简介：

简介：通过在北京高能所3W1束线上进行的X光深层光刻工艺研究，获得了侧壁光滑、陡直、厚度达100μm，深宽楷比达20的光刻胶和金属微结构，表明该光束线适用于LIGA技术的研究。

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简介：初步测量了弯曲导管束对“水窗”波段及其附近X光的响应，结果表明X光在“水窗”段的响应，比其之外的响应要高。

简介：本文介绍用BEPC的同步光做激发源，对所研制的平面晶体位置灵敏谱仪性能进行研究的结果。用LiF(200）晶体，测得TiKα的能量分辨率达14．2eV，好于质子激发的结果（15eV），能清楚地分开不锈钢中CrKβ与MnKα两峰，和可探测一气溶胶样品中Ti的绝对量达10^-9-10^-10g水平。这些数据将为位置灵敏谱仪用同步光开展应用提供重要依据。

简介：在采用铍材作为慢化剂或反射层的热中子反应堆中,由于^235U裂变产物放出的高能Y光子会与^9Be发生（γ,n）反应,产生光激发缓发中子,即铍光中子,会对反应堆的动态特性产生影响.本文选取经典的铍光中子分组参数,采用系统程序relap5,研究了铍光中子对研究堆瞬态特性的影响.研究表明,铍光中子的存在导致反应堆剩余裂变功率增多和持续时间增加,从而提高了余热水平;铍光中子的存在使得瞬态中核功率变化滞后,对反应堆安全有一定的影响.

简介：X射线干涉测量技术是以非常稳定的亚纳米量级的硅单晶的晶格作为基本长度单位，以建立纳米级长度基准，从而实现纳米级精度的测量、校验等功能。由于其在纳米测量范围内的特殊优越性，因而近年来该技术得到了迅速发展。该技术的前提是X射线干涉技术的实现。根据X射线干涉的特点，并考虑到X射线的吸收特性，用单晶硅制出了LLL型X射线干涉器件。在北京同步辐射实验室（BSRL）4W1A束线上选择17．5Kev能量的同步辐射光进行了X射线干涉实验，在拍摄的底片上比较清楚地观察到了X射线干涉条纹。

简介：利用同步X光透射形貌技术，研究了液封直拉（LEC）、水平布里支曼（HB）、垂直梯度凝固（VGF）三种生长技术制备的Φ2"晶片的位错缺陷。发现LEC晶体中缺陷明显高于HB、VGF晶体，VGF缺陷缺陷最低，HB晶体居于两者之间。结合生长界面温度梯度和杂质掺入水平，讨论了位错分布差异的原因。

简介：（CO＋Cs)/Ru(101^-0)共吸附的体系中，CO分子由于受Cs原子强烈影响，分子轨道发生重新杂化组合。CO分子原来在清洁Ru(101^-0)表面上结合能位于7.5eV处相重叠的5σ和1π轨道对应谱峰分裂为两峰，结合能分别位于6.3和7.8eV处，其中6.3eV处的谱峰来自CO分子1π轨道的一支，它显示出该分子轨道沿衬底＜0001＞晶向的镜面反对称性。CO分子1π轨道的另一支和5σ轨道在结合能7.8eV处相重叠。

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简介：发电机密封性试验是氢冷式发电机组启机前的一项重要工作。文章以秦山第二核电厂1#、2#机组为例，根据该厂发电机运行现状，结合发电机内部结构，详细分析拖延发电机密封性试验时间的原因，并提出对应解决方案。

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简介：本文简要介绍了上海站现场监督员在对秦山第二核电厂进行日常监督中，为了加强对应急柴油发电机组监督，进行系统专项检查的实践情况。

简介：1.8概率论安全评价方法及今后对安全评价的展望(1)概率论安全评价方法的用途及研究课题目前的安全评价做法是:假设某一设计基准事件(DBE),如果发生了该事件,评价核电站的行为,然后跟判断准则相比较,以判断该核电站是否符合要求,是否安全。这种评价方法是以确定论的方式假定具有安全功能机器设备起作用或不起作用来评价核电站的安全性,对于不起作用的机器设备,依据这些系统及机器设备的不同功能,假设一“单一故障”,不再假设其它的因素。

简介：利用北京同步辐射小角X光散射实验站，我们对超临界流体的抗溶剂过程中，高分子的构象变化进行了初步的研究。实验表明，在不断加入抗溶剂的过程中，高分子链发生了从伸展的无规线团到球形的转变。

简介：本文着重阐述了安全管理的组织结构、思想、制度、措施、知识和方式方法，介绍了安全管理的不断完善、巩固、发展和自然安全屏障在创新中得到了巩固的情况。

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简介：GB/T19001-20007.5.2条款明确规定"当生产和服务提供过程的输出不能由后续的监视或测量加以验证时,组织应对任何这样的过程实施确认。这包括仅在产品使用或服务已交付之后问题才显现的过程。"根据标准的要求,中国辐射防护研究院在质量管理体系的运行中针对不同的产品生产过程进行了分析,从而确认特殊过程并对其进行控制。本文针对辐照加工中的特殊过程予以论述,以探讨有效的特殊过程控制方法。

简介：通过水热法合成了骨架含铁的杂原子丝光沸石，采用XRD，FT－IR及TPR等表征技术确认铁进入了分子筛骨架。利用XAFS技术对分子筛中铁的精细结构和配位环境进行了表征和计算，近边吸收的Fe-K边前跃迁证实铁在分子筛骨架中位于四面体配位环境中，与邻近原子存在共价键作用；铁－氧配位键长为0.188-0.189nm.