简介：为了确定短寿命放射性医疗废物能否清洁解控及短期的衰变贮存是否有效,本研究使用γ谱仪分析已放置了10个半衰期以上的低水平含~（99）Tc~m的放射性废物中残留的放射性核素,通过核素的全能峰定性,通过感兴趣区的净峰面积定量。经过了衰变贮存,虽然所有核素的活度浓度均低于相应的清洁解控水平,但在~（99）Tc~m废物中检出了长寿命核素~（137）Cs、~（155）Eu、~（23）Te~m、~（154）Eu,其中~（137）Cs、~（155）Eu分析为~（99）Tc~M的母体~（99）Mo生产过程中产生的杂质核素进入~（99）Tc~m所致,~（123）Te~m、~（154）Eu可能为~（99）Mo靶中杂质核素衰变而成。半衰期最长的长寿命核素~（157）Cs的半衰期为30a,短期的衰变贮存并不能使这些长寿命核素活度显著减少,可见控制放射性药物的核纯度具有重要意义,可防止后期产生的医疗废物处置复杂化。

简介：考察了锆助剂含量对钴基催化剂的结构及费－托合成反应性能的影响。结果表明，随着锆含量的增加，甲烷的生成受到抑制，重质烃选择性提高，重质烃合成的操作温度区间加宽，且催化剂仍保持较高的活性。TPR，H2－TPD，XRD及EXAFS等表征结果表明，锆助剂单层分散与硅胶表面，而钴以一定尺寸的聚集态存在；随着锆含量的增加，锆覆盖的硅胶表面增加，裸露的硅胶表面减小，而钴的分散度几乎不变。这使得钴锆界面增大，钴硅界面减小，有利于重质烃的生成。另外，H2－TPD结果还表明，催化剂存在有从钴到锆硅载体的氢溢流。

简介：

简介：利用同步辐射（BSRF）漫散射站四圆衍射仪，对SiC体单晶的结构进行了判定以及对利用常压化学气相沉积（APCVD）生长的3C－SiC/Si(001）中的孪晶及含量进行了分析。六方{10-15}极图证明了该SiC单晶为6H（H为Hexagonal的缩写）结构。对3C－SiC外延薄膜，Φ扫描证明了3C－SiC外延生长于Si衬底上，外延取向关系为：（001）3C－SiC//(001)Si,[111]3C-SiC//[111]Si。3C－SiC的{111}极图在x=15.8°出现了新的衍射，采用六方{10-10}极图以及基体倒格点111、孪晶倒格点002的Mapping分析了x=15.8°处产生的衍射为3C－SiC孪晶所致，并利用ω扫描估算了孪晶的含量约为1％。

简介：采用溶胶－凝胶法，制备了不同钴含量的钴钼超细粒子氧化物，将其与K2CO3干混后进行硫化。使用X－射线衍射（XRI）和扩展X光吸收精细结构（EXAFS）对样品进行结构表征。同时测试硫化态样品的CO加氢合成低碳混合醇性能。结构表征结果表明，不含钴的氧化态样品，主要以颗粒度较大的MoO2物种存在；添加钴后，样品粒子的颗粒度大幅度降低，钴钼组分主要以CoMoO3物种的形式存在，当钴含量增加时，CoMoO3的晶形趋于改善。硫化态样品中钼以类似于MoS2物种的形式存在，但粒子尺寸较小。同时，体系中还存在Co-Mo-S和Co9S8物种。XRD和EXAFS结果表明，适量钴的添加，有利于样品的硫化。活性测试表明，钴的加入，明显促进的含量也最高。结合结构表征结果，认为钴是以协同作用的方式参与反应。