简介：采用大面积半绝缘型GaN（semi—insultingGaN，SI—GaN）晶体制备了电流型GaN辐射探测器，研究了探测器伏安（I—V）特性、7射线响应特性、灵敏度、电荷收集效率、脉冲响应等物理性能。结果表明，晶体表面与金属形成了良好的欧姆接触，探测器在600V偏压下暗电流低于400pA，电荷收集效率高于40％，探测器脉冲响应时间在ns量级。

简介：探测效率是高纯锗探测器的一个重要指标，实际工作中面对的测试对象经常是一些不规则的辐射体，使得用标准源刻度探测效率难以实现，为此通过理论方法研究刻度体源探测效率有着重要意义。但是理论模拟面对着模型刻画准确性的问题，为此，该项研究针对实验室的两台便携式高纯锗γ谱仪开展了理论计算的验证工作，通过两种方法作为验证基准，即：实验和基准程序计算。针对计算产生的偏差，探索了影响效率差异的各种因素，推导了修正公式，并对修正公式的有效性和适应性进行验证。修正后的理论结果与基准的比较见图1和图2。

简介：抗振型的闪烁探测器集双套独立的探测系统于一体，具备独立的自检功能，能够广泛应用于环境条件恶劣、小型化要求高的中子测量研究。

简介：为实现探测器响应率测量中辐射源的稳定红外辐射,利用高温黑体和干涉带通滤光片组合的方法得到了3.8μm中红外辐射,测量了HgCdTe中红外探测器的室温响应率.结果表明,通过上述组合方法获得了均匀的远场窄带红外辐射,可用于精确测量探测器在不同波段的响应率;分析了黑体源温度、干涉滤光片带宽和辐射距离对光功率密度的影响,并通过与其他标定光源的比对,验证了该方法的有效性.

简介：介绍了微结构半导体中子探测器的原理,从微结构形式、制作工艺、理论模拟及实验研究等方面综述了微结构半导体中子探测器近年来的研究进展。可以看出,微结构半导体中子探测器结构、参数、中子转换材料填充密度及甄别阀大小等因素对中子探测效率有影响。微结构半导体中子探测器具有中子探测效率高、体积小、时间响应快、工作偏压低等优点,是替代^3He正比计数管的理想器件。

简介：在室温下，该种探测器的暗流达到微安量级，即使在现有最强的γ辐射源下，输出的电流也仅有微安量级，信噪比只能达到约为1。以前使用的PIN半导体探测器，其γ光子灵敏度仅用理论计算值，计算值的可靠性与精度需实验标定检验，成功标定的关键就是如何提高探测器输出的信噪比。由于条件的限制，以前没有实际标定过。现在，利用PIN半导体探测器的暗流与温度有关这一规律，采用半导体制冷器降低探测器环境温度实现降低暗流的目的。

简介：为了分析电流型CdZnTe（CZT）探测器的脉冲线性,利用CZT探测器测量得到了脉冲宽度为50ns的脉冲X射线响应曲线,采用波形时间积分法分析了其线性特性。结果表明,以波形时间积分为测量目标量,当X射线照射量在0.160-0.826mR范围时,在10%的不确定度范围内,样品探测器可作为线性测量系统的探测器件;以幅值为测量目标量,工作电压为400V时,在5%的不确定度范围内,样品探测器可作为线性测量系统的探测器件。

简介：高速光电探测器阵列可对脉冲辐射场的时空分布进行高时间分辨连续测量,但对信号处理电路的性能和紧凑性提出了极为苛刻的要求。探测器阵列的信号处理主要包括探测器模拟信号调理前端和高速模拟信号实时采样处理后端。针对32通道1维光电探测器阵列,设计实现了后端实时信号处理系统。该系统采用多通道高速ADC和FPGA实现了探测器模拟信号的12bit量化,采样频率为75MHz;针对多通道ADC输出的高速串行信号,设计实现了低开销的时钟对齐与帧识别电路,时钟对齐精度为78ps,保证了对多路高速串行数据的正确获取;基于高性能FPGA,实现了对32个采样通道数据的实时处理与存储,信号处理电路的数据获取和实时处理速度达28.8Gb/s。

简介：为了改善闪烁探测器对某些恶劣环境的适应能力，有时需要用硅凝胶对闪烁探测器内部进行灌封。灌封后的探测器在环境适应性考核（如高／低气压、随机振动、离心以及加速度等）中取得了成功，但灌封后探测器的灵敏度普遍降低。

简介：为提高太赫兹脉冲的功率测量精度,基于n型硅在强电场下的热电子效应,研制了一种采用过模结构的0.14THz脉冲功率探测器.该探测器由基模波导WR6、过渡波导、过模波导WR10、n型硅探测芯片和偏置恒流源组成.首先介绍了探测器的结构及工作原理,给出了相对灵敏度表达式,分析表明过模探测器能在TE1o模式下很好地工作.然后结合国内工艺水平,根据模拟计算结果设计了探测芯片的结构参数,完成了探测芯片的加工和探测器的制作.最后,利用该探测器对0.14THz相对论表面波振荡器的辐射场进行了验证性测量,并与二极管检波器的测量结果进行了对比分析.结果表明,过模探测器的响应时间在ps量级,相对灵敏度约为0.12kW-1,最大承受功率至少为数十瓦,可用于0.14THz高功率脉冲的直接探测.

