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29 个结果
  • 简介:针对传统简谐振动图像演示仪存在的不足,气垫弹簧振简谐振动正弦曲线合成演绘仪利用气垫导轨,在弹簧振上安装一强激光器,在气垫导轨的前端安放一热转印卷纸的走纸机构,当弹簧振在气垫导轨上作简谐振动时激光器跟随振一起运动,强激光打在匀速向上运动的卷纸上,两运动一合成得到简谐振动正弦曲线图像。仪器结构简单,操作方便,学生能很好理解简谐振动曲线的形成过程,演示效果好。

  • 标签: 气垫导轨 弹簧振子 简谐振动 曲线 合成
  • 简介:本文运用铅同位比值法,对广西三种类型古代铜鼓的矿料来源进行了考证。测试了95个样品,以充分的实验事实说明北流型和灵山型铜鼓的矿料来自北流铜石岭及其周围一带。广西出土的冷水冲型铜鼓铅同位分布场大致可分为三个区域,其中Ⅱ、Ⅲ两个区域已找到对应的矿料来源。但Ⅰ区尚未在广西找到矿料来源。可能这些铜鼓是在广西以外的地区铸造,后来再传入广西的,这一问题尚需进一步研究。

  • 标签: 铅同位素比值 矿料来源 冷水冲型铜鼓 北流型 古代铜鼓 灵山型
  • 简介:对InPDHBT进行了钴源辐射试验,研究了InPDHBT在不同偏置条件下的电离剂量效应.使用KeysightB1500半导体参数分析仪,测试了InPDHBT的Gummel和输出I-V参数,分析了辐射敏感参数在辐射过程中的变化规律,研究了器件功能失效和参数退化的原因.研究表明:将InPDHBT置于不同的偏置条件下,产生数量不同的氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷,导致器件的功能失效阈值也不同.

  • 标签: INP DHBT 总剂量辐射 偏置 退火效应 ^60Coγ
  • 简介:锂作为最轻的金属元素,在质谱测量中会发生显著的同位分馏效应。国内外有关锂同位的质谱分析研究,多针对的是地质、环境、宇宙学等领域,测定的样品中锂含量都在微克以上量级。针对特殊要求,需要发展纳克量级的痕量锂质谱分析技术。

  • 标签: 锂同位素 质谱测量 高精度 质谱分析技术 同位素分馏效应 金属元素
  • 简介:锂作为最轻的金属元素,在地质学、天体物理学和核工业等领域,得到了广泛的应用,这些应用都要求对锂同位丰度进行准确测定。测定锂同位丰度常用的方法为热表面电离质谱法,但是测量存在系统偏差,需要校正,目前所用的校正方法有标准校正法和校准质谱法。

  • 标签: 测定技术 同位素质谱 同位素稀释 同位素丰度 校准质谱法
  • 简介:全回流是低温精馏分离氢同位的一种重要操作模式,由于此模式下系统不受外界进料等因素的扰动,可以方便地获得再沸器加热功率对系统分离性能和温度、压力、液位等重要参数的影响。在全回流模式下,再沸器加热功率提高后,精馏柱内气液两相传质充分,因此再沸器加热功率作为可调参数可改善系统分离性能,但再沸器加热功率提高后,精馏柱内气体线速度加大,造成床层压降加大,有可能带来液泛等问题。

  • 标签: 氢同位素 精馏分离 流模式 低温 加热功率 实验
  • 简介:在分析SRAM型FPGA单元电路及芯片辐照效应实验数据的基础上,借助计算机仿真模拟,研究了大规模集成电路抗辐射性能的敏感性预测技术。采用分层仿真和评价的方法,先由上而下,根据器件参数要求分配性能指标,再依据实验数据,借助数值模拟,由下而上检验性能阈值、裕量及其不确定度,最终给出整个FPGA的可信度值,确定了敏感单元电路,并且通过X射线微束剂量实验对结果进行验证。建立的电路级数值模拟方法为累积电离剂量效应敏感性预测研究,提供了技术支撑。

  • 标签: 电子器件 总剂量效应 试验技术 电路模拟 敏感性预测
  • 简介:首次在温和条件下,用在传统微孔沸石合成中常作为导向剂的乙二胺或1,6-己二胺替代NaOH作催化剂合成出SiO2基中孔MCM-41分筛。合成样品用XRD和N2吸附等温线进行表征。实验结果表明,由于这种替代,使相应合成样品及焙烧样品的中孔骨架结构的有序度明显提高。在XRD图中四个衍射峰清晰可辨,是典型的六方紧密堆积,晶胞参数a0分别为4.11nm和3.75nm,且d100值随所用胺分子中碳链的增长逐渐从3.56nm减少到3.24nm,同时产物孔径由中孔转变为微孔。更多还原

  • 标签: MCM-41 乙二胺 1 6-己二胺 合成 表征
  • 简介:氧化铝弥散强化铜合金是国际热核实验堆(ITER)的备选热沉材料之一,氘在其中的渗透滞留行为关系到ITER运行的安全性。通过气体驱动渗透平台测定了实验温度621~803K时氘气在氧化铝弥散强化铜合金中的渗透参数;通过热脱附谱实验平台记录了2种氧化铝弥散强化铜合金以及CuCrZr的热脱附曲线。结果表明:在相同温度区间内,氘气在氧化铝弥散强化铜合金中的渗透系数与纯铜及CuCrZr接近,说明氧化铝弥散相对氘气在氧化铝弥散强化铜合金中的渗透系数基本没有影响,而扩散系数比在纯铜和CuCrZr中都低,且在低温时显著降低;2种氧化铝弥散强化铜合金均有3个脱附峰,而CuCrZr合金只有1个脱附峰。

  • 标签: 渗透 滞留 弥散铜 热脱附