简介：在现代工业社会，制造业企业面临的压力越来越大：客户的期望千差万别，前所未有的市场透明度和全球竞争需要企业不断地努力，以期在未来能够生存下去。而企业之所以能生存下去，很大一部分要归功于各类商品的工业标识。因为它们将企业实际的货物物流与虚拟的数据流联系到了一起。

简介：

简介：Zetex半导体公司近日推出一款新型肖特基势垒二极管——ZLLS350。该器件在30V下的典型及最大逆向电流分别为1μA和4μA，有助延长充电器和发光二极管（LED）驱动器等多种应用系统的电池寿命。

简介：3月6日，意法半导体对外宣布，公司目前成为消费电子和手机市场第一MEMS传感器厂商，公司MEMS传感器（加速度计、陀螺仪、罗盘）出货量突破20亿大关。同时，意法半导体用两年时间成为全球第一大陀螺仪厂商，市场份额超过60％。意法半导体副总裁模拟、MEMS和传感器事业部总经理BenedettoVigna表示，目前促进MEMS发展包括数码影像防抖技术、位置服务技术应用和遥感监测三个市场巨大需求，推动着MEMS产品需求增长，前两者将是意法半导体未来重点关注领域。

简介：Atmel公司近日宣布为8倍DVD双层写速度推出两款新的激光二极管驱动器ATR0839和ATR0849。这些新器件拓展了Atmel现有的用于较高写速度的LVDS（LowVoltageDifferentialSignals）激光二极管驱动器系列。

简介：1．适用范围这个标准是对应表面贴装部品组装于印制电路板上，使用标准焊膏评价SMD可焊性的试验方法之规定。

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简介：Atmel推出的激光二极管驱动器（LaserDiodeDriver）ATR0885，可用于合并HD—DVD／Blu—ray、DVD、CD播放器和个人电脑只读存储器（CD—ROM）驱动器。自从新的ATR0885以极小封装推出以来，特别适合笔记本电脑上应用的小型SLIM驱动器以及桌面型电脑和DVD播放器中的半高驱动器。

简介：提出了一种基于扰动信号、且可线性化的非线性系统设计方案，该方案旨在改善带高频逆变器负载的二极管整流电路的功率因数。文中从原理及实验两方面对该方案进行了详细分析，并给出了实际的电路设计方法。

简介：4、通用电气123.5亿欧元收购阿尔斯通部分电力业务11月5日,法国政府正式批准美国通用电气公司以123.5亿欧元（约合154.38亿美元）收购法国阿尔斯通集团大部分电力业务。法国经济部当天发布新闻公报说,法国经济、工业和数字经济部长马克龙同意通用电气对阿尔斯通的投资计划,对两大集团在电力方面联合发展的计划予以批准。收购完成后,新的阿尔斯通集团将拥有充分资源,有望在交通领域成长为法国和欧洲的领头羊。

简介：2006年1月26日召开了编辑委员会。在京部分编委参加。会议由本刊新一届编辑委员会主任委员蔡宣三教授和学会秘书长周亚宁主持。

简介：对高速列车牵引传动系统的基本组成及主要部件技术参数进行了深入分析，简要概括了高速列车牵引传动系统的控制策略，归纳总结了高速列车牵引传动系统新技术发展的趋势，结合我国高速列车牵引传动系统技术的现状，提出了今后我国高速列车牵引传动系统技术发展的建议。

简介：跟踪IGBT芯片能够在高达175℃的温度下工作这一最新发展趁势，已经研制出有相同工作结温的续流二极管和整流二极管。三种类型的芯片全部封装到CIB(整流-逆变-制动斩波)模块(MiniSKiiP的第二代产品)中，导致了较高的电流密度，在过载和动态负载条件下有十分可观的余量，而且也改善了功率循环能力。

简介：电力电子器件是半导体功率器件的总称，是构成电力电子设备的基础，是从事电力电子器件设计、研发、生产、营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。本刊从今年4月份开始以“电力电子器件知识”为题开展讲座．以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。欢迎厂家及用户的工程师们撰稿，并望提出宝贵意见。

简介：通过1973年3月广州会议和1974年4月常州会议,国内对晶闸管(可控硅)的质量、标准、可靠性等进行了整顿,对晶闸管装置组织全国产学研力量进行系列化的统一设计,提高了正确使用晶闸管的规范化水平。戴了七、八年"可怕硅"帽子的变流行业,出现了一片新气象。当时,大型轧钢设备、铁路电气化牵引、四川天然气东输工程(后来该项没有成功)等关系国民经济基础的重大工程项目正在酝酿,亟待高性能、高指标晶闸管走上可靠运行的产业化之路。这时机械部首次把变流行业(后来发展成电力电子行业)作为电工行业的一个独立小行业列入单独的行业规划序列。这样,1974年8月在西安丈八沟招待所举行了本行业的首次规划会议。

简介：开关型电源(SMPS)在通常便携式计算机中占总重量的10%以上,因此,厂商们致力于提高功率密度和效率。为减小尺寸和重量,目前有三种方法:①减小总功耗,以减小冷却部件(散热片或风扇)。②提高开关频率,以减小无源元件尺寸和减小用来降低噪音的EMI滤波器尺寸。③选用SiC肖特基二极管,

简介：

简介：发展单片集成MOSFET和肖特基二级管器件来减小Qrr和在DC-DC同步降压转换中的死区时间损耗。这篇文章报道了一种新的器件。这种器件在没有妥协MOSFET优点的同时，它可以降低超过29％的反向恢复电荷，和降低24％的正向电压降。在1MHZ，集成单片FET做同步整流，其电路效率提高1.1％。随着开关频率和电流的增加性能也得到改善。

简介：实验评估了600V，4A碳化硅(SiC)肖特基二极管(英飞凌，SDP04S06)的性能。作为一种重点的应用，作者考虑选用一种300W，按平均电流模式控制的Boost功率因数校正器(PFC)。作者测量了采用该型号SiC肖特基二极管和采用两种超快、软恢复的硅功率二极管(RURD460和目前正被列入的STTH5R06D)制成的整机的效率、开关损耗、二极管损耗和电磁干扰(EMI)等特性。本文比较了这些结果，特别是定量地考察了SiC二极管提供的恢复电流的减小对该变换器行为的这些关键参数的影响。基于试验结果，本文表明在功率因数校正器设计中，采用SiC二极管只是在高开关频率时才是合算的。

简介：本文介绍IGBT和快开关二极管的最新发展。文中将讨论"沟槽-电场截止型"IGBT可重复短路行为的详细研究。该新型电场截止型IGBT已经被开发得几乎同MOS场效应管的关断行为完全类似(几乎没有拖尾现象)。受这种新型IGBT技术的驱动,就会在续流二极管上施加更大的应力。本文详细示出被一个超快开关的IGBT关断的二极管的开关特性和电应力。还包括基于换流期间的内部过程而对这种应用提出的要求。