简介：介绍了一种新型总β测量闪烁探测器的原理与结构,对闪烁探测器输出回路脉冲计算公式及其极值进行了推导,利用MATLAB强大的数值计算功能讨论了闪烁探测器输出回路脉冲形状与回路RC时间常数的关系。并初步提出信号甄别的方法。

简介：本文在评述低温绝对辐射计和SIRCUS发展的基础上，讨论了基于探测器标准的光谱可调谐自校准标准光源的工作原理、发展与应用前景。在探测器型光谱辐射标准研究方面，工作在液氦温度的低温绝对辐射计不确定度达0.01％。美国国家标准与技术研究院（NIST）建立的均匀光源光谱辐照度和光谱辐亮度响应度定标装置（SIRCUS）采用一系列激光器，由低温绝对辐射计传递的硅陷阱探测器定标，不确定度已达到0.1％，成功应用于空间遥感仪器高精度辐射定标。分析认为，发展中的基于探测器标准的光谱可调谐自校准标准光源，定标精度高，自行校正老化、衰减，保证了定标精度长期稳定。

简介：摘要：为解决光导探测器阵列测量电路自身发热引起的温升过高和信号基线漂移问题，提出采用分时恒流驱动的方案。通过用16只精密电阻代替电桥式测量单元，构建了简化的16路分时恒流供电的验证实验电路，实验获得的16个输出电压与采用的电阻值呈线性关系，输出电压拟合直线斜率等于恒流源的输出电流。通过设计适当的低通滤波器，消除了因开关切换引起的毛刺，获得了理想的输出波形，证明了对多通道光导探测阵列进行分时恒流供电的方案是切实可行的。

简介：在北京同步辐射装置3WlB光束线上，对天文观测用超软X射线(0.2keV-3．5keV)正比计数管探测器进行了系统地标定．得到了正比计数管的死时间、计数率坪曲线、能量线性、能量分辨、窗材料透过比曲线；借助于已标定过的光电二极管探测器，测量了正比管探到器的能量响应效率，标定不确定度在10％一18％之间．另外，还对正比管系统在卫星上的六道记录和在实验室里的多道记录进行了对比，两种记录方式符合得很好．

简介：为了研究喷砂铝板表面的漫反射特性，基于环形光电探测器阵列和精密光学转台，设计了一种材料表面漫反射特性测量装置。该装置采用准直后的光纤激光作为光源，通过调整光学转台来调整激光入射角度，可以测量激光从不同角度入射时材料表面的反射特性。采用该装置对标准漫反射片的反射特性进行了测试，对测量结果进行拟合后显示，表面散射光的1维强度分布符合余弦分布特征，证明该装置设计是合理的。采用该装置测量了某种铝制漫反射片的表面反射特性。结果表明，这种采用喷砂工艺处理的铝板表面在入射角0°～20°范围内基本符合漫反射的特征。

简介：采用理论模拟和IVA(inductivevoltageadder)产生的脉冲X射线,研究了PIN探测器输出电荷随脉冲辐射强度的变化关系.结果表明,当入射脉冲辐射注量是PIN探测器最大线性电流对应注量的16.2倍时,PIN探测器输出电荷仍然与脉冲辐射强度呈线性变化,偏离线性小于5％.

简介：介绍了用闪烁探测器代替盖革-米勒计数管验证放射性衰变中的统计规律,为缺少G-M计数管的实验室提供一种新的实验方法。

简介：利用三维电磁场时域有限差分法,研究了n型硅片对0.3～0.4THz高功率脉冲的响应.模拟计算了波导内电场分布、电压驻波比及硅块内平均电场,给出了硅块几何尺寸和电阻率对上述物理量的影响规律.通过调整硅块的长、宽、高及电阻率,最后给出了一种可用于该频段高功率太赫兹脉冲功率测量的探测器物理模型,其灵敏度约为0.509kW-1,幅度波动不超过±14％,电压驻波比不大于1.34.

简介：为了同时实现成像系统的大视场、长焦距和高分辨率，设计了基于同心球透镜的四镜头探测器阵列拼接成像系统。首先，阐述了四镜头探测器阵列拼接方案的原理；介绍了同心球透镜的结构特点，阐述了其成像优点。然后，完成了满足实际拼接应用的同心球广角、长焦成像系统（拼接子系统）的光学设计。最后，给出了拼接子系统的像质评价并对其进行公差分析。结果表明：拼接后的系统可实现100mm焦距和120°视场成像。该系统解决了大视场和长焦距之间的矛盾，可实现超高像素成像，相对于传统光电成像系统具有巨大的优势。

简介：研制成功的6MeV高能工业CT集成检测系统采用磁控管驱动的6MeV射频加速器作为X射线源，成像系统与9MeV高能工业CT相同，扫描方式采用三维锥束扫描。主要技术指标与9MeV工业CT系统接近，其空间分辨率也达到21p／mm（10％的调制度下）。