简介：

简介：摘要：由于CRH3A型动车组在网络反馈上进行了简化设计，无法监测故障发生时状态，本文通过在原车组上重新“设计”，在不改变车组控制逻辑、不更换设备、不影响系统功能的前提下，抓取监测反馈数据，及时锁定故障点，节约售后维护成本，也为后续的新型动车组提供了网络监测的设计思路。

简介：战略分析指出，手机市场仍然是GaAs器件工业的主要驱动力，2003年北美的公司是其主导者。

简介：Athree-dimensionalmodelofGaAs/A1GaAsquantumdoubleringsinthelateralstaticelectricfieldisinvestigatedtheoretically.Theeigenvalueproblemwiththeeffective-massapproximationissolvedbymeansofthefinite-elementmethod.Theenergylevelsandwavefunctionsofquantum-confinedelectronsandheavyholesareobtainedandshowanagreementwithourprevioustheoreticalandexperimentalstudies.ItisshownintheapproximationofneglectingtheCoulombattractionbetweentheelectronandheavyholethatarelativelylargeStarkshiftofexcitonemissionof4meVisattainablewithanappliedelectricfieldof0.7kV/cm.

简介：关于全球半绝缘(SI)GaAs晶片市场“SIGaAs衬底市场：2003～2008”预测：该市场到2008年将增长54％。2002～2003年间的增长率为43％。日本和北美仍然是体晶片的主要生产者，2003年占整个市场的43％，该地区2003年SIGaAs晶片市场(外卖和自用)增加33％。亚太地区的市场增长最快，但主要以代工模式运营以便为GaAs半导体工业的发展打下基础。

简介：ThereolutioncharacteristicofGaAs/GaAlAstrransmissionphotocathodeisanimportantparameterinthirdgenerationintensifiers.ThemodulationtransferfunctionofGaAs/GaAlAstransmissionphotocathodeisderivedfromasimpletwo-dimensionaldiffusionequation.Thetheoreticalresolutioncharacteristicofa2μmthickGaAs/GaAlAstransmissionphotocathodeiscalculated.TherelationshipbetweenresolutionandparametersinGaAs/GaAlAstransmissionphotocathodeisdiscussed.AconclusionisshownthatonecandesigntheGaAs/GaAlAstransmissionphotocathodeformaximumquantumefficiency,sincethesacrificeintheresolutiondoesn'tlimitsystemperformances.

简介：在液晶电视中，电源电路输出的各路电压均较低（＋5V、＋12V或＋24V），不能满足高频调谐器所需调谐电压的要求（＋33V）。为此，在调谐电压供电电路中引入了微功率DC／DC（直流／直流）升压变换器其中，LT1615／LT1615-1微功率增强型DC／DC升压变换器最为常见。

简介：

简介：Anidiomisaphraseorsentence,whichmeanssomethingdifferentfromthemeaningofseparatewords.Idiomscomefromlong-timeuse.Connectedwiththebackgroundofeconomy,geographicalconditions,customs,stateofmind,etc,idiomsreflectthereallife.Differentpeoplehavebothsimilaranddifferentidioms.Idiomshavetheirownfeatures.Themaremanymethodsintranslatingidioms.Literaltranslation,synonymtranslationandfreetranslationarethemainthree.

简介：

简介：InGaAsP/GaAsSCHSQWlaershavebeenpreparedbyLPMOCVD.Thedependenceofthresholdcurrentdensityoncavitylengthwasexplained.Laserdiodesarecharacterizedbytheoutputpowerof1W20W,thresholdcurrentdensity(Jth)of330A/cm^2to450A/cm^2andexternaldifferentialquantumefficiency(ηd)of35%to75%,andthesecharacteristicsareingoodagreementwiththedesignedrequirement.

