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核科学技术
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LIGA技术X光深层光刻工艺研究

简介：通过在北京高能所3W1束线上进行的X光深层光刻工艺研究，获得了侧壁光滑、陡直、厚度达100μm，深宽楷比达20的光刻胶和金属微结构，表明该光束线适用于LIGA技术的研究。
标签： LIGA技术 X光深层光刻工艺曝光条件微加工技术微型机电系统

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LIGA工艺制造微驱动马达的初步研究

简介：
标签： LIGA工艺微驱动马达同步辐射深度X射线光刻

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全新深亚微米X射线T型栅工艺

简介：GaAs半导体材料可以提高器件运行速度，日益引起人们的注意，但是也给器件制造者带来了许多问题。在本文个，一个全新的可应用于HEMT器件的深亚微米X射线T型栅工艺被提出来，该工艺采用三层胶方法，曝光实验是在北京同步辐射3BlA束线上进行的，并且取得了好的结果。
标签： GAAS 半导体材料亚微米X射线T型栅工艺制造半导体器件 X射线光刻

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具有束线位置探测功能的同步辐射束线狭缝

简介：根据8．5XAFS束线改进工程的需要，我们设计了一种应用于同步辐射光束线的狭缝，该狭缝不但可限制同步辐射光束的截面尺寸，同时具有光束线位置探测功能。可以方便地测量光束的垂直分布及中心位置：迅速准确地准直狭缝及对光束移动做实时监测。
标签：束线位置探测功能 8.5XAFS束线改进工程同步辐射光束线狭缝

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在3W1束线上进行X光深层光刻工艺研究

简介：
标签： 3W1束线 X光深层光刻工艺集成电路同步辐射制造工艺

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