简介：摘要：本文主要研究了以硅烷为气源的等离子体增强化学气相沉积（ICPECVD）技术在制备多晶硅薄膜方面的应用。首先，我们对ICPECVD技术进行了简要介绍，分析了其作为一种有效的薄膜制备方法的优点。然后，详细讨论了硅烷作为气源在ICPECVD过程中的作用和影响，包括硅烷的分解机制、反应路径以及硅烷流量对多晶硅薄膜生长的影响。此外，我们还研究了反应温度、功率、压力等工艺参数对多晶硅薄膜结构和性能的影响。通过优化工艺参数，我们成功制备出了高质量的多晶硅薄膜。最后，我们对实验结果进行了总结和分析，提出了进一步提高多晶硅薄膜质量的方法和未来的研究方向。
以硅烷为气源用ICPECVD制备多晶硅薄膜
