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  • 简介:在这份报纸,作者显示出古典希腊语的第二十三个字母功能,几已知的结果被改进和一些的某monotonicity和凹度新asymptotically锋利的估计为这功能被获得。另外,把新结果用于希腊语的第二十三个字母功能,作者为Eulers的近似评估改进著名更低、上面的界限经常。

  • 标签: PSI 性质 评价 函数单调性 估计函数 近似评估
  • 简介:<正>“Privacy”istranslatedasyinsiinChinese.Traditionally,intheChinesemind,yinsiisassociatedwithsomethingthatisclosedorunfair.Ifsomeoneissaidtohaveyinsi,meddlers(好事者)willbeattractedtopry(打探)intohisorheraffairs.Sopeoplealwaysstatethattheydon’thaveyinsi.

  • 标签: SOMEONE SOMETHING translated AFFAIRS FRIENDS priva
  • 简介:TheinvestigationonopticalpropertiesofSi1-xGex/Sistrainedlayerstructureshasbeencarriedoutactivelyinrecentyears.Thephotoluminescencehasbe-comeabriskersubjectinthestudiesofitsvariousopticalproperties.Aresearchdevelop-menttophotoluminescencepropertiesofsomenewSi1-xGex/Sistrainedlayerstruc-turesisintroduced.

  • 标签: 应变层超点阵 光致发光 光电子器件 量子阱
  • 简介:Theoptimumparametersarecalculatedbythelargecross-sectiontheoryandmodecut-offequation.Theeffectonreversebiasvoltagesinanalysedbythedopingconcentrationinn^+-Si.Theissignificantbecausethereversebiasincreasessharplywhenthedopedconcentrationinn^+-Siislessthan1×10^20cm^-3.

  • 标签: 硅化锗 光检测器 波导
  • 简介:Theresidualelectricallyactivedefectsin(4×1012cm-2(30KeV)+5×1012cm-2(130KeV))si-implantedLECundopedsi-GaAsactivatedbytwo-steprapidthermalannealing(RTA)LABELEDAS970℃(9S)+750℃(12S)havebeeninvestigatedwithdeepleveltransientspec-troscopy(DLTS).TwoelectrontrapsET1(Ec-0.53eV,σn=2.3×10-16cm2)andET2(Ec-0.81eV,σn=9.7×10(-13)cm2)aredetected.Furthermore,thenoticeablevariationsoftrap’scon-centrationandenergylevelintheforbiddengapwiththedepthprofileofdefectsinducedbyionim-plantationandRTAprocesshavealsobeenobserved.The[Asi·VAs·AsGa]and[VAs·Asi·VGa·AsGa]areproposedtobethepossibleatomicconfigurationsofET1andET2,respectivelytoexplaintheirRTAbehaviors.

  • 标签: Si:GaAs Rapid thermal ANNEALING Ion IMPLANTATION
  • 简介:PhotoconductivityCharacteristicsofPorousSi①CHAOZhanyun,WANGKaiyuan(DepartmentofElectronicEnginering,SoutheastUniversity,Nanji...

  • 标签: Metal/PS/Si/Al JUNCTION PHOTOCONDUCTIVITY POROUS Materials
  • 简介:PitformationandsurfacemorphologicalevolutioninSi(001)homoepitaxyareinvestigatedbyusingscanningtunnelingmicroscopy.Anti-phaseboundaryisfoundtogiverisetoinitialgenerationofpitsboundbybunchedDBsteps.Theterracesbreakupandarereducedtoacriticalnucleussizewithpitformation.Duetoanisotropickinetics,adownhillbiasdiffusioncurrent,whichislargeralongthedimerrowsthroughthecentreareaoftheterracethanthroughtheareaclosetotheedge,leadstotheprevalenceofpitsboundby{101}facets.Subsequentannealingresultsinashapetransitionfrom{101}-facetedpitstomulti-facetedpits.

  • 标签: 扫描隧道显微镜 SI(001) 表面形态 显微镜观察 外延生长 演化过程
  • 简介:利用Gaussian-94计算程序中的B3LYP方法,在6-311+G(2d)6d基组下,对Si5,Si5H3,Si5H6,Si5Li3和Si5Na3原子簇的几何结构进行优化和频率计算.结果表明,Si5原子簇中最稳定的具有D3h对称性的结构中,位于同一平面上的3个Si原子确实具有剩余的成键能力,可以与3个H,Li,Na原子和6个H原子形成稳定的化合物.研究还发现,虽然H,Li和Na都属同一主族,但它们与Si5原子簇中Si原子的键连方式却不同,而且它们的加入,对Si5原子簇的'三角双锥'结构也有不同的影响.

  • 标签: Si5H3 Si5H6 Si5Li3 Si5Na3 硅原子簇 结构
  • 简介:CurieTemperatureofAmorphousFeSiBandFeWSiBAloysWangLingling,ZhaoLihua,HuWangyu(王玲玲)(赵立华)(胡望宇))DepartmentofPhysics,HunanUn...

