简介：电力电子器件是电力电子技术的重要基础。由于传统的硅电力电子器件的性能已经逼近其材料极限，很难再大幅提升硅基电力电子装置的性能。以碳化硅和氮化镓为代表的宽禁带半导体器件比硅器件具有更优的器件性能，成为电力电子器件新的研究发展方向。本文对碳化硅和氮化镓电力电子器件的商业化产品水平和实验室研究现状进行了综述和探讨，并对宽禁带半导体器件在未来功率器件市场中的应用前景进行了预测及展望。

简介：摘要：随着高能物理在各个行业中的应用，还有不同射线在我们日常生产生活中的应用，关于高能、高温环境下保证辐射探测器稳定运行的性能也提出了更高的要求。宽禁带半导体材料是第三代半导体材料，具有极高的抗辐射性、热稳定性的特点，相对来说，SiC的材料的发展较为成熟，也是不同宽禁带半导体探测器的最佳选择。本文针对宽禁带半导体材料为基础的辐射探测器进行研究，并且在不同能量和辐射粒子入射的条件下对探测效率、能量沉积等进行计算和分析，为宽禁带半导体材料的应用奠定良好的基础。

简介：应用验证是新型元器件走向实际工程应用必不可少的关键环节。从实际工程应用角度出发，给出了宽禁带半导体（SiC／GaN等）微波功率器件环境适应性验证过程中的验证分级（解决及时发现问题与验证周期、费用矛盾）、验证载体与工程应用统一性设计（器件研制源于工程、用于工程）、验证数据的可对比性设计（验证环节可追溯）方法及相关分析（指导工程设计），为宽禁带半导体微波功率器件的工程化研制提供数据支撑。文中的试验数据和设计思想可作为其他相关工程设计参考。

简介：摘要：本文深入探讨了宽禁带半导体在光伏逆变器中的应用及其效率优化策略。文章概述了宽禁带半导体材料的独特特性，包括高电子迁移率、低本征载流子浓度、高热导率及耐辐射性等，这些特性为其在光伏逆变器中的应用提供了理论基础。随后详细分析了宽禁带半导体器件在光伏逆变器中的关键技术，如高效功率开关器件的应用以及这些技术如何促进逆变器效率的提升。接着聚焦于光伏逆变器效率优化的理论与方法，揭示了逆变器效率损失的主要来源，包括导电损耗、开关损耗及环境因素影响等。文章还介绍了优化策略与算法设计，包括电路拓扑优化、控制策略创新及智能优化算法应用等，这些策略与算法共同作用于逆变器系统，实现了效率的最大化。

简介：摘要：随着科技发展，芯片需求激增，但国内半导体供应不足，依赖进口，自研率低，凸显芯片国产化重要性。GaN材料因优越性能成半导体竞争焦点。本文研究二维GaN及掺杂Al、In后的光电性质，发现掺杂Al可增大GaN光学禁带宽度，且随Al浓度增加，禁带宽度向高能量区移动，每增25%浓度，峰值增约0.5eV。

简介：摘要：宽禁带半导体材料，例如碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，因其出色的物理与化学特性，在电力电子领域展现出了巨大的潜力。以上半导体材料具备高电压、大电流承载能力和良好的热稳定性，这使得它们成为电力电子器件中极具吸引力的选择。本研究旨在探讨宽禁带半导体材料在电力电子器件中的实际应用、宽禁带半导体材料的优势以及未来的可能性。通过具体的内容，可充分展示宽禁带半导体材料如何有效地提高能源转换效率、减少能量损耗，并且增强电子器件的整体可靠性。

简介：6月23日，英诺赛科宽禁带半导体项目在苏州市吴江区举行开工仪式。据悉，该项目总投资60亿，占地368亩，建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台，填补我国高端半导体器件的产业空白。

简介：摘要：针对于半导体来讲，其只有七十多年的历史，但对社会发展的影响极大，半导体技术发展与其材料的物理性质有较大关联。半导体材料可以应用到诸多领域，如晶体管、集成电路、电力电子器件及光电子器件等等，是国家科技发展的关键标志。基于此，本文主要分析超宽晋禁带二维半导体材料与器件，希望可以为相关人士提供参考和借鉴。

