简介：高电压技术与脉冲功率技术、激光技术、加速器和高能物理等技术密切相关，为保证高电压领域量值的准确统一并适应冲击高电压研究和冲击耐压试验的发展需求，计量测试中心在已建有200kV直流高电压和100kv工频高电压标准装置的基础上，于2006年又组建了500kV冲击高电压校准系统。

简介：设计了一套利用成像法结合长脉冲能量计测量高重频激光强度时空分布的测量系统，给出了测量原理，简要叙述了系统的总体结构，重点介绍了系统模型设计、高精度靶面定位技术、电控机械／光学快门、大口径分束与缩束光学组件、长脉冲kJ能量计的设计与实现、多类信号采集与同步控制技术研究等，给出了激光强度时空分布测量实验结果。结果表明：测量系统兼具成像法测量分辨力高和量热法功率测量准确的优点，可应用于高重频激光强度时空分布的测量。

简介：在流体力学数值模拟中，最基本的有Lagrange方法和Euler方法。Lagrange方法可用来计算多介质系统，能够刻划多介质界面，但网格的扭曲，翻转，长宽比失调等网格大变形是一个突出问题。在Euler方法中，计算网格是固定的，但是，当系统中包含多种介质时，一定会出现在一个Euler网格中包含多种介质的情形，网格中的物理量的处理比较困难。为提高精度．一般将Lagrange方法和Euler方法结合。这时网格最优问题是一个重要的内容。

简介：航天飞行器在变轨、对接、特殊控制节点都需要自主定位。20世纪90年代以前，惯性定位是主要的一种定位方式，20世纪90年代后，随着全球定位系统的应用，复合定位方式得到了迅速的发展。当航天飞行器在高动态条件下长时间飞行时，单纯的惯性定位无法满足精度要求，采用卫星辅助惯性测量单元定位，可以大大提高精度。

简介：为提高太赫兹脉冲的功率测量精度,基于n型硅在强电场下的热电子效应,研制了一种采用过模结构的0.14THz脉冲功率探测器.该探测器由基模波导WR6、过渡波导、过模波导WR10、n型硅探测芯片和偏置恒流源组成.首先介绍了探测器的结构及工作原理,给出了相对灵敏度表达式,分析表明过模探测器能在TE1o模式下很好地工作.然后结合国内工艺水平,根据模拟计算结果设计了探测芯片的结构参数,完成了探测芯片的加工和探测器的制作.最后,利用该探测器对0.14THz相对论表面波振荡器的辐射场进行了验证性测量,并与二极管检波器的测量结果进行了对比分析.结果表明,过模探测器的响应时间在ps量级,相对灵敏度约为0.12kW-1,最大承受功率至少为数十瓦,可用于0.14THz高功率脉冲的直接探测.

简介：针对高功率微波引导磁场的实际情况,根据线性规划算法,设计了一种新颖的分段式高均匀度螺线管。这种螺线管设计以电流密度为变量,以磁场均匀度为约束条件,以磁体总体积为目标函数,利用MATLAB计算可行域内的电流密度值,将可行域的最大值作为线圈电流存在的区域,通过复杂形状的骨架加工及线缆缠绕而制成。通过分析比较常规螺线管和新设计螺线管的电学参数和磁场位形分布,认为在中心磁场强度大小相等和其他因素相同的条件下,新设计的螺线管磁场轴向不均匀度从9.8%降低至0.68%,这种利用线性规划算法设计的分段式螺线管磁体通过改进绕线工艺和机械结构可以实现高均匀度,并具有很强的推广性。

简介：针对飞行器高动态飞行环境，对GPS应用的几点关键问题进行了分析和研究，并且利用仿真建模平台对研究结果进行仿真验证。首先根据再入航天器飞行高度高、速度快、飞行距离远等特点，对GPS定位方式进行选择。采用了伪距单点绝对定位方法进行定位，硬件要求简单、效费比高，能达到预期的精度，由此对伪距单点定位测速方法进行了介绍。接着结合载体高速运动的特性，在分析了通常的电离层余弦修正模式和介绍电离层的基本特性与描述的基础上，提出了动态修正的定位方法。该方法是以Bent电离层模型为基础，

简介：探测效率是高纯锗探测器的一个重要指标，实际工作中面对的测试对象经常是一些不规则的辐射体，使得用标准源刻度探测效率难以实现，为此通过理论方法研究刻度体源探测效率有着重要意义。但是理论模拟面对着模型刻画准确性的问题，为此，该项研究针对实验室的两台便携式高纯锗γ谱仪开展了理论计算的验证工作，通过两种方法作为验证基准，即：实验和基准程序计算。针对计算产生的偏差，探索了影响效率差异的各种因素，推导了修正公式，并对修正公式的有效性和适应性进行验证。修正后的理论结果与基准的比较见图1和图2。

简介：随着ICF激光驱动器技术的发展，要求激光输出的能量和功率越来越高，激光片状放大器提供了装置总输出99％以上的能量，其典型的通光口径为Ф300mm×300mm（中国TIL装置）和Ф400mm×400mm（美国NIF装置）。为了提高储能效率，放大器多设计为多段式组合系统。相应地就需要大尺寸的脉冲氙灯，如弧长超过1500mm，达到Ф37mm。将预电离作为提高氙灯光效的有效途径已广泛应用于大型激光装置，文中研究了氙灯预电离参数对大尺寸脉冲氙灯光效的影响，包括预电离点灯以及泵浦脉宽的实验工作。

