简介：用一维多群辐射输运流体力学RDMG程序数值模拟研究了非平衡辐射烧蚀CH薄膜的特性和规律。在数值模拟时，分别选取由神光Ⅱ实验给出的黑腔辐射场不同时刻的谱分布和等效辐射温度TR随时间变化的曲线，由TR(t)=(4R(t)／ac)^1/4，其中，c是光速，a=4σ/c=7．57×10^-15erg／(cm^3·K^4)，σ是斯特藩-波尔兹曼常数。)给出每时刻相应的辐射流FR，然后以5个时刻的谱为基准进行插值，给出相应时刻的非平衡烧蚀驱动能源的辐射流谱。

简介：氩是生产氧的空分设备的一种副产品,从空分设备得到的粗氩纯度大约为94%～97%,含氧3%～6%,含氮0.05%～1%。空分设备可生产含氧量较低的粗氩,但原料空气中氩的提取率就会陡然下降。一般将粗氩进一步净化得到高纯度氩。净化第一步是将氢加入粗氩中,并通过催化装置,粗氩中的氧与氢反应生成水,然后将水份除掉,剩

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简介：提出一种运用振动样品磁强计来确定磁性薄膜难磁化方向的快捷有效测试方法。通过先确定样品难磁化方向的大致方向、大致位置、准确位置等三步进行实施。在测试中由于减少了每次转动角度都要施加外磁场饱和再降为零,读取剩余磁化强度的过程,从而大减少了测试时间,快速有效的找到了难磁化方向。

简介：在低温下制备了粒径小于10nm的ZnO纳米晶，用旋涂法制备ZnO纳米晶薄膜，XRD分析ZnO晶相是纤锌矿结构；SEM与AFM表明，纳米晶薄膜在300％退火后薄膜的厚度明显减小到130nm，表面粗糙度降低到3．27nm，粒径明显增大；紫外-可见吸收和透射比光谱表明，随着退火温度的增加，吸收边发生了红移，吸收肩更明显，薄膜具有高的透射率（75—85％）；薄膜方阻随温度增加而增大，300℃以下退火方阻增加很小（小于8．5Ω／sq），400℃以上退火方阻大幅增加（大于21．1Ω／sq），因此，ZnO纳米晶薄膜最优退火温度点为300℃。

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简介：摘要：纳米银线透明导电薄膜具有优异的光学透过性和导电性能，是最有可能替代ITO的材料。本文简要地叙述了纳米银线的生长机理，着重介绍了近年来纳米银线的激光束焊接、化学焊接、电阻焊接及冷焊等焊接工艺现状，并对纳米银线透明导电薄膜的应用前景进行了展望。

简介：文中采用磁控溅射方式在铁氧体基片上制备了微带隔离器的多层膜结构。通过带金属掩模版溅射电阻层,避免了对薄膜电阻的光刻和刻蚀;通过使用铜靶和湿法刻蚀,克服了对溅射用金靶、反应离子刻蚀等工艺技术和设备的依赖。该新型工艺方法简化了镍铬薄膜电阻的制作,降低了薄膜电路的制造成本,可应用于集成电阻的薄膜电路基板的研制。

简介：薄膜结构与风环境之间存在着较强的耦合作用,并且这种耦合作用往往是薄膜结构动力稳定的决定性影响因素.附加质量是表征这种耦合作用的主要参数之一.本文以薄膜结构与风环境的静力耦合模型为基础,给出了附加质量的三种计算方法:势流理论法、简化流体力学模型法以及基于声学理论的有限元法,并对它们的适用范围进行了初步分析,为薄膜结构的风致动力效应研究奠定了基础.

简介：研究了壁尖等厚干涉问题,对其光程差公式进行了严格推导,阐明了传统教材光程差公式成立的条件。

简介：本文介绍了透明蒸镀薄膜GL膜高阻隔、耐高温等特性及应用领域，并分析了其质量影响因素。

简介：40多年的风雨历程，铸就潞西优势农业产品生产企业优质的塑料薄膜产品，覆盖滇西大部分农村消费市场

简介：以Sr（OOCCH3）2·H2O,Ti（OC4H9）4为原料,用溶胶-凝胶工艺成功地进行了STO薄膜的制备,溶胶薄膜经过575℃-725℃/60min退火形成立方钙钛矿结构.用XRD、SEM等进行了结构和形貌表征,证明了该薄膜是纳米晶体结构,制定了SrTiO3薄膜的最佳退火工艺.STO薄膜的介电特性分析：在100kHz下,室温时,STO薄膜的介电常数为475而介电损耗为0.050.

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简介：针对用支撑组合楼板的钢梁，该文提出一种基于性能化设计的方法，这种方法可以允许设计者只对部分的钢梁进行防火保护。这种方法是以前楼板和钢梁组合薄膜效应的发展，而以前只考虑了组合楼板的薄膜效应。而且，该文所提出的方法考虑了因各种变形模式所引起的楼板薄膜效应的差别，即在火灾中通过改变所假定的屈服线模式来考虑组合楼板和梁的受力状态。

简介：本文介绍了水溶性聚乙烯醇包装薄膜的主要应用。由于水溶性聚乙烯醇包装薄膜具有特殊的性能，它非常符合人们对包装的环保要求，便于实施大包装内配小包装的配套包装方式，因而受到了包装行业的广泛重视，具有广阔的开发应用前景。

简介：通过射频磁控溅射的方法制备了Ta掺杂SnO2薄膜，研究了薄膜的结构和低温下电阻率随磁场的变化规律.测量表明低温下呈现出负的磁电阻，但是，二维、三维弱局域理论均不能解释样品中出现的负的磁电阻现象.综合考虑了三阶微绕近似的s-d交换哈密顿的半经验公式△ρ/ρ=-B1^2ln（1＋BH））和双能带模型的相关公式Δρ/ρ=B3^2H/（1＋BH）拟合了样品在5T以下的磁电阻的数据，理论和实验符合得很好．结果表明Ta掺杂SnO2薄膜中的磁电阻源于局域磁矩的传导电子散射．

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