简介：摘要目前航空空心叶片热成形的工艺参数选择不够合理，使得叶片成形质量欠佳。由于板料较厚且属于加热成形范畴，使得板料的起皱缺陷和拉裂缺陷不容易发生或不明显，而叶片成形后的厚度不均匀和回弹缺陷突出。因此为了深入了解成形工艺参数对叶片成形质量的影响规律，本章以成形时主要工艺参数板料加热温度、摩擦系数、压边力和保压时间作为因子变量，以叶片成形后的最小厚度值量和最大回弹量（Z向）为目标变量，通过控制变量法来研究空心叶片背弧成形时的最佳工艺参数区间，为后续的需要最佳的工艺参数组合提供基础。

简介：引线键合在多芯片微波组件微组装上应用广泛,通常会用金丝实现芯片与基板、基板与基板间的互连。自动金丝球焊是互连方法的一种,它具有生产效率高、一致性好的特点。文章针对在生产过程中出现的第一键合点成球缺陷展开原因分析,即键合工艺参数不当、真空系统故障和线夹间距不当等。系列试验验证,线夹间隙不当可造成上述缺陷,解决该问题的办法是将线夹间隙调整到0.05mm。

简介：气密封装对采用裸芯片组装而成的多芯片组件至关重要,它可以让组件内部长期保持惰性气氛,降低元器件因湿气造成的环境失效。可伐材料是一种常用的封装材料,在微组装领域应用广泛。为弥补这种材料材料密度大、导热性能差的缺点,结构上选择铝碳化硅材料增强散热效果,同时达到减重的目的。采用低温钎焊工艺进行材料间连接,针对前期研制过程中出现的半密封检漏不合格问题进行分析,开展焊料选择、焊接参数优化工作,使半密封检漏漏率小于5×10-2Pa·cm3/s。

简介：确信电子组装材料部（CooksonElectronicsAssemblyMaterials）现已在全球范围推出无松香波峰焊助焊剂ALPHAEF-6000，这是其EF系列环保助焊剂的最新产品，专为新型无铅工艺和锡铅工艺而设计。在组装厂商从锡铅工艺转向无铅工艺的过程中，

简介：国家经济贸易委员会1999年12月30日公布第16号令:《淘汰落后生产能力、工艺和产品的目录》(第二批)已经国务院批准,现予发布,自2000年1月1日起施行。

简介：精细图形制作的前处理工艺对印制电路板的铜表面粗糙度影响很大。对一款新开发的PTFE覆铜板表面采取机械磨刷、喷砂研磨、化学微蚀3种前处理工艺,通过SEM及粗糙度结果分析了处理后铜面的粗化效果。结果表明,化学微蚀前处理方式有利于获得较好的铜面外观,采用相应的图形制作工艺参数可达到较好的线宽精度要求。

简介：7月22日,VirageLogic公司和中芯国际集成电路有限公司共同宣布其长期合作伙伴关系扩展到40nm的低漏电工艺技术。VirageLogic公司和中芯国际从最初的130nm工艺合作起便为双方共同的客户提供具高度差异的IP,涵盖的工艺广泛还包含90nm以及65nm。

简介：前言：这一课程强调实施无铅焊接焊接的必备知识。包括背景，焊料，表面镀层，元器件，基板，组装工艺，返工和无铅焊接的可靠性。此外，还讨论失效模式，挑战和解决办法。

简介：本文介绍了轴承的水基清洗的工艺技术及其开发使用的自动清洗线的应用实例。以水基清洗轴承替代了传统的汽油清洗和强酸清洗的工艺，其清洁度达到了产品质量要求标准，其废水排放达到了环保要求标准，这一实例不仅适宜中小型轴承厂。更适合大型轴承厂采用，它为轴承清洗领域提供了一种新思路，很有参考价值，值得推广。

简介：前言：这一课程强调实施无铅焊接焊接的必备知识。包括背景，焊料，表面镀层，元器件，基、板，组装工艺，返工和无铅焊接的可靠性。此外，还讨论失效模式，挑战和解决办法。

简介：日本富士通微电子株式会社与台湾积体电路制造股份有限公司于4月30日宣布双方将在先进工艺技术生产上建立合作，并为富士通微电子制造产品。根据两家公司的协议，富士通微电子将扩展其40nm逻辑芯片世代至台积公司生产。

简介：采用粘塑性Garofalo—Arrhenius模型描述无铅焊料的蠕变行为，确定了96．5Sn3.5Ag焊点材料的模型参数。采用与固化过程相关的粘弹性力学模型描述倒装焊底充胶的力学行为。利用有限元法模拟了无铅板上倒装焊在封装工艺及热循环条件下的应力应变行为。结果表明由于无铅技术在封装中的引入，封装工艺对倒装焊器件的影响更为重要。

简介：澎湃新闻8月16日获悉，中国电子信息产业集团积塔半导体有限公司特色工艺生产线项目在上海临港正式开工。积塔半导体特色工艺生产线项目位于上海临港装备产业区，占地面积23万平方米，项目总投资359亿元，目标是建设月产能6万片的8英寸生产线和5万片12英寸特色工艺生产线。产品重点面向工控、汽车、电力、能源等领域，将显著提升中国功率器件（IGBT）、电源管理、传感器等芯片的核心竞争力和规模化生产能力。

简介：最近在镇江市新区大学创业园区,由国内资深专家团队领衔的江苏豪然喷射成形合金有限公司自主创新,成功开发了国内首台（套）大型喷射成形装备、自动生产控制系统和成熟工艺技术。高硅铝合金复合材料试制成功并投入生产,其技术指标赶超国际先进水平,

简介：锐迪科微电子（以下简称“RDA”）近日宣布累计量产20亿颗GSM功率放大器芯片，并正式推出全系列硅基CMOS工艺的GSM功率放大器RTM72xx产品。自2007年7月份推出第一款GSM射频功率放大器芯片（以下简称“PA”）以来，RDA凭借其产品稳定可靠的品质和卓越优良的性能，获得了客户的广泛认可。截止2017年2月份，实现累计出货20亿颗。历经近十年的市场严酷考验，RDA的GSMPA芯片已成功应用于各个平台的手机和模块中，RDA成为GSM市场最成功的本土PA公司。

简介：新思科技有限公司（Synopsys,Inc.）日前宣布：该公司所提供经芯片生产验证的DesignWareTM数据转换器IP,已被应用于中芯国际广受欢迎的65nm低漏电（LowLeakage）工艺技术。这可帮助设计工程师更有效地提升其芯片的功率,并在集成设计上达事半功倍之效。