简介:摘要:本研究旨在探索一种用于制备电子级氟化锂的电子级碳酸锂制备方法。我们通过对碳酸锂原料的精细加工和纯化过程进行了一系列优化,以获得高纯度的电子级碳酸锂。随后,我们将所得的电子级碳酸锂与氢氟酸反应,并通过后续的热处理步骤来制备电子级氟化锂。实验结果表明,经过我们优化的制备方法得到的电子级氟化锂具有优良的纯度和晶体结构,满足了电子工业对高纯度氟化锂的要求。该方法具有简单、高效和可扩展性的特点,可为电子级氟化锂的制备提供一种可行的途径。
简介:摘要:随着经济的快速发展,电子级氢氟酸是无机酸的一种,具有弱酸性,常温下为无色透明液体,易挥发,有强烈的刺激性气味。其腐蚀性较强,可以与金属盐的氧化物和氢氧化物发生化学反应生成氟化盐,从而造成对金属盐的腐蚀作用。其中最典型的反应是与硅酸盐反应生成气态的四氟化硅,这也是其在电子制造行业得到应用的主要原因,因此,高纯氢氟酸在集成电路制造、太阳能电池板以及LED面板的生产等方面得到了广泛的应用。集成电路的可靠性、制备的成品率、电性能很大程度上都依赖于电子级氟酸的纯度和洁净度。除此之外,氢氟酸还可以用于制备含氟化学品和分析试剂。
简介:摘 要 : 电子级多晶硅金属杂质含量是评价其产品质量的重要指标之一,其杂质含量的高低直接影响下游晶圆制造产品质量,所以对其制造过程的金属杂质含量的控制至关重要,本文主要从制造无金属污染的自动设备的技术指标和设计难点入手,研究了多晶硅表面金属污染的成因,然后分析了控制金属污染的技术,设计了无金属污染自动化设备。最后,为金属杂质含量的控制提供了重要的技术及设备。
简介:摘要:多晶硅是电子及光伏产业广泛使用的重要半导体和光电子材料。西门子现代化方法是多晶硅生产的主要技术,占多晶硅产量的80%以上。在多晶硅生产过程中,三氯硅合成(TCS)、三氯硅、四氯化硅冷氢化(STC)以H2的形式生成不同量的硅。文献表明,氯硅烷含有以STC为主的硅烷、以Si2Cl6为主的硅烷、以Si3Cl8为主的硅烷、少量的硅粉和金属氯化物,其中以Si2Cl6为主的硅含量最高,通过工艺对Si2Cl6进行重组分离气相色谱分析,得出139-142℃沸腾溶液中STC冷氢和TCS计算结果表明,约84.03%的SICL6来自STC冷加氢,其余15.97%的SICL 6来自TCS+H2还原过程。虽然许多学者在分析低多晶硅的组成方面做了大量的工作,但大部分都集中在高附加值的Si2Cl6上,缺乏系统的深入分析。