简介:印制电路板(PCB)是电子产品中电子元件的支撑件,它提供电子元件之间的电气连接,是各种电子设备最基本的组成部分,它的性能直接关系到电子设备质量的好坏。随着微电子技术的迅速发展,各种电子产品经常在一起工作,它们之间的干扰越来越严重。同时,PCB的密度越来越高,PCB设计的好坏对电路的干扰及抗干扰能力影响很大。因此,要使电子电路获得最佳性能,除了元器件的选择和电路设计之外,良好的元件布局和导线布设在电磁兼容性中也是一个非常重要的因素。文章围绕印制电路板的电磁兼容设计展开论述,介绍了元件布局、布线、电源设计、接地设计等方面的设计要点,为制作一个电磁兼容设计良好的印制板奠定基础。
简介:本文用光荧光(PL)方法研究了磷离子注入具有两个不同发射波长的InGaAsP/InP双量子阱结构引起的混合.注入能量为120keV,剂量范围为1×1011-1×1014/cm2.注入后,在高纯氮保护下,样品在700℃进行快速热退火30秒.实验结果表明,小剂量注入(~1011/cm2)能较好地诱导近表面阱的混合,且两个阱保持了不同发射波长,说明离子注入诱导量子阱混合与注入深度有关.大剂量注入(>1012/cm2)时,发射波长为1.59μm量子阱混合的程度(蓝移值大于130nm)超过了1.52μm量子阱混合的程度,且两个阱的PL发射峰基本上合并成一个单峰.
简介:摘要纳米流体作为一种新型高效的换热介质,其在电子芯片微通道中的应用被广泛研究。本文将高效的Wavy通道冷板结构和新型高效纳米流体工质Al2O3相结合,以充分发挥液冷冷板的散热潜能。通过Fluent建立了Wavy冷板通道三维物理模型,介绍了研究纳米流体常用的多相流模型与导热系数的计算关联公式,结果表明对流换热系数随着流体体积流量的而增大;在相同的体积流量条件下,随着纳米颗粒体积分数的提高,换热系数也有显著的提高,同时阻力和压降也会增加。综合Wavy通道结构和纳米流体工质显著地强化对流换热,从而为解决高热流电子设备的散热问题提供有效的途径。
简介:目前,柔性线路板(FPC)的焊盘及表面阻焊膜(SolderMask)制造工艺有两种方法使用较为广泛。一种是采用聚酰亚胺薄膜(PI膜:Polyimide)为材料,在对应焊盘位置进行激光切割、使对应位置白勺铜箔漏出来后进行表面处理(SurfaceFinish)而成为焊盘:另外一种则是采用光致涂覆层(PIC:PhotolmageableCovercoat或称PSC:PhotoSensitiveCoat),
简介:针对抗辐照SOIPMOS器件的直流特性与低频噪声特性展开试验与理论研究,分析离子注入工艺对PMOS器件电学性能的影响,并预测其稳定性的变化。首先,对离子注入前后PMOS器件的阈值电压、迁移率和亚阈摆幅进行提取。测量结果表明:埋氧化层离子注入后,器件背栅阈值电压由-43.39V变为-39.2V,空穴有效迁移率由127.37cm2/Vs降低为80.45cm2/Vs,亚阈摆幅由1.35V/dec增长为1.69V/dec;结合背栅阈值电压与亚阈摆幅的变化,提取得到埋氧化层内电子陷阱与背栅界面态数量的变化。随后,分析器件沟道电流噪声功率谱密度随频率、沟道电流的变化,提取γ因子与平带电压噪声功率谱密度,由此计算得到背栅界面附近的缺陷态密度。基于电荷隧穿机制,提取离子注入前后埋氧化层内陷阱态随空间分布的变化。最后,基于迁移率随机涨落机制,提取得到离子注入前后PMOS器件的平均霍格因子由6.19×10-5增长为2.07×10-2,这表明离子注入后器件背栅界面本征电性能与应力稳定性将变差。