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TCAD在“半导体工艺”课程中应用的教学探讨

作者：戚玉婕
学科：文化科学 > 教育学
创建时间：2013-03-13
出处：《扬州教育学院学报》 2013年第3期

简介：分析了TCAD技术的主要功能，探讨其在“半导体工艺”课程教学中的应用。并以半导体工艺中的蚀刻为例，利用TCAD技术中ATHENA工艺仿真模块，对比了湿法蚀刻和干法蚀刻的特点。
标签： TCAD ATHENA 半导体工艺蚀刻

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TCAD在半导体工艺课程虚拟实验中的应用

简介：“半导体工艺”是一门理论与实验结合紧密的课程，通过TCAD虚拟平台开展实验教学，可节约成本、减少实验时间，可增强教学的直观性、提高教学效果，还可激发学生学习兴趣，增强实践、创新能力。
标签： TCAD 半导体工艺虚拟实验教学

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辐射陷阱电荷对0.18μm N-MOSFET转移特性影响的TCAD仿真

简介：利用TCAD仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μmN沟道MOSFET转移特性的影响.构建了0.18μmN沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总剂量（totalionizingdose,TID）效应影响下,负栅压偏置时器件中电流密度的分布情况.分析了器件浅槽隔离层（shallowtrenchisolation,STI）中氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷对器件泄漏电流的影响.仿真计算了N-MOSFET的转移特性,仿真结果与辐照试验结果受辐照影响的趋势基本一致,为深亚微米MOS器件的总剂量辐射效应的损伤机制提供了一种分析手段.
标签： TCAD仿真深亚微米MOS器件总剂量辐射效应辐射陷阱电荷

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