简介：VishayIntertechnology，Inc．日前发布新款采用热增强型PowerPAK@SO-8封装的新款N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiR872ADP，将该公司的ThunderFET@技术的电压扩展至150V。VishaySiliconixSiR872ADP在IOV和7．5v下的导通电阻低至18m12和23mΩ，同时保持低栅极电荷，在10V和7．5V下的典型电荷为31nC和22．8nC。

简介：如果您的下一个设计的电路板功耗可以降低25％N30％，甚至更多，是不是很理想？对一些设计而言，这一改善是不错的，但对其他的设计而言，如要使用最新的高性能集成电路而使设计具有竞争力，这就是必需的。为什么呢？因为新的ASIC、SoC和处理器技术都可以用一句话来概括——它们需要散热!

简介：为了满足电子行业无铅化的迫切要求,PCB沉银表面处理的优异性能及合理成本,被认为是最佳的选择.但是对PCB制造商普遍认知的沉银工艺的功能性缺陷“贾凡尼效应”(侧蚀现象)却缺乏系统的研究.文章主要研究在沉银置换反应中线路铜被腐蚀而使线路阻值增大或线路开路的侧蚀问题.

简介：阻焊油墨是PCB制造中所需的重要材料。随着PCB布线的高密度化、精细导线化和微小孔结构化,对阻焊油墨进一步要求其精密化、高分辨率、高感光度等方面的提高。本文通过尝试设计辅助碱溶性感光树脂开发出一款低侧蚀、高感度的液态感光阻焊油墨。

简介：6月18日凌晨,位于西安市南郊一处的变电站系因设备故障而引起爆炸起火,逾8万用户一度停电.由于该变电站供应附近多处半导体厂的供电,使得设置于该区的三星、美光、力成等半导体厂也都受到不同程度的影响.其中,在附近的三星半导体工厂成为“最受伤”的公司.据悉,它是目前三星电子唯一个对3DNADAFlash进行量产的工厂.此次事故可能通过影响3D闪存芯片的产量,进而对下游固态硬盘市场产生影响.据三星电子估算,由于生产受到影响,损失规模可能达到数百亿韩元.

简介：

简介：中国移动研究院，中国移动全资子公司中移物联网有限公司和高通公司子公司QualcommTech-nologies公司日前正式发布了基于高通9150C-V2X芯片组解决方案的全新符合3GPPRelease14LTE-V2X直接通信的路侧单元。