毫米波学报．-2004,23(3)．-221-224根据电磁场理论导出了3mm涂层隐身材料的辐射率,在此基础上建立了涂层隐身材料的辐射计天线温度模

简介：TN252002042759光纤智能结构自诊断、自修复的研究=Researchonself-diagnosisandself-repairingusinghollow-centeropticalfibersinsmartstructure[刊,中]/杨红,梁大开,陶宝祺,邱浩,曹振新(南京航空航天大学测

简介：美国莱斯大学研发的一个原子级薄的材料,这或可能导致研发目前最薄的成像平台。基于金属硫族化合物的合成二维材料可能是超薄设备的基础,莱斯大学的研究人员这样表示。其中一个这样的材料二硫化钼,因其检测光的特性而被广泛研究,但是铜铟硒化物（CIS）也表现出同样非凡的潜力。莱斯大学材料学科学家普利克尔·阿加延（PulickelAjayan）实验室的研究生雷思东（SidongLei）合成了CIS,一种单层铜、铟和硒原子矩阵。

简介：TN2522002010395紫外写入SiO2平面光波导制作新方法研究（三）:光波导制作=Fabricationofplanarsilicawaveguidesbydi-rectUVwriting[刊,中]/葛璜,安贵仁,周凯明（中科院半导体所.北京（100083））,孙明武（中国建材科学研究院玻璃所.北京（100024））∥光子学报.—2000,29（Z1）.—399-403

简介：TN2522000031830用于自相位调制器的KTP离子交换光波导=Selfphasemodulationofion-exchangedwaveguidesinKTiOPO4[会,中]/李玉善,马少杰（中科院长春物理所激发态物理开放实验室.吉林,长春（130021））,多田邦雄（日本东京大学工学部电子工学科.日本）//全国第九次光纤通信暨第十届集成光学学术会议.—秦皇岛,99.08在周期结构非线性光波导的准相位匹配倍频激光及级联二阶非线性光-光超快调制/开关器的研究中采用了Rb/Ba离子交换KTiOPO4（KTP）光波导。利用了

简介：

简介：1呋咱类化合物的合成含呋咱（氧化呋咱）环的含能化合物具有许多优异的炸药性能：标准生成焓高，富含氮氧，能量密度高，分子稳定性好，熔点较低。3,4-二（硝基呋咱基）氧化呋咱（DNTF）威力大，能量高，接近CL-20，安全性能较HMX和CL-20好，在熔铸炸药、推进剂及柔性导爆索等领域有着广阔的应用前景。DNTF属第四代高能炸药。

简介：掺杂KNSBN晶体各向异性自衍射的耦合波分析=Coupledwaveanalysisofanisotropicself-diffractionindopedKNSBNcrystals[刊,中]/姜永远,周忠祥,李焱,孙秀冬(哈尔滨工业大学应用物理系.黑龙江,哈尔滨(150001))//光学学报.—2001,21(8).—909-912在晶体光轴垂直于入射面的各向异性实验组态下,对掺杂KNSBN晶体的各向异性自衍射过程进行了理论

简介：04372003010357一阶准相位匹配周期性极化铌酸锂倍频产生的18mW绿光连续输出=18mWCWgreenlightgenerationbyfirst-orderquasi-phase-matchedfrequencydoublinginbulkperiodicallypoledLiNbO3[刊,中]/陈玉萍（上海交通大学应用物理系光学与光子学研究所.上海（200030））,陈险峰…//光学学报.-2002,22（4）.-399-401通过高压脉冲电场极化,制备了周期为6.5μm、长为12mm、宽为10mm、厚为0.5mm的一阶准相位匹配周期

简介：1核材料1.1铀表面改性的抗腐蚀性能研究金属铀因其独特的核性能而具有广泛的用途，但由于其高化学活性而极易在许多环境介质中遭受腐蚀。因此，发展铀表面改性技术，研究镀层对铀抗腐蚀特性的影响备受关注。开展了铀表面脉冲电镀镍技术，磁近代溅射镀铝膜及铝／钛双重复合膜技术和铀表面激光快速熔凝技术研究，分析了镀层的组织结构，测试了镀层的腐蚀特性。研究发现脉冲电镀镍层在铀表面上连续、致密、覆盖完整、界面清晰，具有较好的保护性能铀、铝镀层、铝／钛复合镀层在50μg／g的Cl^-溶液中的腐蚀电位，铀表面铝镀层的腐蚀电位较铀的腐蚀电位低，可以提供牺牲性保护，但铝镀层表面存在微孔隙，会产生点蚀；钛镀层的腐蚀电位较铀高，表面仍然具有微孔隙，会产生点蚀；经过激光快速熔凝处理，铀的抗氧化能力明显增强。这些研究结果为优化铀表面防腐蚀镀层体系提供了技术基础。