简介：为了在虚拟的环境中进行产品的装配工艺规划，必须建立一个虚拟装配系统，这就涉及到虚拟装配的建模问题。虚拟装配系统的建模应当包括从模型的数据源——CAD系统提取数据以及数据在虚拟装配（VR）系统中的组织两个方面的问题。下面分别从CAD与VR系统模型的异同、信息转换、虚拟装配系统的模型描述、装配特征等几个方面来描述。

简介：大型激光装置的聚焦光斑的光强均匀性、能量利用率和旁瓣等都有非常苛刻的要求：能量利用率需大于90％；不均匀性小于5％而且要求激光束旁瓣非常小。就当今光学技术水平而言，由于光学元件的制作精度、材料的非均匀性以及高功率激光的非线性效应等共同影响，使得激光装置输出的激光束无法满足要求。

简介：以玄参总黄酮提取率为考察指标,在单因素实验分析的基础上,采用正交设计和响应面法对比研究不同溶剂与溶剂体积分数、微波功率、提取时间及液固比等因素对玄参总黄酮提取的影响.2种实验优化方法所得玄参总黄酮的最佳提取工艺条件：固定微波功率值为500W;乙醇体积分数为60%或60.37%;提取时间为10或11.17min;液固比30∶1或31.39∶1mL/g,验证实验总黄酮提取率为1.107%~1.192%.2种优化方法所得结论基本一致,正交设计实验次数少,响应面法更精确,预测能力更强,适用范围更广.

简介：以羟丙基-β-环糊精为包合材料，通过三因素三水平的Box—Behnken实验设计，建立相应的二项式数学模型优化厚朴酚-羟丙基-β-环糊精包合物的制备工艺条件．最优工艺条件为包合时间75min，包合温度60℃，羟丙基爷环糊精与厚朴酚的投料比6：1（质量比），包合率的预测值与理论值偏差较小．实验结果表明，Box—Behnken实验设计法用于厚朴酚-羟丙基-β-环糊精包合物制备工艺的优化是可行的．

简介：精密垫片零件，如图1所示，零件材料为1Cr18Ni9Ti，强度大（σb=650MPa），有一定塑性。从零件尺寸精度看，φ4mm外圆为IT7级精度，φ4mm外圆与φ2mm内孔有很高的同轴度要求，冲裁断面与零件两端面有垂直度要求，普通冲压不能达到零件精度：从工序的角度看，有冲孔和落料工序，剪切面粗糙度Ra≤3．2μm，属于光洁冲裁范畴；另外，技术条件中要求零件两大面不得有任何划伤，且光滑平整。总体上看，该零件的冲压加工性不好，难度较大，对模具的设计、选材、制造要求都较高。

简介：TQ171．652005032360利用计算机辅助装调检测矩形大口径离轴非球面的方法研究=Studyontestingmethodsoflarge-aperturerectangleoff-axisasphericalsurfacewithcomputeraidedalignment[刊,中]／杨晓飞(中科院长春光机所．吉林,长春(130022)),韩昌元∥光学技术．-2004,30(5)．-532-534通过非球面的零位补偿法,完成了对矩形大口径离轴非球面镜的检测。先用光学设计软件Zemax从理论上分

简介：高功率固体激光装置对KDP晶体光学元件的基本要求是大口径、高精度面形质量、高激光损伤阈值、良好的表面粗糙度。但是KDP晶体本身具有质软、易潮解、脆性高、对温度变化敏感、易开裂等一系列不利于光学加工的特点，传统的研磨抛光法不适于加工高精度的大口径KDP元件。国外加工此类元件已广泛采用先进的单点金刚石车削技术（简称SPDT）。采用SPDT技术加工KDP晶体元件，主要存在3个方面的加工误差，即晶体的面形误差、表面粗糙度（包括表面疵病）以及小尺度波纹等。

简介：针对离轴TMA结构空间相机中使用的两块离轴非球面反射镜的加工过程,提出了一种新型的矩形轴非球面的最接近球面半径的求解及其优化方法,并且开发了基于计算机虚拟加工技术的CC()S工艺参数计算方法。被加工工件分别为165mm义100mm的矩形凸面

简介：针对硅微振梁式加速度计输出频率随环境温度漂移的问题，提出了抗温漂的硅微结构设计方法及相关工艺，降低了环境温度对输出的影响，在室温条件即可达到一定精度。通过建立“硅-玻璃”和“玻璃-陶瓷”耦合模型，分析了造成硅微振梁式加速度计温度漂移的原因。然后提出了“抗温漂耦合设计”的微结构和“半粘结封装”的封装工艺，降低了耦合模型中的理论温漂。利用加工出的原理样机进行实验，结果显示，采用抗温漂结构设计及封装工艺的原理样机，输出频率的温漂系数为-3.5×10-6/℃，室温下零偏稳定性为72.0μg。实验验证了抗温漂理论的可行性，可以满足室温下高精度硅微振梁式加速度计的设计要求。

简介：TQ171.6897010633玻璃与GaAs外延片热压粘结工艺研究=ThestudyofGaAsexpitaxialplatethermocom-poressionbondedtoglasstechnology[刊,中]/赛小峰,张书明,高鸿楷,侯洵(中科院西安光机所半

简介：亚磷酸酯类抗氧剂是重要的抗氧剂类别之一，主要包括抗氧剂168、抗氧剂626、抗氧剂618、619和抗氧剂TNPP等。其中抗氧剂TNPP，即亚磷酸三壬基苯酯是一种用途广泛的亚磷酸酯类辅助抗氧剂，也是一种液体状的抗氧剂。在用于天然和合成橡胶和胶乳等产品时，能赋予橡胶优良的稳定性能，

