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  • 简介:首次报道了利用光学显微法和同步辐射白光X射线形貌术对Cr:KTP晶体缺陷的研究结果。光学显微法采用热磷酸作为腐蚀剂,用Opton大型显微镜反射法观察,观测到(100)面和(021)面的位错蚀坑以及(021)面的小角度晶界。用同步辐射白光X射线形貌术作出(001)面、(010)面和(100)面形貌面,从图中可明显观察到生长层、扇形界及位错线。由此得出,Cr:KTP晶体的主要缺陷是位错、生长扇形界、生长层等。

  • 标签: Cr:KTiOPO4晶体 缺陷 同步辐射 白光X射线形貌术 缺陷 非线性光学晶体
  • 简介:利用Triton和高盐处理制备菠菜光合系统ⅠⅠ(PSⅠⅠ)-La复合物,并应用EXAFS技术研究了该复合物中稀土镧的局域结构。初步结果表明,镧与PSⅠⅠ中O或N原子配位,配位数为8,距离为2.5A左右;第二层配位原子是C,其作用距离为3.5A左右,配位数为4;La与Mn的作用距离4.5A,大于Ca与Mn的距离3.5A。由此推测镧与PSⅠⅠ结合后,改变了其空间结构。

  • 标签: 菠菜 PSⅠⅠ 局域结构 EXAFS 生理效应
  • 简介:用小角X射线散射(SAXS),Raman谱,红外透射谱等研究高氢稀硅烷热丝法(HWCVD)制备氢化微晶硅膜微结构,结果表明微晶硅的大小及在薄膜中的晶态比随氢稀释度的提高而增加。SAXS表明薄膜致密度随氢衡释度的增加而增加。结合红外谱和SAXS的结果讨论了不同相结合下硅网络中H的键合状态。认为在非晶硅膜中H以SiH键为主,在微晶硅膜中H以SiH2为主且主要存在于晶粒的界面。

  • 标签: 微晶硅薄膜 小角X射线散射 半导体 红叶光谱 结构
  • 简介:用EXAFS方法研究了重金属Zn(Ⅱ)在δ-MnO2上吸附的微观结构及吸附机制。在pH5.50,0.1M硝酸钠介质中,吸附-解吸实验表明Zn(Ⅱ)在δ-MnO2上的吸附可逆性很高.EXAFS结果表明,δ-MnO2表面上吸附态Zn2+以六配位的水合离子八面体形式存在。八面体的水合Zn^2+离子与δ-MnO2的结构单元MnO6八面体通过共用O原子结合,形成角-角结合的弱吸附.Zn-O平均原子间距为2.071A,Zn-Mn平均原子间距为3.528A。同一条等温线上随着吸附量增加,角-角结合的弱吸附形式基本上没有变化。Zn(Ⅱ)在δ-MnO2上较高的吸附可逆性是由于吸附态Zn(Ⅱ)与δ-MnO2以弱吸附的角-角形式结合所导致的。

  • 标签: Zn/δ-MnO2吸附结构 EXAFS 重金属污染 硝酸钠 可逆性 解吸
  • 简介:采用溶胶-凝胶方法在碱性条件下制备SiO2和ZrO2溶胶,应用同步辐射小角X射线散射(SAXS)法研究了溶胶的结构,结果表明,溶胶粒子是多分散的,其生长、聚集受RLCA和Eden模型的共同控制,是一种非线性的动力学过程,所形成的聚集体呈随机、分岔、稠密不同的结构,具有质量分形的特征。同时还发现所研究溶胶的散射曲线均不遵守Porod定理,形成负偏离或正偏离。这说明在溶胶粒子与分散介质间有过渡相存在。对上述偏离进行了定性和定量的分析,提出了正偏离时的定量解析方法,从而得到了胶体系统中有关过渡层(界面层)结构的重要信息。

  • 标签: 小角X射线散射 溶胶 结构 二氧化硅 二氧化锆
  • 简介:选取不同煤化程度的五种煤样并制成600℃和800℃的半焦,应用同步辐射小角X射线散射研究了其亚微观孔隙结构,得到孔径分布,孔隙率,比表面,分形维数等许多结构参数,这些参数随煤化程度和所制半焦温度的不同大都呈现一定的变化趋势。

  • 标签: 半焦 孔隙结构 SAXS研究 测试
  • 简介:采用XAFS研究了不同方法制备的钛硅复合氧化物材料的钛K边结构,其结果表明,二氧化钛与二氧化硅复合后,钛原子配位数由原来的六配位降低到3—4配位,不同二氧化钛含量样品的径向结构函数及近边曲线都有不同,说明经过复合后二氧化钛结构发生改变,并且二氧化钛含量对复合材料的结构影响很大。

  • 标签: 钛硅复合氧化物材料 XAFS 二氧化钛 径向分布函数 近边曲线 X射线
  • 简介:本文介绍用BEPC的同步光做激发源,对所研制的平面晶体位置灵敏谱仪性能进行研究的结果。用LiF(200)晶体,测得TiKα的能量分辨率达14.2eV,好于质子激发的结果(15eV),能清楚地分开不锈钢中CrKβ与MnKα两峰,和可探测一气溶胶样品中Ti的绝对量达10^-9-10^-10g水平。这些数据将为位置灵敏谱仪用同步光开展应用提供重要依据。

  • 标签: 同步光 激发源 PSS 平面晶体位置灵敏谱仪
  • 简介:本文主要利用X射线衍射技术研究由直流/射频磁控溅射方法制备的PbZr0.53Ti0.47O3(PZT)/La1.85Sr0.15CuO4(LSCO)集成薄膜的界面和表面的微结构,从而给出它的界面和表面的均方根粗糙度,有效晶粒尺寸,应变大小,用计算反射率方法对小角衍射曲线做理论模拟,从我们的实验结果可见,当所制备的铁电/超导薄膜PZT层厚度从48.7nm到996.0nm变化而LSCO层保持1000?不变时,PZT与LSCO的应变状态不同,相差近一个数量级,同时PZT层表面的均方根粗糙度略有增加,本报告对实验结果作了初步讨论。

  • 标签: 薄膜 集成器件 X射线衍射 微结构