简介：本刊讯近日，在“中国银行业转型问题评估对话”讨论会上，深圳发展银行行长RichardJackson指出，当前银行业已经从产品、销售为主导变革到以客户为主导的时代，银行要从系统架构和业务模式等方面更多地考虑客户需求，并且应该有一套全新的思维方式来考虑IT平台如何能够支持未来银行的发展。

简介：当时秘鲁的邻国如玻利维亚、智利等国军队装备有英国制造的“卡登-洛伊德”轻型坦克，而巴西也装备意大利制造的CV-33型超轻型坦克和较老式的法国造雷诺FT-17/18型坦克。如同伊朗一样，秘鲁计划订购先进的轻型坦克。新式坦克的购人将使秘鲁在这一地区保持更大的军事优势。

简介：WhenweuseMOCVDtechnique,anexcellentCdTeepi-layerwasgrownonGaAssubstratesandtheCdTe/GaAshybridsubstratessuitableforgrowingHg1-xCdxTe（CMT）wereobtained.ThexvalueinCMTisbetween0.2and0.8.TheelectricalpropertiesofCMTdependuponthethicknessofCdTeepi-layers.TheCdTe/GaAsinterfacewasexaminedbybothscanningelectronmicroscope（SEM）andelectronaugerspectra（EAS）.TheinfluenceofdefectsobservedatinterfaceonelectricalandopticalpropertiesofCMTfihnswasdis-cussed.

简介：Weinvestigatethenonlinearresponseofterahertz(THz)metamaterialperfectabsorbersconsistingofelectricsplitringresonatorsonGaAsintegratedwithapolyimidespacerandgoldgroundplane.Theseperfectabsorbersonbulksemi-insulatingGaAsarecharacterizedusinghigh-fieldTHztime-domainspectroscopy.Theresonancefrequencyredshifts20GHzandtheabsorbanceisreducedby30%astheincidentpeakfieldisincreasedfrom30to300kV/cm.ThenonlinearresponsearisesfromTHzfielddriveninterbandtransitionsandintervalleyscatteringintheGaAs.ToeliminatetheFresnellossesfromtheGaAssubstrate,wedesignandfabricateaflexiblemetamaterialsaturableperfectabsorber.Theabilitytocreatenonlinearabsorbersenablesappealingapplicationssuchasopticallimitingandself-focusing.

简介：据参加微波技术与工艺研讨会（MTT-S）的一个专家讨论小组，RFCMOS可能还未迎来黄金时段，至少是在手机功率放大器领域，而砷化镓（GaAs）将继续在该领域处于主导地位。诺基亚的RF工程与技术经理FazalAli估计．2004年手机出货量约为6．645亿部，每部电话中有两或三个放大器，总计接近20亿个。他问这些功率放大器（PA）中有多少是CMOS，显然暗示答案是“不太多”。

简介：利用4.5MeV的氪离子（Kr^17＋）辐照（100）晶向本征未掺杂和高掺锌（P型）、（100）和（110）混合晶向的高掺硅（N型）砷化镓（GaAs）半导体材料,辐照注量为1×10^12～3×10^14cm^-2,测试辐照后材料的拉曼光谱。随着辐照注量增大,材料的纵向光学（longitudinaloptical,LO）声子峰向低频方向移动,出现了明显的非对称展宽,并且N型样品辐照后,晶体结构损伤要大于P型与本征未掺杂样品。3种类型样品的LO峰频移随辐照损伤的变化趋势一致,研究表明,掺杂元素不影响材料本身的晶体结构,可能是因为混合晶向的生长方式导致辐照后N型GaAs结构稳定性变差。

简介：<正>现场工作标准在对财务报表形成意见之前,审计人员必须能确认它们的恰当性。现场工作标准为审计人员提供了判断财务报表质量的依据。以下分别简述这三条现场工作标准并进行全面的讨论。

简介：Zinchasbeendiffusedinton-typeInxGa1-xAs,InPandGaAsinclosedam-poules,andtheexperimentaldataforInxGa1-xAsrarelyreportedpreviouslyhavebeenob-tained,TheoreticallythelinearrelationsipbetweenlogarithmicdiffusioncoefficientlnDandthecompositionxhasbeendemonstrated,whichisingoodagreementwiththeexperimentalresults.ThecalculateddiffusionjunctiondepthforInGaAsbasedonthediffusionmodelinwhichD^∝c^2isassumedalsoagreeswellwiththatoftheexperment,Finallytheoveralldiffusiontimeinamultiayerheterostructurewasapproximatedast=(∑√-ti）^2.

简介：WefabricatephotoniccrystalslabmicrocavitiesembeddedwithGaAsquantumdotsbyelectronbeamlithographyanddropletepitaxy.ThePurcelleffectofexcitonemissionofthequantumdotsisconfirmedbythemicrophotoluminescencemeasurement.Theresonancewavelengths,widths,andpolarizationareconsistentwithnumericalsimulationresults.