简介：目前数控车削回转曲面的加工及检测需要由三坐标测量机多次检测来实现，而一般机械加工车间的数控车削设备与三坐标测量机常常是多对一的配置关系，易造成待检产品在三坐标测量机处积压，消耗过多无效时间，影响产品的制作周期。另外，产品检测需从机床上卸下，检测后需重新找正装夹，这样即延长了加工的辅助时间，又增加了误差的可能性。针对此现状本项研究的目的是将三坐标的检测原理应用到数控车床上，利用机床自身的坐标系统进行数据采样，在加工误差于允许的范围内，在不进行重复装夹的前提下完成数控车削回转曲面的现场检测。具体方案为接触式检测法，该方法采用不带压力或位移传感器的机械式球形测头进行数据采用，测头表面与工件表面的接触状况用弱电流电路通过发光二极管显示，

简介：絮凝微滤组合（简称CMF工艺）是我所开发出的含锕系元素废水处理优良工艺，并对^241Am，^238U，^235U，^239Pu废水处理中得到应用。同时开展了膜分离技术处理含裂变核素废水的实验研究。在上述研究成果及已建立的固定装置基础上，研发小型化可移动式放射性废水处理装置。可移动式废水处理系统可对含^238U，^239Pu，^241Am低放废水及含裂片核素（主要为^90Sr、^137Cs）低放废水（放射性总活度小于4×10^4Bq／L、总固体含量小于10mg／L）进行处理，处理能力0．5m^3／h，每次处理水量不大于100m^3，

简介：激光焊接是利用激光熔化母材本身金属来填充焊缝，因此激光焊缝表面没有余高，并有少许凹陷，由于构件结构的特殊性，有关技术要求焊缝的焊接深度仅为16mm，焊缝宽度不得大于6mm，而实际上焊缝区域的母材厚度约为6-12．5mm变化，焊缝尺寸相对于母材厚度很小，造成焊缝在底片上形成的影像不明显。简体内部密封并以其他材料填充，在进行射线检测时射线不可能采取双壁单影法透照对焊缝实施检测，只能采用单壁单影的透照方法。另外，靠近简体内侧加工有工艺弧度，在射线透射方向上母材厚度有很大变化，

简介：小工具数控抛光技术已成为ICF大口径光学元件制造的主工艺技术，由于这种工艺技术使用了比被加工元件外形尺寸小得多的抛光磨头来进行加工，所以被加工表面将呈现出不同于传统方法加工表面的特征。与传统抛光技术相比，被加工表面的某些频率成分可能增加，可能会对光学系统带来不良的影响。

简介：聚叠氮缩水甘油醚（GAP）是一种侧链含有含能叠氮基团，主链为聚醚结构的含能预聚体，该预聚体具有正的生成热，因而能量水平高。GAP在火箭固体推进剂中的应用较多，与端羟基聚丁二烯（HTPB）黏合剂系统比较，GAP是一种高能量（5023．2J／g）、高密度（LLHTPB高40％以上）的聚合物。

简介：Ⅱ型终端组件由窗口、晶体、透镜、过渡段4个模块组成，直接与靶室相连，是整个原型装置非常重要的组成部分，它的装校精度直接影响原型装置三倍频输出能力。Ⅱ型终端组件最终装校精度主要取决于透镜的精密定轴和晶体最佳匹配角的离线精确测量。目前，重新开展对终端组件精密装校工艺研究和流程设计，目的是改进原有装校方式，降低晶体装配中的应力，同时根据今年试验的需要制定符合两种不同取样方式的精密装校工艺流程。

简介：抗氧剂330是一种具有特殊性能的酚类抗氧剂。本文对抗氧剂330的有关资料及，其生产工艺作了简明扼要的介绍。

简介：为了探究虎眼万年青多糖铁（Ⅲ）复合物（OPIC）的最佳合成方法,我们采用Plackett-Burman设计对虎眼万年青多糖铁复合物制备工艺的主要影响因素进行考察,联用星点设计（centralcompositedesign,CCD）效应面法对显著性因素的水平进行优化,以溶剂加入量、三氯化铁加入量、多糖和柠檬酸钠加入量的比例、温度以及pH值为自变量,以虎眼万年青多糖铁中铁含量为因变量,通过对自变量与因变量的完全二次响应曲面的回归拟合,用效应面法预测最佳工艺.结果表明：温度、pH值和质量比对虎眼万年青多糖铁的合成有显著性意义;二项式方程拟合度高,相关系数r=0.9879.虎眼万年青多糖铁的最佳合成工艺：溶剂的加入量为70mL,三氯化铁的加入量为6mL,温度80℃,质量比为3.5,pH值为8.最终利用PlackettBurman实验设计连用CCD确定了虎眼万年青多糖铁的最佳合成工艺,该方法简便,预测性好,重现性高.

简介：TN305．72005032365硅基微结构制作及其在微分析芯片上的应用=Fabricationofsilicon-basedmicrostructuresandtheirapplicationinmi-crochipsE刊,中]／孙洋(清华大学深圳研究生院．广东,深圳(518057)),钱可元…∥半导体光电．-2004,25(6)．-477-479,483基于一种新的湿法刻蚀条件和新型的凸角补偿结构,以KOH溶液为腐蚀液,对单晶(100)Si材料进行了湿法刻