简介:总公司科技局:国家技术监督局已于1993年11月发布了新国家标准GB/T1.1—1993《标准化工作导则第1单元:标准的起草与表述规则第1部分标准编写的基本规定》,并已于1995年1月1日起实施,同时代替原国家标准GB1.1—87《标准化工作导则标准编写的基本规定》。该标准是重要的基础标准,它适用于我国各级标准的编写。它的颁布是发展我国社会主义市场经济的需要,是我国标准化工作与国际市场接轨的需要。为贯彻执行好该项新国家标准,国家技术监督局先后发出了技监标函(1994)018号,(1994)061号文。为使我总公司标准化工作适应市场经济发展的需要,并在更大程度上与国际接轨,同时使各级标准编写格式统一。从明年起,凡我总公司内编写的各级标准,均应按GB/T1.1—1993规定执行。为避免过渡期中出现混乱,现对有关问题提出如下意见:
简介:研究KTiOAsO4晶体的生长缺陷,对于改善它的性能和应用前景,有很大的意义。本文利用化学腐蚀光学显微术和同步辐射X射线形貌术研究了KTiOAsO4晶体的缺陷,实验结果表明,两种腐蚀剂对于显示KTA晶体的表面缺陷效果显著,KTA晶体中主要的缺陷有铁电畴、生长层、扇形界、位错和包裹物。讨论了这些缺陷形成的原因。
简介:LiNdP4O12(LNP)晶体是一种新型的激光材料。本文报道了用同步辐射X射线白光形貌术和光学显微法研究由助熔剂籽晶旋转法生长的LNP晶体的生长缺陷,观察到了圆形生长台阶及精细的系列台阶结构,对晶体中的包裹物和位错缺陷等进行了详细的观察描述,还发现了一种比较奇特的腐蚀沟槽,分析了这种腐蚀沟槽的形成机理及各种缺陷的成因和克服办法。
简介:报道了用同步辐射X射线白光形貌术和光学显微法研究由助熔剂籽晶旋转法生长的LNP晶体的生长缺陷。本文除对晶体中的包裹物和位错缺陷等进行了详细观察描述外,还发现了一种比较奇特的腐蚀沟槽。最后分析了这些缺陷的成因和克服办法。
简介:BasedonthesinglebiasingelectrodeexperimentstooptimizetheconfinementofplasmainthedeviceofKT-5Ctokamak,dual-biasingelectrodeswereinsertedintotheKT5Cplasmaforthefirsttimetoexploretheenhancingeffectsofbiasingandthemechanismsofthebiasing.Bymeansofapplyingdifferentcombinationsofbiasingvoltagesontothedualelectrodes,thechangesofE_r,whicharethekeyfactorforboostinguptheE_r×Bflowshear,wereobserved.Thetimeevolutionshowedthattheinnerelectrodeplayedamajorroleindual-biasing,whichdrewlargercurrentthantheouterone.Theouterelectrodeproducedlittleinfluence.Itturnedoutthatthedual-biasingelectrodeswereaseffectiveasasingleoneinimprovingtheplasmaconfinement,forthemechanismofbiasingwasessentiallyanedgeeffect.