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等效中子注量在线测量系统的研制工艺

作者：荣茹;邹德慧;鲁艺;邱东;范晓强
学科：理学 > 物理
创建时间：2016-04-14
出处：《现代应用物理》 2016年第4期

简介：分析了等效中子注量在线测量系统研制的要素，确定了探测器制作、连接、退火、数据采集等关键工艺，研制了等效中子注量在线测量系统，实现了探测器的小型化以及多路测量。经实验验证，该系统的中子注量测量结果与用活化箔法测量的结果吻合。
标签：等效中子注量探测器双极晶体管

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正交设计与响应面优化玄参黄酮提取工艺研究

简介：以玄参总黄酮提取率为考察指标,在单因素实验分析的基础上,采用正交设计和响应面法对比研究不同溶剂与溶剂体积分数、微波功率、提取时间及液固比等因素对玄参总黄酮提取的影响.2种实验优化方法所得玄参总黄酮的最佳提取工艺条件：固定微波功率值为500W;乙醇体积分数为60%或60.37%;提取时间为10或11.17min;液固比30∶1或31.39∶1mL/g,验证实验总黄酮提取率为1.107%~1.192%.2种优化方法所得结论基本一致,正交设计实验次数少,响应面法更精确,预测能力更强,适用范围更广.
标签：玄参总黄酮微波提取正交设计响应面法比较研究

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台面型InP/InGaAs雪崩光电二极管刻蚀工艺研究

简介：对比了ICP刻蚀和湿法腐蚀制备台面型InP/InGaAs雪崩光电二极管(APD)时侧壁、表面形貌的不同,以及对暗电流和击穿电压的影响。在Cl2/Ar2/CH4条件下感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP会出现表面粗糙,对其原因进行了探究。并主要对ICP的刻蚀时间和刻蚀功率进行了优化,提高刻蚀表面的温度,保证了刻蚀的稳定性并改善了InP刻蚀表面的形貌,确定了稳定制备APD器件的刻蚀条件,最终制备出性能优良的台面型APD器件。
标签：雪崩光电二极管(APD) INP/INGAAS ICP 台面型暗电流

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