简介:2003年,瑞典皇家科学院决定将该年度的诺贝尔物理学奖颁给AlexeiA.Abrikosov,VitalyL.Ginzburg和AnthonyJ.Leggett,以表彰他们对超导和超流理论开创性的贡献。
简介:测定了在高压条件下两种金属(钙和锌)的8-羟基喹啉络合物的晶体粉末样品的发光行为和原位X光衍射光谱.结果表明,压力对其发光性质产生极大的影响.随着压力的增加,8—羟基喹啉钙的发光强度在3GPa以内时大大增加,随后发光强度快速下降.到7GPa左右时几乎为零,而8-羟基喹啉锌的发光强度随压力的增加而逐渐降低,到7GPa左右时约为常压的10%。高压下的原位X光衍射结果表明,8—羟基喹啉锌的晶体在3—4GPa开始发生非品化相变,在7GPa时该非晶化相变完成,样品的x光衍射完全消失.而8—羟基喹啉锌在压力的作用下(至16GPa)没有发生明显的相变。
简介:根据毕奥-萨伐尔定律求出了同轴等大圆形载流线圈的磁场分布,运用数学软件Maflab绘出了其磁感应线的分布图。
简介:基于第一性原理,计算了MgSiP2的能带结构,结果显示压强减小了能带带隙值,部分电子有效质量随着压强增大而减小。费米能级附近电子态密度计算结果显示:随着压强的增大,价带顶电子态密度的斜率逐渐减小,而导带底电子态密度的斜率逐渐增加。结合半经典玻耳兹曼理论,分别计算了p型和《型MgSiP2的电导率与弛豫时间的比值、赛贝克系数以及功率因子与弛豫时间的比值。结果发现:压强所致部分电子有效质量的减小,提高了p型和.型MgSiP2的电导率,但在一定程度上降低了MgSiP2的赛贝克系数。在压强作用下,相对于n型MgSiP2,,型MgSiP2的电导率增加幅度更大,补偿了压强所致乡型MgSiP2赛贝克系数的降低,提高了型MgSiP2的功率因子,使其大于n型MgSiP2的对应值。计算结果表明,通过增大压强可以提高p型MgSiP2的热电性能,为实验制备具有良好热电性能MgSiP2提供了指导方案。
简介:针对基础物理实验教学长期以来存在的许多弊端,分别从课程体系、课程内容、教学方法、教学手段等方面提出改进意见,旨在更好的达到基础物理实验教学的效果。