简介：据报道，近期，同济大学物理科学与工程学院唐慧丽副教授、徐军教授团队采用自主知识产权的导模法技术成功制备出2英寸高质量氧化镓（β-Ga2O3）单晶。获得的高质量β-Ga2O3单晶，X射线双晶摇摆曲线半高宽27”，位错密度3．2×10^4／m^2，表面粗糙度〈5A，该项研究成果将有力推动我国氧化镓基电力电子器件和探测器件的发展。

简介：得可加强精益团队建设让客户期待更多(中国上海,2010年7月22日)得可日前宣布,委任精益六西格玛黑带师宗亮小姐为业务改善工程师。这位新成员将加入得可质量部,主要负责精益业务改善计划,以此提高全公司的效益,除此之外,她还将扩展中国和英国的质量管理系统,让这些地区的客户能"期待更多"。

简介：“一带一路”是中国提出的重要的国际合作倡议,顺应和平、发展、合作、共赢的时代潮流,得到国际社会的广泛关注和众多国家的积极响应。作为国民经济和社会发展的战略性、基础性和先导性产业,半导体产业的全球化发展继续呈现增长势头。随着综合国力的增强和半导体产业的快速发展,我国开始了新一轮的半导体发展热潮,但产能不足及劳动力优势的减弱,促使中国半导体企业谋求走出去发展战略。“一带一路”毗邻国家有较大的市场需求前景及人口红利优势,国家对于“一带一路”项目的资金援助,也为中国半导体企业走出去提供了机遇和可能。分析了“一带一路”国家的半导体产业现状,中国半导体企业参与其市场的机会、优势、注意事项,并祝愿更多的中资企业从容应对各种挑战,成就中国集成电路企业的国际化梦想。

简介：飞兆半导体推出全新1200VFIELDSTOPTRENCHIGBT系列器件；MIPS科技推出嵌入式市场的多线程、多处理器IP核；NEC电子新款数字电视用系统芯片亮相中国市场。

简介：安森美半导体和Catalyst半导体宣布，已签订安森美半导体收购Catalyst半导体的正式合并协议，交易将全部以股票支付，Catalyst股东每持有1股普通股将获得0．706股安森美半导体普通股。此项交易的股票价值约为1．15亿美元，企业价值约为0．85亿美元。

简介：

简介：<正>目前,全球半导体需求以前所未有的趋势节节高涨,预计全球半导体厂商今年内将投资180亿美元用于建立新厂及扩厂。但据业界人士估计,半导体厂商若要充分供应日益紧张的需求,还须在未来五至六年内投资1500亿美元,成本过高,致使许多小厂商无力投资,因此,半导体供应吃紧的状况将持续到本世纪结束。而这场世纪科技大战的主要竞争者将只剩下摩托罗拉、英特尔及韩国、日本、台湾等国和地区的超级半导体厂商。半导体业的竞争局面从未像今天这样明朗:有钱投资,才能竞争优势。

简介：经过6年时间，4个发行版，苹果终于完成了向64位的迁移，并随着SnowLeopard的发布推出了解决并行编程问题的GrandCentralDispatch（简称GCD）技术，释放了多核系统的潜力。

简介：功率半导体器件（亦称电力电子器件）、半导体集成电路和光电器件是当前我国七个战略性新兴产业之一的＂新一代信息产业＂的基础和关键技术。同时,功率半导体器件还破认定为融合工业化和信息化的最佳产品。小久前出版的《功率半导体器件基础》一书,对功率半导体领域相关专业的本科生、研究生作为入门教材或专业研究人员、工程师作为案头参考资料,

简介：摘要半导体设备在半导体集成电路行业应用广泛，在应用过程中半导体设备容易出现各种故障，应采用科学合理的维修措施，使半导体设备处于良好的运行状态。本文分析了半导体设备维修基本要求和基本方法，阐述了半导体设备的维修策略，以供参考。

简介：摘要：半导体设备广泛应用于半导体集成电路行业。在应用过程中，半导体设备会出现各种故障，应采取科学合理的维护措施，使半导体设备保持良好的工作状态。本文分析了半导体设备维护的基本要求和基本方法，概述了半导体设备维护策略，以供参考。

简介：为实现“十一五”期间重庆市IT产业突破性的跨越式发展，加强半导体行业企业间的协作与沟通，促进重庆与其他省市、乃至世界各地在半导体产业方面的交流与合作，推进重庆市半导体产业的全面、快速发展，日前，由重庆市信息产业局牵头，多方共同努力筹建的重庆市半导体行业协正式成立。