简介：化学发光法作为目前分析化学研究中的一种新型手段,具有灵敏、快速等优点,且仪器设备简单,便于实现自动化分析。本文简要的综述了该法的基本原理、反应机理、已经取得的一些无机离子测定法及其现代应用和发展前景。

简介：化学发光的发现历史悠久,但把化学发光技术与核酸分子杂交结合起来,建立化学发光核酸分子杂交技术却是近几年的事。1983年Heller和Schneider首先将化学发光技术引入了核酸的分析,这是继建立发光免疫技术之后,化学发光技术应用的又一个新的领域。目前,有关这方面的报道还不多,本文试就化学发光核酸分子杂交技术及有关的应用作一简要的介绍。

简介：利用Fe2+对鲁米诺-H2O2化学发光反应的催化作用,并综合化学发光法和流动注射的优点,建立了测定Fe2+的新方法,并通过NaHSO3的还原作用,使Fe3+还原为Fe2+,从而实现了对总铁的测定.确定了此方法的最佳条件.检出限为5×10-10g/mL,线性范围1×10-9～1.6×10-7g/mL.RSD为1.70%(n=12,c=2×10-8g/mL).此方法测定电厂超纯水和自来水中的总铁,结果令人满意.

简介：本文将作者近年采用化学发光分析技术进行有关中药药效学和机理探讨方面的研究实例作一介绍.实验结果表明克感利咽口服液和抗心梗注射液等药物均显示良好的清除活性氧(包括氧自由基)作用.

简介：化学发光诊断技术在经历了由LUMINOL、ACRIDINLUM、ESTERS等作发光标记物，并以乳胶颗粒为媒体的技术，发展到以DIOXETANES作化学发光标记物，以微粒子为媒体的微粒子化学发光技术，使化学发光成为免疫分析领域中一项较完美的临床诊断应用技术。

简介：番茄中含有丰富的类胡萝卜素,它是一类重要的天然抗氧化剂.该研究以新鲜番茄为原料,采用化学溶剂浸提法提取抗氧化类胡萝卜素,利用微弱化学发光法检测其清除自由基的能力,结果表明:番茄提取物具有很强的清除自由基的能力.

简介：摘要目的简要了解我市儿童乙型肝炎(下称乙肝)病毒表面抗体的浓度，以观察该群体抵御乙肝病毒侵入的能力。方法以磁微粒化学发光免疫分析仪定量检测525名儿童的乙肝病毒表面抗体(HBsAb)浓度，然后对所有结果进行统计分析。结果在525名儿童中,乙肝病毒表面抗体（HBsAb）浓度值≦10mIU/ml126人,完全不具有抵御乙肝病毒(HBV)入侵的能力,需要立即进行乙肝疫苗的接种；HBsAb浓度值在10-100mIU/ml150人,具有部分抵御HBV入侵的能力,需要进行乙肝疫苗加强接种；HBsAb浓度值≧100mIU/ml249人,具有抵御HBV入侵的能力,不需要进行乙肝疫苗接种。结论许多儿童不具有和不完全具有抵御HBV入侵的能力,需要进行乙肝疫苗接种,以预防乙肝。

简介：摘要目的比较电化学发光免疫法与放射免疫法对甲状腺激素的检测效果。方法利用两种方法分别检测血清TT3、TT4、TSH、FT3、FT4，并进行均值、相关性、精密度和准确度对比分析。结果两种方法的均值结果差异无统计学意义（P均＞0.05）；TT3和FT4检测结果的两种方法相关有统计学意义（P＜0.01）；ECLIA法对各指标测定的平均批内及批间变异为1.69%和3.68%，均低于RIA法的3.35%和5.04%；对两种方法的回收率作t检验，t值为7.138，P＜0.01，差异有统计学意义，ECLIA法的准确度优于RIA法。讨论ECLIA法的精密度、准确度均优于RIA法，适合于临床应用。

