简介：本文简要叙述了西门子420变频器的特点，并以LEYBOLD500高真空镀膜机的送丝系统改造为例，介绍了它在送丝系统改造中的应用。

简介：韩国科学家7月20日称，他们开发出了全球效率最高的柔性太阳能电池的原型产品。据韩国电子和电信研究所太阳能电池研究小组的负责人RyuGwangseon，介绍说，这种柔性太阳能电池的造价相当低，但是，这种太阳能电池将太阳能转换为电能的性能是目前传统的基于硅的太阳能电池的一倍。据介绍，这种太阳能电池的厚度只有0．4mm。

简介：（中国无锡2010年2月2日）无锡风凰半导体科技有限公司“高电流密度NPT型IGBT芯片”科技成果鉴定会今日顺利举行。会议成立了由电力电子业界权威专家组成的鉴定委员会，无锡市科技局副局长赵建平、滨湖区副区长吴建昌、滨湖区科技局局长吴云亮、滨湖区科技局副局长祁华等领导也亲临指导。鉴定会由中国电器工业协会电力电子分会组织并主持。

简介：行业人眼中的奥托尼克斯是出众的、卓越的，然而这份独特和优秀建立在平稳发展基础之上，这份荣耀的光环背后是奥托尼克斯人这份骨子里的韧，三十年的耕耘收获，稳健提升换来的是今天站在金字塔顶尖，眺望之后整理思绪我们沉思，奥托尼克斯作为韩国企业是怎样在中国发展、壮大，继而厚积薄发立足于中国自动化之林的呢？本刊记者采访了奥托尼克斯电子广州分公司经理高锡珉先生，以下简称“高经理”）。

简介：美国国家仪器公司（NationalInstruments，简称NI）最新推出的PCI版本的PXI-5922可变分辨率数字化仪（也称为基于PC的示波器）可以实现较大动态范围的测量。PXI-5922数字化仪可提供目前市场上数字化仪产品中最高的动态范围，这一具有高动态性能和灵活性的通用仪器现在正式推出PCI版本，适用于包括通讯、半导体、生化以及超音速非破坏性测试（ultrasonicnondestructivetest，NDT）的许多领域。

简介：在SiC二极管经过10年的成功生产后,我们认为SiC技术已足够成熟以提出我们的第一个SiC开关器件。SiC独特的物理特性使我们有机会设计除硅超结器件和IGBT外的新一类高压开关器件,其关键特征在于较低的静态和动态功耗以及体二极管的集成,这对依靠硬开关整流及谐振开关的电路拓扑来说将被证实是革命性的。本文将讨论其主要技术特点

简介：在工业大功率应用领域已经推出了多种类型（对称，非对称以及逆向导通）的门极换流晶闸管（GCT）器件，为了用它来实现更高性能、更加合适的系统，人们期望对门极换流晶闸管展开进一步的研究，本文提出了对称门极换流晶闸管的一种新方案。

简介：“2012第十一届华东电子工业制造展览会”将于2012年7月26日-28日在青岛国际会展中心隆重举行。目前展会的各项筹备工作进展顺利，呈良好态势，20000余平方米的展出面积预计将吸引六百多家业内顶尖公司和品牌参展。

简介：阐述了直接转矩控制系统的发明和发展，指出其控制原理和方案的特点，特别阐明了它在转速与磁链分别控制中的解耦作用。最后，对直接转矩控制和矢量控制两种方案进行了比较，指出各自的优缺点和发展方向。

简介：应用于EV/HFV（电动汽车和混合电动汽车）转换系统的IGBT模块,要求其提高功率密度,以能达到缩小系统体积的目标。为了达到这个目标,我们研发了采用高热导工艺的新型的高功率密度的6-型（6-pack）IGBT模块。采取的创新措施有：采用直接冷却系统以消除热脂的热阻;优化了散热器和液体套管的设计;绝缘衬底不采用通常使用的Al_2O_3（氧化铝）,而采用了热导率比Al_2O_3高的Si_3N_4（氮化硅）;开发了新型焊接材料。研发的新型IGBT模块能用于EV/HFV转换系统的可能性是非常大的。

简介：介绍了IPcamera监控系统和IPCamera的构成和智原科技最新推出MPEG4编解码SoC器件FIC812060主要特点。给出了基于FIC8120芯片的IPCamera解方案方案。

简介：一、目前废水回收利用百益无一害，利国利民利己，但是如果设计不专业，不把来水的水质弄清楚，设计出来的废水处理设备是不实用的。最後结果劳民伤财，处理成本让业主不能接受。

简介：继中韩自贸协定正式签署后，中澳自贸协定也有望于近日签订。分析人士表示，在经济下行压力加大的背景下，加快实施自贸区战略，进一步加大以开放促改革的力度成为一些部门的重要举措。通过建立自贸区，可以形成区域经济新引擎，保障我国经济发展的态势，为中国经济稳增长蓄力。

简介：日前，VishayIntertechnology,Inc（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出可在1.5V-5.5V电压下工作的新款上升斜率控制的P沟道高边负载开关——SiP32458和SiP32459。

简介：自动化与驱动领域著名跨国品牌欧姆龙习前宣布，隆重推出SYSDRIVE3G3MZ系列高功能紧凑型矢量控制变频器。这款产品属于欧姆龙最新推出的“黑珍珠”新品系列之一。其先进的矢量控制技术、丰富的高附加功能、人性化的设计以及为OEM客户量身订做的服务在业界引起极大反响。

简介：本文介绍IGBT和快开关二极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。

简介：2004年，赛米控集团创造了公司成立以来创纪录的销售业绩。此外，在中国和美国等关键市场上还取得了40％的增长。时值SEMICONChina2005在上海新国际会展中心举行，记者有幸采访了赛米控大中华区总经理任力新先生（以下简称“任总”）。

简介：在即将举行的中国国际消费电子博览会（SINOCES）上，飞兆半导体公司亚太区总裁兼董事总经理郭裕亮将作出专题演讲，探讨能效问题，以及随时可用的功率解决方案如何帮助中国制造商加快产品上市时间。SINOCES将于2006年7月7至10日在山东省青岛市青岛国际会议中心召开。

简介：在200W连续导通模式功率因数校正（PFC）系统中，新一代600V砷化镓（GaAs）肖特基二极管与硅和碳化硅（SiC）二级管比较，砷化镓、碳化硅在PFC系统中的损耗减少高达25％。由于砷化镓有较低的结电容，砷化镓相对碳化硅高的通态损耗被较低的MOSFET损耗弥补了。和碳化硅技术相比，砷化镓有成本和可靠性优势。对于高频和高密度应用来说，新一代的砷化镓二级管是很有前景的。

简介：本文研究了MOSFET反型层中载流子的迁移率以及迁移率如何影响温度系数（TC）。迁移率模型中考虑了在反型层中所有的散射机构。本研究对TC进行了新的考虑，并用一个实例验证了提出的模型。