简介：<正>问题的提出笔者在制造一台高压冲击电流发生器(波形为10/310μs,10/1000μs)时,脉冲的重复周期为1s、2s、3s、4s、5s、6s……20s可调,脉冲的极性要求是正负可变和输出正负极性相间的脉冲。需要一个开关,电路如图1所示,对这个开关的要求是断路时承受全部高压,通路时电流变化率要快,流通电流约100App。

简介：<正>《今日电子》报导,用拥有中国自己专利技术的开关电源芯片生产的手机充电器在天津手机国际采购配套会上成功展出。南京通华电信有限公司去年七月在国内率先研制出两款投入商用的开关电源芯片,包括正在开发的PFC等三款芯片,申请有8项国际专利,使国内的制造企业生产出第一个采用自己的电源芯片的电视机、计算机电源、LCD显示器、DVD、DVB、传真机、手机充电器等产品。而成本都大大低于国外的芯片解决方案。

简介：利用LiNbO3的电光效应,设计了一种新型的光开关.它不但避免了外加半波电压这一瓶颈,而且继承了传统开关开关速度快这一优点,为光通信和下一代全光网络提供了一种有效的光开关方案.

简介：在柔性LCP基板上制备RFMEMS开关,加工难度较大,影响开关质量的因素较多。主要研究影响LCP基RFMEMS开关加工质量的主要因素,寻找工艺过程控制解决方案。通过对关键工序的试验,对加工过程中的基板清洗、LCP基板覆铜面镀涂及整平、LCP基板无铜面溅射金属膜层、LCP基板平整度保持、二氧化硅膜层生长及图形化、牺牲层加工、薄膜微桥加工、牺牲层释放等工序进行了参数优化。研制的LCP基RFMEMS开关样件频率≤20GHz、插入损耗≤0.5dB,回波损耗≤-20dB,隔离度≥20dB,驱动电压30~50V。该加工方法对柔性基板上可动结构的制造具有一定的借鉴价值。

简介：速度和损耗是光开关的两项重要特性指标.文章在介绍SOI热光型和电光型开关工作原理的基础上,分析了波导层和埋层二氧化硅厚度、电极材料、载流子寿命以及掺杂、界面质量、模式失配度和对准性等等因素对于速度和损耗的影响,并相应的提出了一些改善方案.

简介：RFMEMS开关是用MEMS技术形成的新型电路元件，与传统的半导体开关器件相比具有插入损耗低、隔离度大等优点，将对现有雷达和通信中RF结构产生重大影响。文章介绍了RFMEMS开关的基本工艺流程设计，工艺制作技术的研究。实验解决了种子层技术、聚酰亚胺牺牲层技术、微电镀技术的工艺难题，制作出了RFMEMS开关样品，基本掌握了RFMEMS器件的制作工艺技术。RFMEMS开关样品测试的技术指标为：膜桥高度2um～3um、驱动电压〈30V、频率范围0～40GHz、插入损耗≤1dB、隔离度≥20dB，样品参数性能达到了设计要求。

简介：研究了多个阵元在辐射相同单频信号时可能产生的效果,仅是阵列在电子信息传递中所起作用的一部分研究。可以用信号的强度和发射方向来表示合成电磁场远场效果,它们都是阵列馈电的函数。分析表明,合成电磁场可以表现为信号来自阵列所占方向跨度中的某一点,也可以表现为来自这个跨度外的某一点。具体地给出了这种阵列外虚假源的一般规律。

简介：分析了陆战场空域具有的空域动态化、用户多样化和管制方案动态化等特性,从战前作战空域预先管制计划、战备阶段或作战过程中作战空域实时管理及近实时调整空域管制计划描述了陆战场综合管理应具备的主要功能。通过对陆战场空域统一的综合管理和多兵种作战协同,才能保证多用户高效、安全、灵活地使用空域。

简介：从控制和驱动电路设计者的角度,设计了Mach-Zehnder干涉仪型SOI热光开关的电学模型,对模型的电学特性进行的模拟及实验电路验证表明所设计的模型可以用来在电学实验中取代SOI热光开关,最后讨论了电学模型的应用.