简介：研究了钴催化氟磺酸9.10-二甲基吖啶的化学发光特性。建立了测定Co2的化学发光新方法。方法线性范围为1×10-10～1×10-7g/ml;检测限为5.0×10-11g/mlCo2+。测定5×10-9g/mlCo2+的相对标准偏差为6.0％。方法可应用于自来水、江水、池塘水中痕量钴的测定。

简介：目的评价围内关于电化学发光免疫法检测甲胎蛋白诊断肝癌的准确性及文献质量。方法计算机检索中国生物医学文献数据库（1978～2005）和中国学术期刊网（1994～2005），纳入电化学发光法检测甲胎蛋白的诊断性试验。用自制表格提取数据，并应用诊断性试验的6条质量评价标准评价纳入研究质量。结果最初共检索到相关文献48篇，经逐篇阅读全文，排除综述、临床应用、多项指标联合检测、非肝癌诊断试验和AFP异质体的检测，最终仅纳入6篇文献，且无一篇可提取四格表数据进行准确性评价。结论目前国内有关电化学发光法检测甲胎蛋白的诊断性试验文献不多，质量也不高。其主要原因是研究设计时仅考虑了技术指标而忽视了诊断准确性的指标，所以不能得出电化学发光法检测甲胎蛋白的敏感度和特异度。

简介：介绍了实现出射白光发光二极管的几种方法,包括波长转化产生白光,多有源区级联合成白光以及单个有源区直接出射白光.并从芯片结构、材料选取、白光形成机理以及器件性能等四个方面对这几种方法进行了分析比较.最后指出了实现直接出射白光的发光二极管存在的问题及今后的研究重点.

简介：TN312.82002064017隧道结AlGaInP发光二极管=TunneljunctionAl-GaInPlightemittingdiode[刊,英]/王国宏,沈光地,郭霞,高国(北京工业大学信息学院,北京光电子技术研究室.北京(100022),韦欣,张广泽,马晓宇,李玉璋,陈良惠(中科院半导体所.北京(100083))∥半导体学报.—2002,23(6).—628-631报道了通过隧道将衬底的导电类型从n型转变到p

简介：O482.3199053412硅发光研究=Researchonsiliconluminescence[刊,中]/夏建白（中科院半导体所.北京（100083））//半导体学报.—1998,19（5）.—321—326介绍了目前已有的使硅发光的方法:掺深能级杂质,掺稀土离子、多孔硅、纳米硅以及Si/SiO2超晶格,讨论了两种可能的发光机制:量子限制效应和表面复合效应。最后介绍了两个硅发光器件,表明硅发光器件的前景是光明的。图9参15（方舟）O482.3199053413离子注入掺铒硅发光中心的光致发光研究=Photoluminescencestudyofluminescentcentersinerbium—implantedsilicon[刊,中]/雷红兵,杨沁清,王启明（中科院半导体所.北京（100083））,周必忠,肖方

简介：教我们高等数学的老师其实是个哲学家。十多年前，在长江岸边，我们面临着毕业。所有的老师都祝愿我们以后事业有成。但他却在最后的一堂课上说：“最后一堂课，我们随便聊聊吧。”

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简介：化学制品存放问题为“数学模型”中的一个典型问题,可将其化为复盖问题以求解。

简介：多孔硅是一种硅基纳米材料,硅基材料的研究是实现光电集研究为硅基发光研究开辟了新的应用研究领域.对多孔硅发光的意义、多孔硅的各种制备方法进行了的报道,论述了多孔硅的微观结构、多孔硅的光致发光机制及多孔硅的光致发射光谱.

简介：O482.3195021317P-GaP中离子注入缺陷的形成=Formationoftheion-implantationdefectinP—typeGaP[刊,中]/李宝军,张旭（甘肃教育学院物理系.甘肃,兰州（730000））//半导体光电.—1994,15（4）.—369—371研究了Zn+离子注入P—GaP半导体所引起的缺陷.在电流密度为0.03μA/Cm2下,将注入Zn+离子剂量为1×1014离子/厘米2的GaP样品腐蚀出蚀

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