简介：栅电荷提供关于功率MOSFET的电容、驱动需求和开关功耗等信息，是衡量MOSFET性能的主要指标。基于Won-SoSon等人提出的SOI基绝缘槽结构LDMOS（TR-LDMOS）的RESURF条件，建立器件的栅电荷分析模型，发现TR-LDMOS所需Qgd比普通RESURFLDMOS（LR-LDMOS）少13．85％，所需Qg比LR-LDMOS少17．65％；完成对密勒电容充电的时间TR-LDMOS要比LR-LDMOS少用50ns。在TR-LDMOS模型基础上，结合仿真对沟道区不同时刻栽流子分布的描述，更细致地阐述了功率器件在开启过程中的状态变化；并且应用比较分析的方法，解释无源器件对TR-LDMOS开启的时间和功耗所产生的影响。在降低功率器件开启功耗的原则下，得到有助于器件设计的应用性结论。

简介：Anewanalyticalmodelforthesurfaceelectricfielddistributionandbreakdownvoltageofthesilicononinsulator(SOI)trenchlateraldouble-diffusedmetal-oxide-semiconductor(LDMOS)ispresented.Basedonthetwo-dimensionalLaplacesolutionandPoissonsolution,themodelconsiderstheinfluenceofstructureparameterssuchasthedopingconcentrationofthedriftregion,andthedepthandwidthofthetrenchonthesurfaceelectricfield.Further,asimpleanalyticalexpressionofthebreakdownvoltageisobtained,whichoffersaneffectivewaytogainanoptimalhighvoltage.Alltheanalyticalresultsareingoodagreementwiththesimulationresults.

简介：Anovelstructureisproposedfordoublingtheverticalbreakdownvoltageofsilicon-on-insulator(SOI)devices.Inthisnewstructure,theconventionalburiedoxide(BOX)inanSOIdeviceissplitintotwosections:thesource-sectionBOXandthedrain-sectionBOX.Ahighly-dopedSilayer,referredtoasanon-depletionpotential-clampedlayer(NPCL),ispositionedunderandclosetothetwoBOXsections.InthesplitBOXesandtheSiregionabovetheBOXes,theblockingvoltage(BV)isdividedintotwopartsbytheNPCL.ThevoltageintheNPCLisclampedtobenearlyhalfofthedrainvoltage.Whenthedrainvoltageapproachesabreakdownvalue,thevoltagesustainedbythesource-sectionBOXandtheSiregionunderthesourcearenearlythesameasthevoltagesustainedbythedrain-sectionBOXandtheSiregionunderthedrain.TheverticalBVisthereforealmostdoubled.TheeffectivenessofthisnewstructurewasverifiedforaP-channelSOIlateraldouble-diffusedmetal-oxidesemiconductor(LDMOS)andcanbeappliedtootherhigh-voltageSOIdevices.ThesimulationresultsshowthattheBVinanNPCLP-channelSOILDMOSisimprovedby55%andthespecificon-resistance(Ron,sp)isreducedby69%incomparisontotheconventionalstructure.

简介：摘要ESD保护在高压工作中起着至关重要的作用，但大部分ESD器件本身由于内壁结构的不合理存在着很高的潜在风险，一旦产品出现问题很难保证高压工艺的安全性。而高电压工作又不能使用可控硅整流器件（SCR）进行保护，所以只能通过优化ESD器件，来保证高压工作的安全进行。文章通过实验和检测的方式，研究了LDMOS器件释放电流的过程，同时对器件发生的二次触发现象进行深入研究，对比各项数据的结果，给出了LDMOS器件内在内部结构上有哪些改进，结合计算机仿真技术、传输线脉冲测试，并对通过ESD工作过程中的失效分析等多方面，大幅提升了器件承受电流的能力，而且进一步给出了ESD整体性能的优化方向。

简介：RFLDMOSs}／率管具有高输出功率、高增益、高线性、良好的热稳定性等优点，广泛应用于移动通信基站、数字广播电视发射以及射频通信领域、微波雷达系统。阻抗匹配是LDMOS~率管应用电路设计的关键任务，LDMOS功率管匹配电路的主要任务是实现功率管的最大功率传输。文中选择中国电子科技集团公司第58研究所研制的S波段10wLDMOS功率管，利用微波仿真工具ADS设计外匹配电路。经过精心调试后，s波段LDMOSs}／率管输入回波损耗、增益、输出功率、效率、谐波等技术指标达到设计要求。完成匹配电路设计的S波段LDMOS功率管在3．1～3．4GHz频率范围内，输出功率大于13．8W，功率增益大于12．4dB，效率大于37．9％。

简介：为了减小高压N-LDMOS器件的热载流子效应并维持其开态特性,提出了一种带有阶梯栅氧的新型N-LDMOS器件结构.与传统的N-LDMOS器件相比,其栅极下方Si-SiO2界面处的电场强度明显减弱,因而可以有效地减少器件的热载流子效应,而该阶梯栅氧结构可以通过功率集成电路工艺中普遍采用的栅氧生长方法进行2次栅氧生长来获得.采用TCAD仿真技术对传统的N-LDMOS器件和所提出的新型N-LDMOS器件的热载流子退化现象进行了对比和分析,并在维持原有器件特性参数的基础上得出了新型N-LDMOS器件中厚栅氧部分的最优长度.最后,通过选取某些特性参数进行了实际的器件退化测试,结果表明该新型N-LDMOS器件的热载流子退化现象得到了很大的改善.

简介：<正>飞思卡尔半导体日前推出了两款全新的Airfast射频功率解决方案,覆盖了所有主要的蜂窝基础设施频段,这两款解决方案均采用小巧的封装,却具有业界领先的增益性能。AFT27S006N的峰值功率为6W,是继广受欢迎的MW6S004N产品(MW6S004N产品已经成为业界的主力驱动器,广泛应用于世

简介：皇家菲利浦电子公司的第五代横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)工艺技术将使得宽带CDMA(W-CDMA)基站能够突破RF功率放大器输出的30％效率壁垒。这项成果比目前采用的CDMA工艺所得到的基站放大器效率高出4％。W-CDMA基站使用上述工艺技术．RF功率放大器的功耗可减小15％以上。

简介：