简介:摘要半导体器件在测试结壳热阻之前都要先确定其K系数,一般选择器件内部二极管的正向压降作为温度敏感参数(TSP)。现行有效的测试标准中,只是规定正向压降测试电流IM必须足够大,以保证PN结导通,但不能大到足以引起明显自热,这对实际的操作选择很困难。本文通过MOSFET和肖特基二极管作为研究对象,在不同的IM下测试K曲线进行分析,得出便于操作的方法。
简介:对于两个相依线性回归方程组成的系统(1.1),本文提出了β1的待定系数估计β^*1(k,c)=(x′1x1+k1)^-1(x′1y1-cσ12/σ22x′1N2y2),其中岭参数k≥0.c是待定系数.与β^*1(k,c)对应的非限定两步估计记为β^41(T,k,c).当c=1时β^*1(k,1)=β1(k)和β^*1(T,k,1)=β1(T,k)等干[6]引入的一双有偏估计,结果表明总可以选取适当的c值和k值使β^*1(k,c)和β^*1(T,k,c)在均方误差阵准则下分别优于β1和β1(T),并讨论了c值的最佳选择问题.