  • 标签: CURIE TEMPERATURE FeSiB and FeWSiB ALLOYS
  • 简介:汽车气囊系统通过组合更多气囊,以及更高级的事故检测功能来提升乘客安全,汽车供应商在面临减少日常开销的压力的同时,还需要满足来自市场的性能改进需求。飞思卡尔的气囊安全解决方案在开发过程中始终贯彻这一点,由于安全仍然是重点,所以这两种发展趋势会变得越来越明显。

  • 标签: 汽车气囊 飞思卡尔 系统 产品 标准 安全解决方案
  • 简介:研究Al-Mg-Si合金晶界组成相(Al-Mg2Si及Al-Mg2Si-Si)间的电化学行为和动态电化学耦合行为,提出Al-Mg-Si合金的晶间腐蚀机理。研究表明,晶界Si的电位比其边缘Al基体的正,在整个腐蚀过程中作为阴极导致其边缘Al基体的阳极溶解;晶界Mg2Si的电位比其边缘Al基体的负,在腐蚀初期作为阳极发生阳极溶解,然而由于Mg2Si中活性较高的元素Mg的优先溶解,不活泼元素Si的富集,致使Mg2Si电位正移,甚至与其边缘Al基体发生极性转换,导致其边缘Al基体的阳极溶解。当n(Mg)/n(Si)〈1.73时,随着腐蚀的进行,合金晶界同时会有Mg2Si析出相和Si粒子,腐蚀首先萌生于Mg2Si相和Si边缘的无沉淀带,而后,Si粒子一方面导致其边缘无沉淀带严重的阳极溶解,另一方面加速Mg2Si和晶界无沉淀带的极性转换,从而促使腐蚀沿晶界Si粒子及Mg2Si粒子边缘向无沉淀带发展。

  • 标签: AL-MG-SI合金 晶间腐蚀 腐蚀机理 电化学行为 MG2SI SI
  • 简介:

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  • 简介:利用SOI衬底生长部分/完全耗尽结构的晶体管或用应变沟道提高器件性能可制备出高性能CMOS逻辑器件;这两种方法均可用于CMOS结构,也可单独用于提高器件性能。将应变用于器件沟道,可将沟道迁移率提高50%,从而提高了器件电流。SOI晶体管的好

  • 标签: SOI 应变SI 晶体管 CMOS FDSOI
  • 简介:Aconductionchannelmodelispropsedtoexplainthehighconductivitypropertyofnc-Si:H.Detailedenergybanddiagramisdevelopedbasedontheanalysisandcalculation,andtheconductivityofthenc-Si:Hwasthenanalysedonthebasisofenergybandtheory.Itisassumedthattheconductivityofthenc-Si:Hstemsfromtwoparts:theconductanceoftheinterface,wherethetransportmechanismisidentifiedasathermal-assistedtunnelingprocess,andtheconductancealongthechannelaroundthegrain,whichmainlydeterminedthehighconductivityofthenc-Si:H.Theconductivityofnc-Si:Hiscalculatedandcomparedwiththeexperimentdata.Thetheoryisinagreementwiththeexperiment.

  • 标签: 传导率 能带图 片状晶体硅
  • 简介:在大约431nm的蓝光在C+培植以后从取向附生的硅被获得,在顺序蚀刻的氢环境和化学药品退火。随化学蚀刻的增加,蓝山峰起初被一座红山峰最后提高,然后减少了并且代替。C=O混合物在C+培植期间被介绍并且在纳米Si的表面嵌入在退火期间形成了,并且最后被形成纳米硅与嵌入结构,它贡献蓝排放。介绍是光致发光的可能的机制。

  • 标签: C^+种植 退火 化学侵蚀 植入结构
  • 简介:首次提出在Ni中掺入夹层W的方法来提高NiSi的热稳定性。具有此结构的薄膜,经600-800℃快速热退火后,薄层电阻保持较低值,小于2Ω/。经Raman光谱分析表明,薄膜中只存在NiSi相,而没有NiSi2生成。Ni(W)Si的薄层电阻由低阻转变为高阻的温度在800℃以上,比没有掺W的镍硅化物转变温度的上限提高了100℃。Ni(W)Si/Si肖特基势垒二极管能够经受650-800℃不同温度的快速热退火,肖特基接触特性良好,肖特基势垒高度为0.65eV,理想因子接近于1。

  • 标签: Ni(W)Si 热稳定性 肖特基势垒二极管 XRD RAMAN光谱 卢瑟福背散射
  • 简介:EffectofCe-Mg-Si(lightRE)andY-Mg-Si(heavyRE)nodulizersonthemicrostructuresandmechanicalpropertiesofheavysectionductileironwasinvestigatedtodevelopthematerialofspent-nuclear-fuelcontainers.Twoas-castsweretreatedbythesamequalitypercentageoflightREandheavyRE,respectively.Fourpositionswerechosentostandfordifferentsolidificationcoolingratesofspecimens.Thetensilestrength,elongationandimpacttoughnessofspecimenstreatedbyheavyREwereallhigherthanthoseofthespecimenstreatedbylightRE.Withthedecreaseofcoolingrate,themechanicalpropertiesoftwospecimensdecreased,andthefracturemorphologychangedfromductilefracturetobrittlefracture.TheimprovingeffectofmechanicalpropertiesbetweenheavyREandlightREwasobviousduetothebetteranti-degradationpropertyofheavyRE.Whilethesolidificationprocesslastedformorethan250min,theimprovingeffectwasnotobviousduetoseriousspheroidalizationdecaying.

  • 标签: 大断面球铁 机械性能 微观结构 球化剂