简介：

简介：摘要对于半导体器件来说，其一般都是属于微型结构、微功耗的电子器件，当遭受外界电应力的作用下，会对其可靠度带来极大的影响，甚至会造成失效现象。因此，本文主要结合BJT以及电磁脉冲的基本理论，对双极晶体管电磁脉冲损伤机理分析进行了深入的分析，并提出了相应的防护措施。

简介：为了集成电路的低成本和高性能设计，文章通过设计SiGe异质结双极晶体管的结构和工艺，给出了微波无线通讯系统的集成方案，从而解决了现行Si器件在高频领域的噪声、速度和带宽问题，同时为CMOS的兼容性提供了技术保障。

简介：<正>Diodes公司推出全新20VNPN及PNP双极晶体管,它们采用超小型DFN1411-3表面贴装封装,能大大提升电源管理电路的功率密度和效率。该器件采用了Diodes第五代矩阵射极双极工艺设计(5matrixemitterBipolarprocess)。这对互补性器件ZXTN26020DMF和ZXTP26020DMF的占位面积只有1.1毫米×1.4毫米,离版高度为0.5毫米,有助于设计出极其纤巧的便携式产品,还可改善产品的电性能及热特性。

简介：摘要绝缘栅双极型晶体管，即IGBT近些年来获得了广泛的应用，其功率容量也不断地得到提升，甚至已经应用在高压直流输电领域。随着IGBT向高压大电流方向发展，降低其饱和压降成为了研究的重点之一。本文通过ISE仿真软件对其伏安特性进行了仿真研究，结果表明，要想获得良好的伏安特性，必须对P-阱的结深、漂移区的掺杂浓度、缓冲层的厚度及其掺杂浓度进行优化。

简介：根据双极晶体管电流增益倒数与中子注量的线性关系,基于最小二乘法,提出了先求平均值再线性拟合、先线性拟合再求平均值的两种方法来计算中子辐射损伤常数,并重点对其不确定度进行了评定,给出了自变量和因变量同时存在不确定度时的线性拟合方法。分析表明,两种方法的计算结果一致,但复杂程度不同,实际应用时采用先求平均值再线性拟合的方法更好。同时,还分析了不确定度评定过程中相关性产生的原因,给出了通过解析表达式判断相关性的方法。分析表明,应用协方差传播律,由相关性引入的估计协方差可以用独立参数的不确定度来表达。最后,给出了两种方法在实验数据处理中的应用。

简介：

简介：1947年12月23日，37岁的美国物理学家肖克莱和他的合作者在著名的贝尔实验室向人们展示了第一个半导体电子增幅器，即最初的晶体管。晶体管的发明成为人类微电子革命的先声。

简介：场效应晶体管具有输入电阻高、噪声系数低、受温度和辐射影响小等优点，在前置电压放大，阻抗变换电路，振荡电路、高速开关电路等方面应用也越来越广泛。在大屏幕电视机、彩色显示器、电脑的电源及主板、音响，手机、直流电机调速器等电路中都可看到场效应管的身影。而在实际维修中由于场效应管损坏引起的故障并不少见，因此掌握场效应管的原理、特性及测量判断的方法尤显重要。

简介：晶体管的工作状态分为放大、饱合与截止三个区,它们应用在线性放大器中或脉冲数字电路中各自具有不同的特点。本文的目的,是以NPN型管所组成的共射电路为例,来分析放大状态静态工作点的设置与非线性失真的关系,并从非平衡少数截流子在基区的分布入手来阐明开关状态的特点。一、线性放大器的失真与晶体管的开关作用晶体营运用在线性放大器中工作点的设置必须合理,如果工作点偏高可能引起饱合失真,工作点偏低又可能引起截止失真。但是,工作点如果较高而信号幅度却很小,则并不一

简介：薄膜晶体管是液晶显示器的关键器件，对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。本文论述了薄膜晶体管的发展历史，描述了薄膜晶体管的工作原理，分析了非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管、ZnO活性层薄膜晶体管的性能结构特点与最新进展，并展望了薄膜晶体管的应用。

简介：把闹钟的后盖打开,在电池正极端焊一根电线,在闹钟振铃开关正极上同样也焊一条线,将这两条线的另一端焊在准备好的一个小型插座上,然后把插座固定在闹钟侧面;另外再准备两根长电线,一端接在插头上,另一端接到门枢的按钮开关上。最后把

简介：通过图解分析法和微变等效电路分析法,对晶体管恒流源负载的等效静态电阻和动态电阻进行了详细分析,阐明了它们在不同工作状态下的变化情况,以指导具有晶体管恒流源负载的晶体管工作状态的确定.

简介：本文从长期工作实践中摸索总结出晶体管电路中带有一定普遍现象的两类软故障:即接触不良和元器件(晶体等、电阻、电容)造成软故障的判断、检查与处理方法.

简介：通过微波调谐器、匹配线和器件特性的了解可以帮助设计人员更好地了解RF和微波晶体管。

简介：ATDF公司和HPL公司最近展示了面向多栅场效应晶体管(MuGFET)的45nm技术节点上的工艺能力，MuGFET这种先进的半导体器件最终可能取代传统的CMOS晶体管。

简介：

简介：晶体管多级放大器，是应用晶体管三种基本放大电路各自的特点，再根据信号源和负载的特性巧妙地组合形成的电路。它既要有高的放大倍数，又要有合适的输入、输出电阻，并能稳定正常地工作满足实际需求。这部分内容实用、重要、综合性较强，学生感到难学，可从文中所述的方面努力来提高其教学效果。

简介：摘要：通过对大功率晶体管结构的分析，发现热量不仅仅集中在集电极处，在发射结及高阻区也会产生大量的热量，导致大功率晶体管结构内部的温度分布非常的不均匀（特别是高频大功率晶体管），使得局部之间温差较大，因此在产品设计时，需要增大芯片的发射极周长及增加热补偿垫片，可避免电流过于集中及加速热量的传导，以减小大功率晶体管失效的几率。

简介：在实验研究的基础上，对晶体管二次击穿现象的原因提出一种新的观点，并进而讨论避免二次击穿的思路。