简介:本文采用一种新颖的低温富集液液萃取法对苦瓜中的挥发性成分进行了提取,采用气相色谱质谱联用(GasChromatography-MassSpectrometer,GC-MS)的检测技术结合保留指数对苦瓜中的挥发性成分进行定性分析,共鉴定出酯类物质1种、黄酮类物质1种、烯烃类物质2种、醛类物质3种、醇类物质3种、羧酸类物质4种,烷烃类物质10种共24种物质,其中棕榈酸、硬脂酸和十八烯含量较高分别占36.68%、12.82%和13.46%。与常温液液萃取结果相比较,低温条件下共萃取出14种特有物质,包括烷烃类(10.16%)、烯烃类(14.8%)、醛类(2.08%)、醇类(0.51%)、酯类(1.95%)和酸类(49.92%),这些成分大多为高沸点物质。因此,低温萃取可选择性富集难挥发性物质,具有较好的应用价值。
简介:摘要:碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体材料,具有良好的热导性、宽带隙、大击穿电场等优良特性,被广泛应用于高温、高频、大功率等电子器件上。但是由于碳化硅具有很高的硬度和化学稳定性,Si-C键合能较大导致湿法刻蚀无法达到要求,因此针对深孔或高台阶刻蚀多采用感应耦合等离子体(ICP)对SiC进行刻蚀,目前研究人员系统研究了ICP刻蚀条件、气体组成等各种工艺条件对SiC刻蚀的影响;其中镍作为刻蚀掩膜层被广泛应用在刻蚀SiC中,因此镍的耐刻蚀性很重要,在一定程度上决定了刻蚀过程中的SiC/Ni的选择比(SiC刻蚀量与Ni刻蚀量的比值),在同等刻蚀条件下,镍消耗少,SiC/Ni的选择比就高,则所需镍层就薄,从而减少了工艺时间,提高了工艺效率。