简介：研究在用迈克尔逊干涉仪测量气体折射率时存在的系统和方法误差,提出了误差修正方法.

简介：采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因.

简介：本文对用掠入射法测定透明液体的折射率这一实验中如何选择辅助棱镜，使观察的实验现象更明显进行了分析和讨论。

简介：薄膜厚度的测量是薄膜科学的重要分支之一，本文讨论用迈克尔逊干涉仪观察白光等厚彩色干涉条纹方法，从而确定薄膜的厚度和折射率，该方法的优点是测量精度高，原理简单，在一次测量过程中可同时确定薄膜的厚度和折射率。

简介：提出一种在迈克尔逊干涉仪上测量透明材料折射率的新方法,它相对来说,操作简单,对待测器件要求不高,利用计算机来处理测量数据,不需要太多的人工计算,可以达到相当高的准确度。

简介：利用热力学第一定律证明了电容率张量的对称性。

简介：对制造的单mesa终端4H-SiCPIN二极管,采用数值仿真和测试结果比对的方法,分析了各向异性迁移率效应对4H-SiCPIN二极管正向直流特性的影响。详细阐述了器件的正向直流仿真物理模型和参数选取,其中,迁移率的各向异性关系是在各向同性迁移率模型的基础上引入的,载流子寿命采用空间赋值的方法代入模型进行计算。对比结果显示,采用各向同性迁移率模型的仿真结果与实验值偏差较大,对迁移率模型进行各向异性修正后,仿真结果与实验结果符合得较好。研究表明,实际制造的4H-SiCPIN二极管在直流开态下,存在迁移率的各向异性效应。

简介：为实现探测器响应率测量中辐射源的稳定红外辐射,利用高温黑体和干涉带通滤光片组合的方法得到了3.8μm中红外辐射,测量了HgCdTe中红外探测器的室温响应率.结果表明,通过上述组合方法获得了均匀的远场窄带红外辐射,可用于精确测量探测器在不同波段的响应率;分析了黑体源温度、干涉滤光片带宽和辐射距离对光功率密度的影响,并通过与其他标定光源的比对,验证了该方法的有效性.

简介：通过迈克尔逊干涉仪来研究压强对空气折射率的影响,通过Excel软件将实验数据进行线性拟合,得出了不同间隔条纹数下空气折射率随压强变化的拟合直线.当条纹间隔数取不同数值时,将测得的百分差和相对不确定度进行比较,最终确定最佳的间隔条纹数,提高了实验教学中测量空气折射率的精度.

简介：研究了钙钛矿太阳能电池材料CH3NH3PbI3（CH3NH3=MA,MAPbI3）的输运特性,理论分析了有机分子MA对晶格结构的影响。发现：MA沿[110]方向排布且近邻MA分子相互垂直的构型最稳定,将此构型作为MAPbI3的标准结构,使用第一性原理方法,通过分析晶格的振动散射或声子散射,计算了MAPbI3材料中形变势散射主导的载流子迁移率,分析了材料的输运特性,讨论了载流子迁移率理论计算值和实验值之间的差异。