简介：近年来，砷化镓器件的发展极为迅速.其中，欧姆接触的制作是器件研制的关键工艺之一。为了提NGaAsPHEMT器件欧姆接触的性能和可靠性水平，文章比较了三种常见的GaAsPHEMT器件欧姆接触制备技术的差异，分别是：分层蒸发、溅射＋蒸发、双源共蒸通过传输线模型（TLM）法测试数据以及微细形貌分析，得出双源共蒸工艺制备的欧姆接触的电阻率和均匀性综合特性最佳，因此认为双源共蒸技术在大尺寸GaAsPHEMT圆片工艺中具有最优的综合特性。
PHEMT欧姆接触的双源共蒸技术
