简介：来自纽约市立大学的科学家们通过植入光发射纳米晶体，成功获得了同时具有光发射和光捕捉能力的超材料。由物理学家VinodMenon领导的这项工作或引领包括超快LED、纳米级激光和高校单光子源在内的一系列应用。

简介：由于采用先进的摩擦搅拌焊接技术，加快了NASA空间运载系统（SLS）的新一代重型运载车研制进程。SLS项目经理ToddMay在米舒空间飞行中心（MarshallSpaceFlightCenter，Huntsville，Ala．）说：“NASA在采用摩擦搅拌焊接技术制造外箱体方面的成就使其处于领先地位，同时还减少了项目成本、增加了可靠性并首次制造出具有超级机械性能的硬件。”

简介：介绍了具有广阔应用前景的平板显示器件——场致发射显示板及其优良的显示性能。三极结构具有低压调制的优点，而后栅极场致发射显示板更具有结构简单、发射均匀性好的优势。采用丝网印刷工艺成功地制作了后栅极场致发射显示板，利用碳纳米管作为阴极材料，并对介质层厚度对器件的影响、老炼、发光均匀性等问题进行了探讨。

简介：为了克服用Fe（NO3）3、Mg（NO3）2体系催化剂自由生长出的碳纳米管缠绕程度较严重，分布不均匀的缺点，采用丝网印刷催化剂的方法将其印刷在石英、硅和钛三种不同的基底上，结果表明，在石英基底上，用CVD法制备的碳纳米管分布较均匀，有效地克服了团聚现象，并用其作为场发射的阴极进行场发射实验，实验表明，该阴极开启场为2．2V／μm，在电场强度为3．0V／μm下，阳极电流为46．6uA，场发射电流稳定，波动小于5％。该阴极可望应用于场致发射显示器、液晶显示的背光源、照明光源等器件。

简介：通过低压化学气相沉积法在硅片上制作碳纳米管薄膜阴极,用真空荧光显示器的封装工艺,制备了碳纳米管场发射显示器试验性样管。比较测试可知,直接测量显示屏的器件电压和测试电源驱动电压所得结果是不同的,用后者代替前者不够合理。通过光亮度与电压、电流、功率的关系曲线比较分析可知,用光亮度与电流成线性关系的结论表征碳纳米管场发射显示屏的性能比用电压更合理,更利于器件的分析和设计。

简介：德国Ⅵ系统公司宣布研制出第一个通过多模光纤数据传输速率达40吉比特／s（40Gbit／s）的单VCSEL（垂直腔面发射激光器）。2009年1月份在美国加州SanJose召开的光子学会议上，该公司刚介绍了其20吉比特／s的器件，目前又使它的量子点激光器的调制速率提高了1倍。该公司利用其VCSEL和PIN光探测组件实现了通过多模光纤的40吉比特／s连续传输，这是850hm（波长）光发射的刨记录器件，是用与20吉比特／sVCSEL相同的光刻掩模研制的，但对外延结构作了改进。这种器件设计利用GaAs量子阱中的InAs量子点，并嵌入到AlGaAs基体中。

简介：提出了一种基于碳纳米管场发射阵列的全彩色大面积平板显示器模型,该显示器的阴极和栅极位于同一个平面上,阴极和栅极之间的沟槽用激光束刻蚀形成,工艺简单,实验得到的电子传输比可以提高到29.3%。

简介：2006年9月11日，2006第五届中国（国际）纳米科技西安研讨会在古城拉开帷幕，许多国内外纳米专家出席了本次盛会。茶歇期间，我们有幸对教育部长江学者、北京大学物理系教授、国内从事半导体纳米线资深学者——俞大鹏进行了采访。