简介:在研发一套基于0.18μm工艺的全新半导体芯片时,由于芯片工艺的要求我们将标准0.18μm工艺流程中的接触孔蚀刻阻挡层由原来的UVSIN+SION改为SIN,但却引进了PID(等离子体损伤)的问题。当芯片的关键尺寸减小到0.18μm时,栅氧化层变得更薄,对等离子体的损伤也变得更加敏感。所以如何改善PID也成为这款芯片能否成功量产的重要攻坚对象。这一失效来源于接触孔阻挡层的改变,于是将改善PID的重点放在接触孔蚀刻阻挡层之后即后段工艺上。后段的通孔蚀刻及钝化层的高密度等离子体淀积会产生较严重的等离子体损伤,因此如何改善这两步工艺以减少等离子体损伤便成为重中之重。文中通过实验验证了关闭通孔过蚀刻中的磁场以及减小钝化层的高密度等离子体淀积中的溅射刻蚀功率可以有效改善芯片的等离子体损伤。通过这两处的工艺优化,使得PID处于可控范围内,保证了量产的芯片质量。
简介:摘要:PCR温度控制系统的软件设计是PCR仪设计中非常重要的部分之一,其控温效果的好坏直接影响PCR仪基因扩增的成功与否。因而本文主要针对芯片级PCR中温度控制系统软件进行研究。关键词:聚合酶链式反应温度控制SOPC模糊自整定PID一、软件系统工作原理PCR仪中,最重要的部分是对反应温度的控制。PCR仪系统根据用户预先设定的参数来控制变温系统的反应温度。系统首先采集变温系统的当前温度,将当前温度和用户设定的变性温度进行对比,通过控制控制器的运算得到一个输出,将此输出加到被控对象上,使其温度上升至变性温度,达到变性温度后,根据输入的变性温度持续时间,控制变温系统温度持续时间。当此时间到达之后,进入下个反应的温度控制即退火温度的控制。执行完退火阶段温度控制后进入延伸阶段的温度控制。当执行完三个反应的温度控制后,一个循环周期结束,进入下一个循环周期。系统不断的重复控制三个温区的温度,当达到用户给定的循环次数后,反应结束……
简介:传统使用的双路直流稳压电源大多是线性电源,缺乏自我保护的功能、故障率较高,且维修工作量很大.本文介绍了一种基于单片机的双路直流稳压电源的设计方法,该设计主电路采用二极管完成AC/DC变换,再通过IGBT进行斩波调节,实现DC/DC变换,输出直流电压.控制电路以dsPIC30F3011为核心,按照时间最优和PID控制方式实现PWM调节.实验证明,该设计电路具有故障自我保护和液晶显示功能,以便准确、快速的对故障进行维修.