简介：瑞典研究人员已公布了一项计划，准备制造能发射线性偏振光的量子点。林雪平大学的AndersLundskog及其同事通过在基部已加长的微型六角形氮化镓金字塔的顶部“种植”量子点，使氮化铟镓量子点所发射的光处于受控状态。他们发现，发射光的偏振方向与基部延长轴是一致的。通过调节氮化铟镓中的铟含量，原则上就可将由量子点发射的光从紫外线波长调到红外线波长。这种方法的好处是能与高温操作和大面积晶圆处理方法兼容。

简介：在高功率微波源器件研究中，利用数值模拟方法对微波源器件进行定量设计，可以有效地节省开发成本。由于源器件具有复杂的三维几何结构，同时可能存在一些细小结构，因此需要高精度计算。本文采用并行计算，模拟三维复杂器件，并进行了初步的几何建模研究。

简介：为研究二极管热场致发射过程中阴极表面热效应的发展过程及相关影响因素,在阴极表面建立了微米级圆台形微凸起物理模型,用数值方法对阴极表面的焦耳加热、热传导、诺廷汉效应等热电物理现象进行了研究,对比了不同形状微凸起、不同外加电场及诺廷汉效应对微凸起中温度分布及温度随时间变化规律的影响。结果表明：微凸起的形状,尤其是顶底半径比会显著影响微凸起中的温度分布规律;在只考虑焦耳加热及热传导效应时,微凸起中的最高温度总是出现在其顶端,但将诺廷汉效应也考虑后,最高温度点将会偏离微凸起顶端而朝微凸起内部移动,外加电场越弱,微凸起中温度最高点出现的位置越靠近微凸起内部;诺廷汉效应会使微凸起中最高温度达到阴极材料熔点所需的时间提前。

简介：基于考虑发射度效应的线性电子注边缘电子受力平衡方程，获得了约束电子注所需磁感应强度，通过对比约束不同效应所需磁感应强度的大小，推导了发射度效应占主导电子注的临界半径公式。利用该公式分析了典型电子注的临界半径，分析表明在导流系数小于0.1EA.V_32时，电子注发射度效应对电子注的影响随电子注半径减小到亚毫米量级后迅速增大。通过理论推导获得了热阴极发射的线性电子注临界半径下限公式，分析表明采用较大负载的阴极有利于获得较高质量的电子注，且在电子注半径小于0.05mm后，常规热阴极的发射能力已不足以保证电子注工作于空间电荷限制状态。此外，在用缩尺法设计电子枪时，若缩尺后的电子注半径小于临界半径，则缩尺法将失效。

简介：1987年，Yablonovitch和John分别独立提出光子晶体（PhotonicCrystals）的基本理论，光子晶体是指一定光子带隙（PhotonicBandgap，简称PBG）人造周期性电介质结构。光子带隙结构的理论根据来源于电子的能带理论，如果模拟这种原子排列而人工制作出周期性的电介质结构，则在这种结构中传播的波可能存在一定的限制，

简介：在X波段相对论返波管中引入多电子束发射阴极,采用三维共形全电磁PIC粒子模拟软件对返波管进行了模拟。结果表明：多电子束发射阴极的面积为环形阴极面积的20%,产生的电流与环形阴极相同;采用多电子束发射阴极的相对论返波管能稳定地输出功率。与采用环形阴极的相对论返波管相比,由于多电子束发射阴极所产生的电子束与电磁波的相互作用降低,器件的输出功率下降11%,达到稳定输出功率的时间延迟5ns。

简介：气压较高时,电极间隙击穿场强偏离巴申曲线。分析认为,间隙击穿前,金属微凸场致发射电流持续加热电流通道内的气体,导致气体温度上升和通道内气体分子数密度降低,由于电子平均自由程与气体分子数密度成反比,因此随着平均自由程的增大,电子更容易获得足以导致＂雪崩＂的能量,进而降低了对间隙电场强度的要求,即场致发射电流的加热效应在某种程度上抵消了增大气压对击穿场强的提升效果。推导给出了修正的气体间隙击穿场强表达式,场增强因子处于合理范围内,结论可解释实验现象。

简介：由于行波管是电子对抗争夺电磁权的关键微波器件，因此发达国家都非常重视行波管的研发并对我国一直进行严厉的封锁政策，许多重要管型至今在国内未见实物。耦合腔行波管在带宽与效率等高频特性方面具有非常广阔的选择空间，提高耦合腔行波管的性能是目前我国真空微波器件研究中要解决的关键问题之一。提出了x波段大功率连续波耦合腔行波管的设计。结合理论分析和数值模拟，对模型腔进行了微波冷侧调试，详细描述了耦合腔慢波线的调谐以及带内不平度的测量和调整，给出了测试结果。

简介：PE3340芯片是Peregrine公司研制的一款低噪声、高性能整数分频锁相环，工作频率可高达3GHz，用20引脚TSSOP封装形式，芯片约6．5mm×6．4mm。PE3340内含一个双模前置分频器、R和M计数器以及鉴相器，可通过串行接口对芯片进行编程。遥测发射机设计是用Xilinx公司的CPLD芯片XC9536对PLL芯片PE3340进行预置数据编程。发射机设计用准两点注入式锁相调频技术，包括PE3340、XC9536、温补晶振(TCXO)、有源积分滤波器电路(LF)、VCO、缓冲放大器(Buffer)和S波段功放(PA)等电路模块。发射机电路原理框图如图1所示(虚线框内为PE3340)。

简介：建立了等效基带模型的频域方法,分析了大口径反射面天线微波短脉冲辐射特性,理论推导了辐射场基带波形的重构方法。以Ku波段4.5m口径的单反射面天线为例进行仿真验证,重构出天线主瓣、3dB波束方向、第1,2,3旁瓣的辐射场基带波形。仿真结果表明：在主瓣和3dB波束方向辐射场波形与辐射源基带波形完全一致,但是第1,2,3旁瓣辐射场波形出现轻微畸变。

简介：利用麦克斯韦函数描述空间等离子体能量分布特性，计算获得了空间等离子体中电子和离子充电电流密度、二次电子和背散射电子发射系数，并基于充放电平衡方程，建立了表面充电电位的计算方法。研究结果表明，二次电子和背散射电子在卫星表面材料Kapton的充电电位中约占25％。

简介：在高功率微波（HPM）的研究中，电子束同微波腔中微波场相互作用是大家所关心的问题，微波腔中电子束与微波场的相互作用，是一个闭环过程，微波场影响电子的运动，同时电子束作为电流源也产生辐射，影响微波场。不同微波腔的微波场不同，电子束同微波场的相互作用形式也不相同，但是在微波场作用下电子束群聚，群聚的电子束反过来影响微波场的自洽过程。

简介：采用微波等离子体技术研究了一氧化碳氢化制乙炔反应的产物选择性。对影响乙炔选择性的几个因素，如微波输入功率、反应物的比例和体系压力进行了研究。乙炔的选择性随着微波输入功率的增加，反应物比例和体系压力的降低而增大。在最佳条件下，乙炔的选择性可达到９５．８７％，甲烷选择性的变化规律和乙炔相反，乙烯和乙烷的选择性很低。等离子体中的电子温度（或能量）和密度采用了静电悬浮双探针诊断，电子密度和能量受微波输入功率和体系压力的影响。在反应中，电子能量决定化学反应是否进行，电子密度决定产物的组成。根据自由基反应理论解释了乙炔选择性在Ｈ２＋ＣＯ等离子体化学反应中随影响因素的变化规律。更多还原