简介:<正>2013年6月17日,增长速度最快的半导体公司SiTime公司(SiTimeCorporation)宣布,推出TempFlatTMMEMS。在TempFlat出现之前,所有MEMS振荡器都采用补偿电路来达到所需频率稳定度。而SiTime的TempFlatMEMS是一个革命性的突破,通过消除温度补偿需求,大幅度的促进了性能的提高,尺寸的缩小,功耗和成本的降低。YoleDeveloppement的策划经理和首席分析师LaurentRobin表示:"到2018年,预计MEMS振荡器市场将以60%的复合年增长率增长,达到4.67亿
简介:摘要进入新世纪,信息技术急速发展,需要设计出新型的微波元器件来满足小型化、便携化的要求。本项目设计的谐振器中心工作频率为5.4GHz、特征阻抗匹配为50Ω,品质因素≥100,尺寸为4mm*3mm*1mm。设计的过程包涵了,原理的介绍、参数计算与材料选择、材料的制备以及软件仿真等。
简介:摘要:全面分析了微环调制器的调制特性,综合考虑了耦合损耗,辐射损耗,吸收及折射率变化等因素,提出了利用EAM作为环腔,通过吸收变化改变环内损耗,以达到透射光的调制,在较好的损耗控制(耦合损耗
简介:针对"FBAR(薄膜体声波谐振器)-梁"结构悬臂梁厚度不足、"嵌入式FBAR"结构微加工工艺复杂的缺点,提出了新型"膜片上FBAR(FBAR-on-diaphragm)"结构的微加速度计。其弹性膜片由氧化硅/氮化硅复合薄膜构成,既便于实现与硅微检测质量和FBAR的IC兼容集成加工,也利于改善微加速度计的灵敏度和温度稳定性。对由氧化硅/氮化硅双层复合膜片-硅检测质量惯性力敏结构和氮化铝FBAR检测元件集成的膜片上FBAR型微加速度计进行了初步的性能分析,验证了该结构的可行性。通过有限元模态分析和静力学仿真得出惯性加速度作用下膜片上FBAR结构的固有频率和弹性膜片上的应力分布;选取计算所得的最大应力作为FBAR中压电薄膜的应力载荷,结合依据第一性原理计算得到的纤锌矿氮化铝的弹性系数-应力关系,粗略估计了惯性加速度作用下氮化铝薄膜弹性系数的最大变化量;采用射频仿真软件,通过改变惯性加速度作用下弹性常数所对应的纵波声速,对比空载和不同惯性加速度作用下加速度计的谐振频率,得到加速度计的频率偏移特性和灵敏度。进一步分析仿真结果还发现:氧化硅/氮化硅膜片的一阶固有频率与高阶频率相隔较远,交叉耦合小;惯性加速度作用下,谐振频率向高频偏移,灵敏度约为数kHz/g,其加速度-谐振频率偏移特性曲线具有良好的线性。
简介:摘要:电石英晶体滤波器能够在各种电子产品运行中起到良好的滤波作用,本文以10MHz带阻型电石英晶体滤波器研制为例,设计出基于三节3晶体格型电路为基础的中高频带阻型晶体滤波器产品,以此为相关设计工作开展提供参考。