简介:本文通过研究AP1000基于数字技术的△T超温/超功率保护功能的实现方式,分析了该实现方式相对于其他△T超温/超功率保护功能的实现方式的主要改进,说明了这种保护功能具有简单、有效和能够扩大运行范围的优点,指出了需进一步研究的内容.
简介:本文采用多功能四圆X射线衍射仪测绘出立方相GaN/GaAs(001)外延层的极图和倒易空间mapping,研究了六角相GaN和立方相微孪晶的取向、晶粒形状和极性等特征。结果表明外延层中片状六角相与立方相之间的取向关系为:(111)//(0001)、<112>//<1010>。由于(111)Ga面的外延速度远高于{111}N面,导致较多六角相和立方相微孪晶在[110]或[110]方向上的(111)Ga面和(111)Ga面上形成,而在[110]或[110]方向上六角相和立方相微孪晶含量较低。外延层中立方相微孪晶的含量明显低于六角相,表明六角相的形成可以更有效的释放局部应力集中。
简介:通过同步辐射扩展X射线吸收精细结构(SREXAFS)研究As超富集植物大叶井口边草(PteriscreticaL.)中As的化学形态及其在植物体中的转化。结果表明,在大叶井口边草中As主要与0配位,根部存在与GSH结合的As,但是在叶片中没有发现与GSH结合的As。在As(1lI)和As(V)处理中,植物根系的As分别以As(III)和As(V)为主,但是在叶柄和叶片中As都以As(III)的形态为主。植物根系吸收的As(v)在向上转运的过程中具有向As(III)转化的趋势,其转化过程主要发生在根部。实验证明,As-GSH并不是大叶井口边草中砷解毒的主要机理,超富集植物可能具有与一般耐性植物不同的重金属解毒机制。