简介:现在多晶硅晶锭生长工艺的主要特点是:长晶方向为由下往上,这就使得分凝系数大于1的极少部分金属原子及氧原子集中分布在晶锭底部,大部分分凝系数小于1的金属原子及大部分非金属原子分布在铸锭的顶部,这使得少子寿命呈现低部和顶部低、中间高的分布趋势;同时,由于坩埚及SiN粉末中金属杂质的扩散,多晶硅晶锭四周晶棒靠坩埚面少子寿命偏低。目前国内外关于电池片的少子寿命与电池质量关系的研究报道很多,但是尚没有把多晶硅晶锭生长、晶锭不同位置对应硅片少子寿命,以及晶锭不同位置对应电池片质量相关联起来的研究报告。本文通过精细的试验安排、测试分析及总结,把多晶硅晶锭生长、晶锭不同位置对应硅片少子寿命及其对应电池片质量相互关联起来,同时找到了电池端电池片质量差异较大的最根本原因,并且通过试验从根本上给出了提高电池端电池片质量稳定性的方向,提高多晶收率的同时提高了电池片平均效益0.2%。
简介:摘要随着现代电子信息技术的发展,手机薄膜晶体管液晶显示器屏向大尺寸、轻薄化、高分辨率方向发展。TFT-LCD是由很多像素组成,结构复杂、制造工序繁多,如果其中有一些像素不能正常工作,就会造成局部的显示不良,如出现亮点、暗点、亮线、暗线等缺陷,这些缺陷在生产过程中不可避免,但易于观察和检测。点缺陷产生的主要原因是单体TFT薄膜晶体管的失效,线缺陷则由多个驱动电路与屏幕连接不良引起的。本文主要通过研究TFT-LCD的显示原理,亮点缺陷在LTPS低温多晶硅Array制程中的分析和改善修复,来提升生产的良率,对于提高TFT-LCD手机屏的质量具有重要意义。
简介:Usinganewlow-temperatureprocess(<600℃),thepoly-SiTFTwasfabricatedbymetal-inducedlateralcrystallization(MILC).Anultrathinaluminumlayerwasdepositedona-Sifilmandselectivelyformedbyphotolithography.Thefilmswerethenannealedat560℃toobtainlaterallycrystallizedpoly-Sifilm,whichisusedasthechannelareaofaTFT.Thepoly-SiTFTshowedanon/offcurrentratioofhigherthan1×106atadrainvoltageof5V.TheelectricalpropertiesaremuchbetterthanTFTfabricatedbyconventionalcrystallizationat600℃.