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  • 简介:通常情况下,利用李萨如图形可进行两同频信号的相位差测量,但无法同时直接利用李萨如图形进行两信号超前或滞后的判断。本文给出了利用“调辉法”从李萨如图形的扫描方向来判断两信号之间的相位超前和滞后。当改变示波管中阴极和控制栅极之间的负偏压时,就会改变电子束的强弱,而电子束的强弱,又会改变荧光屏上光点的亮度,这就是通常的“辉度”调节,若在阴极和控制栅极之间加上

  • 标签: 李萨如图形 相位超前 控制栅极 相位差测量 扫描方向 同频信号
  • 简介:确定性动态系统可以用多种方式进行描述和建模。本文首先探讨了用一种自回归滑动平均模型来描述确定性系统的方法及意义,并在此模型的基础上,引出了适合此种模型的一种最小预测误差控制算法——一步超前控制。并以典型的伺服系统为例,进行了仿真研究及参数、性能分析。

  • 标签: 建模 最优控制 一步超前控制 数字仿真
  • 简介:对市售和加固CMOS电路在四川原子核应用技术研究所的5.92×10^15Bq^60Coγ源上作了总剂量辐射特性的对比试验,其中市售的样品包括了北京半导体器件三厂的硅栅和铝栅CMOS电路及美国RCA公司的CMOS产品硅栅CD74HC20E,加固CMOS电路为中科院北京半导体研究所的CMOS/SOS(以蓝宝石为衬底)硅栅CC4012和CMOS/体硅金属栅CC4012。实验的γ剂量率在0.02-0.80Gy(Si)/s之间,它符合国家军用标准GJB762.2《半导体器件辐射加固试验方法总γ剂量辐照试验》所规定的实验剂量率范围。当辐照到预定的总剂量时,电路所有表征参数在20min内测量结束。

  • 标签: CMOS电路 辐射剂量 对比试验 硅金属栅 Γ剂量率
  • 简介:以CMOS存储单元为研究对象,介绍了仿真在CMOS抗辐射加固集成电路单粒子效应机理及电路抗单粒子加固设计方面的研究进展,讨论了特征尺寸的缩小对单粒子辐射效应的影响,提出了利用交叉隔离和错误猝熄的方法改进传统存储单元的加固性能,并通过试验验证了该方法的有效性。

  • 标签: CMOS集成电路 单粒子效应 仿真 抗辐射加固 交叉隔离 错误猝熄