简介：本文介绍RST24/30型高频开关电源模块结构,性能,并用具体的技术指标说明,电源模块的性能可靠。

简介：<正>东芝公司宣布开发出一种带MIPIRFFE接口的SP1OT射频天线开关,其插入损耗堪称智能手机市场业界最低,尺寸堪称业界最小。该产品即日起交付样品。新产品运用了"TaRF5"——一种采用绝缘硅（SOI）技术打造的新一代TarfSOITM（东芝先进的RFSOI）工艺。相较于采用TaRF3工艺打造的产品而言,采用TaRF5工艺打造的新样品的插入损耗（f=2.7GHz）改善了25%,尺寸缩

简介：<正>M/A—Com公司开发出一种新的用于双波段、三波段和四波段GSM/GPRS/EDGE手机用的单刀6掷开关和被该公司称之为业界最小的用于GSM/GPRS无线用途的四波段发射组件。这种型号为MASWSS0091的新型开关是2.5V单极6掷高功率GaAs开关,是用0.5μm栅长GaAspHEMT工艺制作的。上述型号为MASWSS0091发射组件组合了PHEMT天线端口开关、两个双波段InGaPHBT发射功放、一个CMOS控制器和用于匹配和滤波的集成无源网络,其体积为0.03cm~3。

简介：采用耦合模理论,推导了环型谐振器的传输函数,分析了环型腔内功率的谐振加强特性,并在推导的非线性环型谐振器开关曲线的具体表达式基础上,指出损耗和耦合系数对开关特性的影响,数值模拟了非线性环型谐振器对不同输入功率Gauss脉冲的开关特性.

简介：封装是T/R开关的关键环节。开关封装失效主要包括外壳失效和LTCC基板失效。为了避免T/R开关失效,利用ANSYS14.0对封装进行模态仿真及加速度瞬态仿真,找出开关封装的加速度响应值以及受到应力时的频率特性,并通过随机试验和半正弦冲击试验验证仿真结果,验证封装可靠性。试验结果表明,目前的T/R开关封装可以保证组件能够承受40g以上的加速度冲击和振动。

简介：飞兆半导体公司推出一款USB2，0开关——FSUSB30，在现今日趋小型化和复杂化的电子产品中，能够最大程度地节省线路板空间，并拥有最佳的下载性能。FSUSB30在尺寸极小（1．4mm×1．8mm×0．55mm）的UMLP封装中集成了业界领先的带宽（〉720MHz）、低导通电容（6pF）以及最高的ESD保护（8kV）功能，从而实现高数据传输率、更小的ESD效应及出色的信号完整性。FSUSB30甚至在最小尺寸的终端应用产品中也能节省空间。

简介：一、引言目前，在亚洲和世界其它地区的发展中国家正在发生一场“农村通信革命”，即使用诸如WiFi，WiMAX和3G这样的先进通信技术，向数百万原先连基础电信业务都没有或几乎没有的用户提供高速互联网接入和下一代电话业务。掀起这场革命的动因主要是，城市市场趋于饱和，政府看到了发展农村通信带来的经济效益，

简介：大规模集成电路的出现，促进了电子设备的高功率密度化。这要求为之供电的直直变换器也随之高功率密度化。高频、高效开关变换是直直变换器实现高功率密度的基础。文章阐述了一种采用UC3844集成芯片实现的新型高压输入DC／DC反激开关电源，并给出了详细的电路参数及高频变压器的设计方法，该开关稳压电源采用双闭环电流控制模式，其输入、输出电路采用光耦隔离。

简介：T/R组件的热设计是有源相控阵雷达的核心技术之一。文章提出了针对高密度组件的各种散热措施,采用热仿真软件对T/R组件沟道温度进行仿真研究,并利用红外热分析仪进行测试验证,并将仿真结果与实验结果进行对比,两者结果吻合较好,满足T/R组件的使用要求。

简介：为了减小开关电源中的电磁干扰（EMI），研究了单片开关电源中的频率抖动技术，并简要介绍了频率抖动技术及其原理。设计一个具有频率抖动功能的弛张振荡器，分析了以弛张振荡器原理为基础具有频率抖动功能的振荡器结构设计和原理。通过HSPICE仿真分析电路频谱，结果表明频率抖动技术能有效削减方波的各次谐波幅值，从而达到抑制电磁干扰的效果。重点从抖动范围、抖动周期两方面讨论频率抖动模型，频谱对比分析结果表明抖动范围±7％、抖动周期为128T的抖动模型，其谐波至少下降6dB以上，高次谐波的峰值下降更为明显，满足6dB工程裕量的要求，能有效抑制电磁干扰。

简介：碳纳米材料家庭中的两名重要成员——碳纳米管和石墨烯,一直以来仅在实验室出现身影,近日却联手合作,加速相关研究进展,如混合能源储存应用,超电容器等。近日,密歇根科技大学的研究者将这两种纳米材料结合,应对一个难度更大的应用领域:电子器件。具体的一个例子就是,研究者们通过叠加碳纳米管和石墨烯成功制成电子开关。