简介:摘要:文中分析了金属镓生产现状,浅谈结晶法的原理,指出结晶法是镓生产中初步提纯过程中操作简单,易控制,成本低,可广泛应用于镓生产的酸法工艺和碱法工艺中。
简介:摘要本文用椭偏仪测量砷化镓表面氧化层的厚度,并用XPS分析砷化镓表面氧化层的化学组成和氧化层的厚度,发现,清洗后的砷化镓晶片表面会发生自然氧化反应,自然氧化层主要有Ga203、As203、As2O以及少量As元素组成,且随着时间变长,氧化层的厚度越来越厚。
简介:摘要:近年来,氧化物半导体的发展越来越快速,而氧化镓(Ga2O3)作为一种新兴的氧化物半导体材料引起了人们的广泛注意。Ga2O3是第三代半导体材料之一,属于宽禁带半导体材料,具有高达4.5~5eV的直接带隙,还具有较高的吸收系数、较高的击穿场强~8MV.cm-1和稳定性好、易于制备等优点,适用于日盲紫外光电探测器、超高压电力电子器件以及极端环境电子开关。Ga2O3结晶成各种不同的结构,其中,最稳定的β-Ga2O3和α-Ga2O3,其最大带隙能值为5.3 eV。截止目前,Ga2O3的研究涵盖了各种形式,根据其形态的不同,可以分为块状,薄膜和纳米结构。本文主要围绕Ga2O3材料的基本特性、制备以及应用展开了讨论分析。 关键词:氧化镓制备,光电特性