简介：在高功率微波源器件研究中，利用数值模拟方法对微波源器件进行定量设计，可以有效地节省开发成本。由于源器件具有复杂的三维几何结构，同时可能存在一些细小结构，因此需要高精度计算。本文采用并行计算，模拟三维复杂器件，并进行了初步的几何建模研究。

简介：描述了一种采用HPGe探测器γ能谱法无损测量核材料铀样品并计算样品的生产（纯化）年龄与同位素丰度的方法。该方法不需要其他任何标准源或参考源,对样品的形态（固体、液体）和形状没有限制,由铀样品自身所含多γ射线核素的γ能峰来刻度相对峰效率曲线,由能峰计数率、相对效率、γ射线发射概率等参数确定铀同位素的比值,由^234U与其衰变子体214Bi的活度比值计算其生产年龄。对一个铀总量约5g、^235U浓缩度约90%的24mL液体铀样品,用两套HPGe探测器分别测量不同能区范围的γ能谱：在平面型探测系统获取的低能区能谱中,用^235U的γ能峰刻度相对峰效率曲线,计算了^234U、^228Th（232U子体）与235U的相对比值;在同轴型探测系统获取的高能区能谱中,用^228Th及其子体的γ能峰刻度相对峰效率曲线,计算^238U、^214Bi与^228Th的相对比值,综合计算得到铀样品生产年龄（-32a）及铀同位素丰度,并与样品经过放化分离后,质谱法测量得到的结果进行了比较,生产年龄与丰度比偏差均在5%以内符合。

简介：研究基于甲酸助焊剂的高功率激光二极管焊接工艺。高功率激光二极管芯片在工作时会产生大量的热，如果不及时散掉，会严重影响芯片的使用寿命，严重时直接烧毁芯片。因此需要将芯片的发热面，即P面与热沉焊接在一起，理想状态是100％的接触，这样热量就可以完全通过接触面被带走。

简介：为了满足高精度相机在外场环境下的检测要求,采用碳化硅光学材料制作反射镜,碳纤/环氧树脂基复合材料制作遮光筒,设计了一套重量轻、自身精度高、温度稳定性好的离轴平行光管。在二者线胀系数保持二倍关系的情况下,在一定温变范围内保持精度的稳定性。经检测,口径为400mm,焦距为8m的离轴平行光管的温变为（20±10）℃,系统波像差为1/5λ（P-V值,λ=632.8nm）和1/27λ（RMS值）,达到了设计要求,能够在外场环境下使用。

简介：微细结构在工程中的应用逐渐增多，常规的切削加工方法及手段无法直接实现微细结构的加工。针对一种特定微细结构，研究了其车削加工工艺技术。

简介：介绍一种高稳定的温度控制电路,该电路采用锁相放大方法对温度的微小变化进行检测,利用半导体制冷器进行温度的实时控制.在室温环境下,其温度稳定度可到10-3K量级.

简介：从SiCp/Al复合材料性能分析着手,讨论了预置件法、焊接法和粘接法等在空间遥感器研制中常用的联接方法的优缺点,提出了在高体积分数（体分）SiCp/Al复合材料上直接加工螺纹,并加装钢丝螺套的方法来改善螺纹联接性能。对在某高体分SiCp/Al复合材料上加工的M4、M5螺纹进行了拉伸测试,结果表明：加装钢丝螺套前,复合材料螺纹有被拉脱现象;加装钢丝螺套后,M4螺纹、螺杆在3000～4000N被拉断;M5螺纹、螺杆在8000～9000N被拉断,测试后两种规格的螺纹状态良好,可以满足实际应用对该材料拉伸强度的要求,其已应用于工程项目中。

简介：利用三维电磁场时域有限差分法,研究了n型硅片对0.3～0.4THz高功率脉冲的响应.模拟计算了波导内电场分布、电压驻波比及硅块内平均电场,给出了硅块几何尺寸和电阻率对上述物理量的影响规律.通过调整硅块的长、宽、高及电阻率,最后给出了一种可用于该频段高功率太赫兹脉冲功率测量的探测器物理模型,其灵敏度约为0.509kW-1,幅度波动不超过±14％,电压驻波比不大于1.34.

简介：基于高帧频CMOS图像传感器，设计了低延迟触发曝光逻辑、CMOS图像传感器数据实时解码逻辑和10Gb·S-1高速光纤传输接口，研制了一种高实时远程图像采集系统。该系统的空间分辨率为1280×1024，支持2×2binning工作模式，数字量化精度为12bit，触发曝光延迟小于75ns，远程图像采集的时间最短可达0．6ms，实现了图像传感器数据的实时处理、传输和缓存，保证了系统远程图像采集的高实时性。

简介：TN2422004010181折叠腔内的偏振效应对绿光输出稳定性的影响=Influenceofpolarizationeffectinfoldedresonatorsonthestabilityofgreenoutput[刊,中]/王鹏飞(四川大学激光物理与化学研究所.四川,成都(610064)),吕百达∥强激光与粒子束.—2003,15(2).—137-140将Jones矩阵法与耦合波方程结合起来分析折叠腔腔内倍频中的绿光问题。在用Jones矩阵法分析折叠镜

简介：以PbO，MgO，Nb2O5，TiO2为原料，采用两步固态反应法制备了纯钙钛矿相的0．92PMN-0．08PT陶瓷，并对其相的组成、微观形貌、介电性能和储能性能进行了研究。在25℃，1kHz条件下，该陶瓷的相对介电常数高达27480，介电损耗tan艿仅为4％，电滞回线形状细长，剩余极化很小，可释放的能量密度达0．31J·cm-3.结果表明：室温下该陶瓷具有优良的介电和储能性能。