简介:随着光器件在空间环境和辐射环境中的广泛应用,在国际上对光器件抗辐射性能的研究越来越多。为了提高光器件的抗辐射性能,满足空间应用的各种需要,文章介绍了空间辐射环境,空间辐射对光器件的影响和辐射损伤机理,主要是光纤、激光器、光探测器、光纤陀螺的辐射效应和损伤机理。同时,概述了航天用光器件的抗辐射加固技术及其最新进展。通过采用抗辐射加固技术,大大提高了空间应用的超辐射发光二极管(SLD)、超荧光光纤(SFS)光源、1310nm波长的InGaAsP/InP半导体激光器、电荷耦合器件(CCD)、互补性金属氧化物半导体(CMOS)器件的抗辐射性能和可靠性。
简介:表面活性剂能改变溶液的表面张力,提高溶液的洗净能力。本文从表面活性剂的基本概念出发,分析清洗工艺过程中涉及的界面、表面自由能或表面张力,进而由表面活性剂的基本特性出发,介绍亲水基、疏水基、润湿性和润湿倾向,以及表面活性剂的分类等概念,并着重讨论影响表面活性剂去污作用的因素:表面活性剂的吸附性、表面活性剂胶团化能力,及表面活性剂的化学结构与洗净力。根据寻找替代ODS清洗剂的原则,提出适用的表面活性剂的条件,应用cmc、HLB分析。经研究和开发,在全水基清洗、半水基清洗中,采用非离子表面活性剂较为合适,它能更好地发挥表面活性剂的作用。文中也提出了尚有一些工艺问题需要进一步改进。
简介:磷酸酯两性表面活性剂是一种新型的两性表面活性剂,它具有多功能的特点.在清洗剂的配方中它既可以发挥表面活性剂的作用又可以发挥水溶助长剂的作用.文章对商品牌号为PhosphotericT-C6的磷酸酯两性表面活性剂的性能做了全面介绍,它在做主表面活性剂时有优异的去垢性能,在与其它表面活性剂混合使用时能提高去污效果,它还具有易冲洗的特点,它有良好的相容性和化学稳定性,所以可用在含有过氧化物或过酸等强氧化剂、强酸或强碱的清洗剂配方中,适合用于对多种基材的清洗.为介绍它优异的水溶助长性能,文章对水溶助长剂及其机理进行了介绍.文章还列举了PhosphotericT-C6各种应用的具体配方.
简介:提出了一个基于商用65nm工艺在晶体管级设计抗辐射数字标准单元库的方法。因为当C单元的两个输入是不同的逻辑值时输出会进入高阻模式,并保持输出逻辑电平不变,而当输入端有相同的逻辑值时,C单元的功能就像一个反相器的特性。因此它有把因为辐射粒子引起的单粒子翻转(SEU)效应或单粒子传输(SET)效应所产生的毛刺滤除掉的能力。在这个标准单元库中包含了在晶体管级使用C单元设计了抗辐射的触发器,以便于芯片设计者可以使用这个库来设计具有更高抗辐射能力和减小面积、功耗和延迟的芯片。在最后为了能表征标准单元在硅片上的延迟特性,一个基于环形振荡器的芯片结构用来测量每个单元的延迟,以及验证抗辐射能力。延迟测量结果跟版图后仿真结果偏差在10%以内。